Микроэлектроника
Содержание
Том 49, Номер 2, 2020
КВАНТОВЫЕ КОМПЬЮТЕРЫ
- Квантовый чип с оптимизированной туннельной структурой для измерения зарядового кубита на двойной квантовой точке
А. В. Цуканов, И. Ю. Катеев - 83-100
ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
- Особенности кинетики реактивно-ионного травления SiO2 в фтор-, хлор- и бром-содержащей плазме
А. М. Ефремов, Д. Б. Мурин, В. Б. Бетелин, K.-H. Kwon - 101-110
РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ
- Исследование дефектообразования при облучении кремния γ-квантами
М. А. Сауров, С. В. Булярский, А. В. Лакалин - 111-115
МОДЕЛИРОВАНИЕ
- Моделирование процессов электронно-лучевой литографии
А. Е. Рогожин, Ф. А. Сидоров - 116-132
ПРИБОРЫ
- Термоэлектрическое охлаждение теплонагруженных элементов электроники
Е. Н. Васильев - 133-141
СПИНТРОНИКА
- Преобразователи магнитного поля на основе спин-туннельного магниторезистивного эффекта
Д. В. Васильев, Д. В. Костюк, Е. П. Орлов, Д. А. Жуков, Ю. В. Казаков, В. В. Амеличев, П. А. Беляков - 142-148
СХЕМОТЕХНИКА
- Синтез энергоэффективных схем триггеров на основе последовательно-параллельных структур МОП-транзисторов
А. А. Кулакова, Е. Б. Лукьяненко - 149-155
ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ПОКАЗАТЕЛИ СТОЙКОСТИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
- Влияние режима работы портов ввода-вывода сложно-функциональных устройств на показатели импульсной электрической прочности изделия
А. Н. Шемонаев, К. А. Епифанцев, П. К. Скоробогатов - 156-160
Информация о выпуске
- Всего статей8
- Страницы83-160
Микроэлектроника