Вестник РАН, 2020, T. 90, № 6, стр. 503-507

ЖИЗНЬ И ДЕЯТЕЛЬНОСТЬ НОБЕЛЕВСКОГО ЛАУРЕАТА

Г. Я. Красников *

Отделение нанотехнологий и информационных технологий РАН
Москва, Россия

* E-mail: niime@niime.ru

Поступила в редакцию 03.04.2020
После доработки 03.04.2020
Принята к публикации 10.04.2020

Полный текст (PDF)

Ключевые слова: Ж.И. Алфёров, полупроводники, гетеропереходы, двойные лазерные гетероструктуры, Ленинградский электротехнический институт, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, электронная промышленность, волоконно-оптическая связь, Санкт-Петербургский академический университет, Нобелевская премия по физике.

Жорес Иванович Алфёров родился 15 марта 1930 г. в городе Витебске Белорусской ССР. Его родители были убеждёнными коммунистами, и потому своё имя Жорес получил в честь известного французского социалиста, основателя Объединённой социалистической партии Франции Жана Жореса, а старшего брата родители назвали Марксом в честь Карла Маркса. Во время войны семья Алфёровых жила в Свердловской области. Отец, бывший командир кавалерийского полка Красной Армии, работал директором оборонного завода, производящего пороховую целлюлозу.

Старший брат Маркс ушёл добровольцем на фронт в 17 лет прямо со студенческой скамьи. Маркс Алфёров, будучи командиром взвода и роты, воевал под Сталинградом, на Курской дуге, был награждён орденом Красной Звезды и медалью “За отвагу”. В октябре 1943 г. он провёл три дня с семьёй в Свердловске, когда после госпиталя возвращался на фронт. И эти три дня, фронтовые рассказы старшего брата, его страстную юношескую веру в силу науки и инженерной мысли Жорес запомнил на всю жизнь. Маркс Алфёров погиб 15 февраля 1944 г. в бою у деревни Хильки в последние дни Корсунь-Шевченковской операции, похоронен в братской могиле. По словам Жореса Ивановича, сила духа и моральные качества старшего брата оказали большое влияние на формирование его характера: “Он был человеком более талантливым, более целеустремлённым и чистым, чем я”.

После войны семья Алфёровых вернулась в Минск. Там будущий учёный окончил среднюю школу с золотой медалью. Огромную роль в его дальнейшей жизни сыграл учитель физики: “Он перевернул меня, и мне захотелось заниматься физикой и электроникой после того, как он рассказал мне про катодный осциллограф и локацию”. Теперь эта школа носит имя бывшего ученика – Минская гимназия № 42 имени лауреата Нобелевской премии Ж.И. Алфёрова.

По окончании школы Жорес Алфёров один год отучился в Белорусском политехническом институте – решил поступать в Ленинградский электротехнический институт. Его приняли на второй курс факультета электронной техники без экзаменов. В то время институт был одним из передовых вузов в области отечественной электроники и радиотехники. Именно там, начав в 1950 г. экспериментальную работу под руководством Наталии Николаевны Созиной, незадолго до того защитившей диссертацию на тему полупроводниковых фотоприёмников в ИК-области спектра, Алфёров впервые столкнулся с полупроводниками, ставшими главным делом его жизни. В 1952 г. он с отличием окончил ЛЭТИ по специальности “электровакуумная техника”.

В декабре 1952 г. в ЛЭТИ проходило распределение. Жорес Иванович мечтал работать в Ленинградском физико-техническом институте Академии наук СССР (ЛФТИ), которым руководил его основатель – академик Абрам Фёдорович Иоффе и где в разные годы работали академики Игорь Васильевич Курчатов и Юлий Борисович Харитон, нобелевские лауреаты Пётр Леонидович Капица и Лев Давидович Ландау. И Алфёрову повезло, уже 30 января 1953 г. он начал работать в ЛФТИ (впоследствии имени А.Ф. Иоффе). В лаборатории советского физика Владимира Максимовича Тучкевича, ставшего позднее академиком и Героем Социалистического Труда, он занимался разработкой первых советских транзисторов и силовых германиевых приборов. В мае 1953 г. эти транзисторные приёмники демонстрировались “высокому начальству”, а в октябре в Москве работу принимала правительственная комиссия. В очень короткое время в лаборатории профессора В.М. Тучкевича были созданы первые советские германиевые силовые выпрямители, германиевые фотодиоды и кремниевые солнечные батареи, изучалось поведение примесей в германии и кремнии.

В мае 1958 г. к Алфёрову обратился академик Анатолий Петрович Александров с просьбой разработать полупроводниковые устройства для первой советской атомной подводной лодки “Ленинский комсомол”. Для решения этой задачи нужны были принципиально новые технология и конструкция германиевых вентилей. За выполнение этой задачи в 1959 г. Ж.И. Алфёров получил свою первую награду – орден “Знак Почёта”. Тогда же он начал изучать физику полупроводников и гетероструктур.

В 1960 г. Жорес Иванович организовывал передачу на саранский завод “Электровыпрямитель” технологии производства силовых приборов, и в Саранске очень тепло о нём вспоминают. Он работал с белорусскими предприятиями – с “Планаром”, который разрабатывает оборудование для микроэлектронного производства, и другими.

В 1961 г. Жорес Иванович защитил в институте Иоффе кандидатскую диссертацию, посвящённую разработке и исследованию мощных германиевых и частично кремниевых выпрямителей. В 1970 г. он защитил докторскую диссертацию на тему “Гетеропереходы в полупроводниках”, в которой обобщил новый этап исследований в этой области и создал первый в мире гетеролазер на известной теперь всем гетеропаре галлий арсенид – алюминий-галлий арсенид (GaAs –AlGaAs).

Занятия прикладной наукой у Жореса Ивановича шли параллельно с преподавательской работой. В 1972 г. он стал профессором, а через год – заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ при ЛФТИ. Он возглавлял кафедру, на которой преподавали известные учёные, 30 лет. Время создания базовой кафедры совпало с периодом интенсивного развития информационных технологий, базирующихся на достижениях электроники и оптоэлектроники.

Зимой 1971 г. Алфёров отправился в США, когда Франклиновский институт присудил ему медаль Стюарта Баллантайна за теоретические и экспериментальные исследования двойных лазерных гетероструктур, благодаря которым были созданы источники лазерного излучения малых размеров. Этой награды были удостоены многие известные физики, в том числе 11 лауреатов Нобелевской премии. А в 1972 г. он получил Ленинскую премию за фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе.

В 1972 г. Жорес Иванович Алфёров был избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 1979 г. – академиком. В 1990–1991 гг. он занимал пост вице-президента АН СССР, а с 1991 по 2017 г. – вице-президента Российской академии наук.

Как представитель Академии наук СССР Ж.И. Алфёров активно занимался отечественной электронной промышленностью на этапе её становления и развития в 1970–1980-е годы. Он плотно общался не только со всеми советскими министрами электронной промышленности, но и с видными иностранными учёными в этой области. С американским физиком Джоном Бардиным, лауреатом Нобелевской премии за изобретение транзистора совместно с Уильямом Шокли и Уолтером Браттейном, с изобретателем первого полупроводникового светодиода Ником Холоньяком и многими другими.

В 1987 г. Ж.И. Алфёров возглавил Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе и руководил им до 2003 г., оставаясь до 2006 г. председателем учёного совета института. В ФТИ под его руководством была разработана новая конструкция лазеров с использованием технологии гетероструктур с предельным размерным квантованием. Благодаря этому достижению наша страна стала лидером в данной области. В 1988 г. Жорес Иванович стал деканом физико-технического факультета Ленинградского (Санкт-Петербургского) государственного политехнического университета (СПбГПУ).

Ж.И. Алфёров – почётный доктор более 60 университетов мира, автор сотен научных работ, трёх монографий и 50 изобретений. Среди его учеников более 100 кандидатов и докторов наук. Наиболее известные представители его школы члены-корреспонденты РАН Д.З. Гарбузов, Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, А.Е. Жуков, доктора физико-математических наук В.М. Андреев, В.И. Корольков, С.Г. Конников, С.А. Гуревич, Ю.В. Жиляев, П.С. Копьёв.

За свои заслуги Жорес Иванович был избран почётным членом многих российских и иностранных академий, в том числе Национальной академии наук Республики Беларусь, Национальной академии наук Украины, Оптического общества (США). Он – единственный из российских учёных – в 1990 г. стал иностранным членом Национальной академии наук США и иностранным членом Национальной инженерной академии наук США, Академии науки и технологии Кореи, Испанской инженерной академии, национальных академий наук Азербайджана, Казахстана, Литвы и Молдовы, Польской и Болгарской академий наук, Академии наук “Forty” (Италия), Китайской академии наук.

В 2000 г. Шведская королевская академия наук удостоила Жореса Ивановича Алфёрова совместно с немецким физиком Гербертом Кремером Нобелевской премии за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в высокочастотных схемах и оптоэлектронике.

На рубеже тысячелетий стало очевидно, что будущее информационных систем за компактными и быстрыми устройствами, которые позволяют передавать огромное количество информации за короткий промежуток времени. Созданные на базе исследований Алфёрова приборы и устройства буквально произвели научную и социальную революцию. Стало возможным создание волоконно-оптической связи и высокоскоростного доступа в Интернет, а значит, и формирование целых промышленных отраслей. Благодаря исследованиям Жореса Ивановича фактически создано новое научное направление – гетеропереходы в полупроводниках.

Жорес Иванович Алфёров был многогранной личностью и помимо научной работы активно участвовал в общественно-политической деятельности. С 1989 по 1992 г. он был депутатом Верховного совета СССР от Академии наук СССР, с 1995 г. – депутатом Государственной думы Федерального собрания РФ, членом Комитета по образованию и науке. В своей политической деятельности он неизменно отстаивал интересы российской науки и Академии наук.

Любимым детищем Жореса Ивановича был Санкт-Петербургский академический университет – научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ректором-основателем которого он стал в 2002 г. Ранее это учебное заведение было известно как Научно-образовательный центр ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН. В 2009 г. университет был реорганизован путём присоединения к нему Санкт-Петербургского физико-технологического научно-образовательного центра РАН, лицея “Физико-техническая школа” при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе РАН и получил своё современное название. Сегодня университет носит имя своего основателя – Жореса Ивановича Алфёрова. В 2004 г. он организовал и возглавил кафедру физики и технологий наноструктур в Институте физики, нанотехнологий и телекоммуникаций (ИФНиТ) университета. Был научным руководителем ИФНиТ СПбГПУ.

В 2010 г. Жореса Ивановича назначили научным руководителем инновационного центра в Сколково. Как сопредседатель Консультативного научного совета фонда “Сколково” он был инициатором выездных заседаний в Америке, Германии, Израиле, почти во всех странах СНГ. Вот как он сам об этом говорил:

«УспехСколковокак не территории, а идеологии будет связан на самом деле с очень непростым, в том числе и для российских учёных, симбиозом нашей научной общественности, научных работников с бизнесом, с научным бизнесом. Большой успех будет связан только с тем, что мы найдём такие проекты, которые дают возможность выйти на совершенно новые рубежи. Здесь важно сегодня сосредоточиться на медико-биологических исследованиях, в которые очень активно идут информационные, полупроводниковые технологии, наноструктуры».

Жорес Иванович Алфёров имеет множество правительственных и международных наград и премий: он лауреат государственных премий, полный кавалер ордена “За заслуги перед Отечеством”, награждён орденом Ленина, высокими наградами Белоруссии, премиями мировых научных сообществ – Киото, Карпинского, Холоньяка и многими другими знаками отличия.

В 2019 г. Президент Российской Федерации В.В. Путин подписал Указ “Об увековечении памяти Ж.И. Алфёрова”. Отмечая его выдающийся вклад в развитие отечественной и мировой науки, президент поручил учредить 10 персональных стипендий имени Ж.И. Алфёрова для молодых учёных в области физики и нанотехнологий, присвоить имя Ж.И. Алфёрова Санкт-Петербургскому национальному исследовательскому Академическому университету РАН, установить мемориальную доску на доме, где он жил, а также назвать его именем одну из улиц Санкт-Петербурга.

Уход из жизни Жореса Ивановича стал невосполнимой утратой не только для России, но и всего мира. Благодаря его энергии и таланту свершились важные открытия и прорывы в научном знании, создавшие основу современного высокотехнологичного общества. Он был не только выдающимся учёным, но и настоящим Гражданином нашей страны. Он всегда твёрдо отстаивал свои взгляды на всех уровнях, несмотря на то, что они противоречили официальной позиции власти, правительства. Жорес Иванович понимал, что это неизбежно создаст ему проблемы, но иначе поступить просто не мог, не мог пойти против своих убеждений. Именно таких людей нам сегодня очень не хватает.

Дополнительные материалы отсутствуют.