Микроэлектроника

Содержание

Том 49, Номер 6, 2020

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Кинетика и механизмы реактивно-ионного травления Si и SiO₂ в плазме смеси HBr + O₂
А. М. Ефремов, В. Б. Бетелин, K.-H. Kwon

Информация о статьеПолный текст (PDF)

403-408

Технология наноразмерных слоев металлов для формирования надежного контакта к стоковой области кремниевых транзисторов
Т. А. Исмаилов, А. Р. Шахмаева, Б. А. Шангереева

Информация о статьеПолный текст (PDF)

409-412

Термическое атомно-слоевoе осаждение TiN_x с использованием TiCl₄ и N₂H₄
А. И. Абдулагатов, М. Х. Рабаданов, И. М. Абдулагатов

Информация о статьеПолный текст (PDF)

413-428

ПРИБОРЫ

СВЧ характеристики усилителей на наногетероструктурах нитрида галлия в диапазоне частот 80–100 ГГц
Д. Л. Гнатюк, Р. Р. Галиев, А. В. Зуев, С. Л. Крапухина, М. В. Майтама, П. П. Мальцев, О. С. Матвеенко, Ю. В. Федоров

Информация о статьеПолный текст (PDF)

429-435

Инжекционный диффузионно-дрейфовый формирователь импульсов
Д. С. Гаев, С. Ш. Рехвиашвили

Информация о статьеПолный текст (PDF)

436-441

МАТЕРИАЛЫ

Аморфизация оксидов ванадия при обратимом внедрении лития
А. М. Скундин, А. А. Мироненко, А. С. Рудый, И. С. Федоров, С. В. Васильев, Л. А. Мазалецкий, Ю. С. Торцева, О. Е. Кузнецов

Информация о статьеПолный текст (PDF)

442-449

Влияние точечных дефектов на скорость электромиграции по границе соединенных материалов
Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев

Информация о статьеПолный текст (PDF)

450-458

МОДЕЛИРОВАНИЕ

Концепция пятен для задач искусственного интеллекта и алгоритмов нейроморфных систем
Н. А. Симонов

Информация о статьеПолный текст (PDF)

459-473

Моделирование нормально закрытого HEMT транзистора на оcнове GaN/AlGaN с p-затвором
В. И. Егоркин, В. Е. Земляков, В. В. Капаев, О. Б. Кухтяева

Информация о статьеПолный текст (PDF)

474-480

Информация о выпуске

Микроэлектроника