1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Вестник Военного инновационного технополиса «ЭРА»
  4. T. 4, № 3, 2023

Вестник Военного инновационного технополиса «ЭРА», 2023, T. 4, № 3, стр. 269-272

Характеристики транзисторов на основе гетероструктур нитрида галлия на пластинах кремния с эпитаксиальным слоем высокоомного кремния

И. С. Езубченко 1, *, А. А. Андреев 1, М. Я. Черных 1, И. В. Куликов 1, Д. А. Мамичев 1, Ю. В. Грищенко 1, П. А. Перминов 1, И. А. Черных 1, М. Л. Занавескин 1, С. Д. Федотов 2, Е. М. Соколов 2, В. Н. Стаценко 2

1 Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Москва, Россия

2 Акционерное общество “Эпиэл”
Зеленоград, Москва, Россия

* E-mail: ezivan9@gmail.com

Поступила в редакцию 27.09.2023
После доработки 27.09.2023
Принята к публикации 05.10.2023

Аннотация

На AlN/GaN-гетероструктурах на пластинах кремния с эпитаксиально дорощенным слоем высокоомного кремния созданы транзисторы с топологической нормой затвора 0.1–0.25 мкм и исследованы их характеристики. Транзисторы характеризуются значением максимального тока насыщения выше 1.1 А/мм и крутизной передаточной характеристики более 350 мСм/мм. Переход MSG/MAG располагается на частотах 20, 37.5 и более 40 ГГц при коэффициенте усиления на частоте 10 ГГц, равном 15.63, 15.92 и 16.55 дБ для транзисторов с длиной затвора 250, 150 и 100 нм соответственно. Потери СВЧ-сигнала на частоте 30 ГГц составили 0.89 дБ/мм.

Список литературы

  1. Zhong Y., Zhang J., Wu S. et al. // Fundam. Res. 2022. V. 2. P. 462. https://doi.org/10.1016/j.fmre.2021.11.028

  2. Neininger P., Mikulla M., Doring P. et al. // e-Prime – Advances in Electrical Engineering, Electronics and Energy. 2023. V. 4. P. 100177. https://doi.org/10.1016/j.prime.2023.100177

  3. Then H.W., Dasgupta S., Radosavljevic M. et al. // IEEE Int. Electron Devices Meeting Tech. Dig., 2019, San Francisco, CA, USA, 07–11 December 2019. https://doi.org/10.1109/IEDM19573.2019.8993583

  4. Волков А.С., Дементьев В.Б., Люблин В.В. Пат. 2606809 Российская Федерация, МПК H01L21/20. Cпособ изготовления кремниевой эпитаксиальной структуры. Заявитель и патентообладатель Акционерное общество “Эпиэл”. № 2015142243, заявл. 06.10.2015, опубл. 10.01.2017, Бюл. № 1.

  5. Федотов С.Д., Лундин В.В., Заварин Е.Е. и др. // Наноиндустрия. 2020. Т. 13. № S 5–1 (102). С. 209. https://doi.org/10.22184/1993-8578.2020.13.5s.209.212

  6. Федотов С.Д., Лундин В.В., Заварин Е.Е. и др. // Наноиндустрия. 2021. Т. 14. № S7–14 (107), С. 197. https://doi.org/10.22184/1993-8578.2021.14.7s.197.200

  7. Huang T., Liu C., Bergsten J. et al. // Proc. 2016 Compound Semiconductor Week (CSW). Toyama, Japan. 2016. P. 1. https://doi.org/10.1109/ICIPRM.2016.7528722

  8. Guo H.-Y., Lv Y.-J., Gu G.-D. et al. // Chinese Phys. Lett. 2015. V. 32. № 11. P. 118501. https://doi.org/10.1088/0256-307x/32/11/118501

  9. Saadaoui S., Fathallah O., Maaref H. // J. Phys. Chem. Solids. 2022. V. 161. P. 110418. https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2021.110418

  10. Liu J., Zhu J., Mi M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2022. V. 120. P. 052101. https://doi.org/10.1063/5.0080120

  11. Harrouche K., Kabouche R., Okada E. et al. // 2020 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS). Los Angeles, CA, USA, 04–06 August 2020. https://doi.org/10.1109/IMS30576.2020.9223971

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Вестник Военного инновационного технополиса «ЭРА»

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал