Микроэлектроника
Содержание
Том 50, Номер 1, 2021
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
- Влияние условий нанесения и ионно-плазменной обработки тонких пленок кобальта на их электросопротивление
И. И. Амиров, Р. В. Селюков, В. В. Наумов, Е. С. Горлачев - 3-9
- Металлизация переходных отверстий в кремниевых пластинах для создания трехмерных микроструктур
А. И. Воробьева, В. А. Лабунов, Е. А. Уткина, Д. В. Грапов - 10-20
- Влияние растекания резиста при его сухом электронно-лучевом травлении на латеральное разрешение
А. Г. Исаев, Ф. А. Сидоров, А. Е. Рогожин - 21-26
- Кинетика объемных и гетерогенных процессов в плазме смеси C4F8 + O2 + Ar
А. М. Ефремов, Д. Б. Мурин, А. М. Соболев, K.-H. Kwon - 27-35
- Модификация пленок диазохинон-новолачного фоторезиста имплантацией ионов сурьмы
С. Д. Бринкевич, Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович - 36-42
- Влияние состава смеси на электрофизические параметры и спектры излучения плазмы хлороводорода с хлором и гелием
С. А. Пивоваренок, Д. Б. Мурин, Д. В. Ситанов - 43-48
МАТЕРИАЛЫ
- Экспериментальное исследование влияния пористости тонкопленочных анодов на основе кремния на их зарядно-разрядные характеристики
Т. Л. Кулова, Л. А. Мазалецкий, А. А. Мироненко, А. С. Рудый, А. М. Скундин, Ю. С. Торцева, И. С. Федоров - 49-57
МОДЕЛИРОВАНИЕ
- Численное моделирование криогенного травления: модель с отложенной десорбцией
М. К. Руденко, А. В. Мяконьких, В. Ф. Лукичев - 58-67
ПРИБОРЫ
- Влияние технологических примесей на электрофизические параметры МОП-транзистора
В. Б. Оджаев, А. Н. Петлицкий, В. С. Просолович, В. А. Филипеня, В. Ю. Явид, Ю. Н. Янковский - 68-73
- Прецессия доменной стенки в узком магнитном нанопроводе
О. С. Трушин, Н. И. Барабанова - 74-79
- Вниманию авторов
- 80-80
Информация о выпуске
- Всего статей11
- Страницы3-80
Микроэлектроника
Пн.-пт.: 10.00-19.00