Химия высоких энергий, 2023, T. 57, № 2, стр. 144-148
Влияние состава смеси на электрофизические параметры и спектры излучения плазмы тетрафторметана и трифторметана с азотом
С. А. Пивоваренок a, *, Д. Б. Мурин a, А. Ю. Граждян a
a Ивановский государственный химико-технологический университет
153000 Иваново, просп. Шереметевский, 7, Россия
* E-mail: sap@isuct.ru
Поступила в редакцию 14.09.2022
После доработки 08.11.2022
Принята к публикации 10.11.2022
- EDN: NGWHZG
- DOI: 10.31857/S0023119323020080
Полные тексты статей выпуска доступны в ознакомительном режиме только авторизованным пользователям.
Аннотация
Проведен анализ влияния состава смеси на электрофизические параметры и спектры излучения плазмы смесей тетрафторметана и трифторметана с азотом в условиях тлеющего разряда постоянного тока. Установлено, что приведенная напряженность электрического поля нелинейно изменяется с увеличением доли второго газа в обеих смесях. Показано, что при доле азота 0.2 в смеси CF4/N2 приведенная интенсивность излучения атомарного фтора проходит через максимум, а в смеси CHF3/N2 наблюдается монотонное изменение данной зависимости. Приведенные интенсивности излучения радикалов CF2 монотонно уменьшаются с ростом доли азота в обеих смесях.
Полные тексты статей выпуска доступны в ознакомительном режиме только авторизованным пользователям.
Список литературы
Ситанов Д.В., Пивоваренок С.А. // Химия высоких энергий. 2017. Т. 51. № 4. С. 307.
Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Ефремов А.М. и др. // Нанотехника. 2011. № 1 (25). С. 69.
Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И. и др. // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2013. Т. 56. № 8. С. 41.
Мурин Д.Б., Ефремов А.М., Светцов В.И. и др. // Известия высших учебных заведений. Серия: Химия и химическая технология. 2013. Т. 56. № 4. С. 29.
Пивоваренок С.А., Бакшина П.И. // Химия высоких энергий. 2021. Т. 55. № 3. С. 231.
Пивоваренок С.А., Дунаев А.В., Мурин Д.Б. // Микроэлектроника. 2016. Т. 45. № 5. С. 374.
Дунаев А.В., Мурин Д.Б., Пивоваренок С.А. // Физика и техника полупроводников. 2016. Т. 50. № 2. С. 167.
Pivovarenok S.A., Dunaev A.V., Murin D.B. et al. // High Temperature. 2011. V. 49. № 4. P. 491.
Advanced plasma processing technology. New York: John Wiley & Sons Inc. 2008. 479 p.
Nojiri K. Dry etching technology for semiconductors. Tokyo: Springer Internat. Publ. 2015. 116 p.
Lieberman M.A., Lichtenberg A.J. Principles of plasma discharges and materials processing. New York: John Wiley & Sons Inc. 2005. 730 p.
Gaboriau F., Cartry G., Peignon M-C. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. V. 20. P. 1514.
Пивоваренок С.А., Мурин Д.Б. // Химия высоких энергий. 2022. Т. 56. № 3. С. 223.
Рохлин Г.Н. Разрядные источники света. 2-е изд.; перераб. и доп. М.: Энергоатомиздат, 1991. 720 с.
Иванов Ю.А., Лебедев Ю.А., Полак Л.К. Методы контактной диагностики в неравновесной плазмохимии. М.: Наука. 1981. 143 с.
Pearse R.W.B., Gaydon A.G. The identification of molecular spectra. Ed. 4th. New York: John Wiley & Sons, Inc. 1976. 407 p.
Стриганов А.Р., Свентицкий Н.С. Таблицы спектральных линий нейтральных и ионизированных атомов. М.: Атомиздат., 1966. 899 с.
Proshina O., Rakhimova T.V., Zotovich A. et al. // Plasma Sources Sci. Technol. 2017. V. 26. P. 075005.
Sugawara H., Ishihara Y., Saito R. et al. // Proc. of 27th ICPIG. (Eindhoven, The Netherlands), 2005. P. 18.
Abouaf R., Teillet-Bill D. // Chem. Phys. Lett. 1980. V. 73. № 1. P. 106.
Gallup G.A., Xu Y., Fabrikant I.I. // Phys. Rev. A. 1998. V. 57. № 4. P. 2596.
Ho P., Johannes J.E., Buss R.J. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2001. V. 19. № 5. P. 2344.
Bose D., Rao M.V.V.S., Govindan T.R. et al. // Plasma Sources Sci. Technol. 2003. V. 12. P. 225.
Пивоваренок С.А. // Микроэлектроника. 2019. Т. 48. № 4. С. 279.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Химия высоких энергий