Микроэлектроника
Содержание
Том 51, Номер 3, 2022
ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
- Зависимость рентгеночувствительности монокристаллов AgGaS2 по граням (001) и (100) от дозы и жесткости излучения
С. М. Асадов, С. Н. Мустафаева, Д. Т. Гусейнов, К. И. Келбалиев, В. Ф. Лукичев - 163-171
- Наноразмерная модификация поверхности кремния методом фокусированных ионных пучков
И. Н. Коц, В. В. Полякова, Ю. В. Морозова, А. С. Коломийцев, В. С. Климин, О. А. Агеев - 172-179
- Технология получения контактов Шоттки на основе композита IRSI–SI
Х. С. Алиев, Э. А. Керимов - 180-184
- Структурирование кремния в высокочастотном разряде фреона R-23
А. В. Дунаев, Д. Б. Мурин - 185-189
- Влияние мощности разряда в плазме при реактивно-ионном травлении массивных подложек на согласование нижнего электрода с высокочастотным генератором смещения
С. Д. Полетаев - 190-194
ПРИБОРЫ
- Монолитные интегральные схемы на основе нитрида галлия для радиолокации ближнего действия и средств связи в диапазоне частот 22–25 ГГц
О. С. Матвеенко, Д. Л. Гнатюк, А. С. Бугаев, А. Ю. Павлов, С. А. Гамкрелидзе, Р. Р. Галиев, А. В. Зуев, Ю. В. Федоров, Д. В. Лаврухин, А. О. Михалев, Н. К. Зенченко - 195-201
- Высоковольтный КМОП преобразователь уровня напряжения для низковольтового технологического процесса
В. В. Шубин - 202-211
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
- Электрофизические параметры и спектры излучения тлеющего разряда постоянного тока в среде фреона R-23
Д. Б. Мурин, С. А. Пивоваренок, А. А. Малюгин, А. В. Бобылев - 212-217
МОДЕЛИРОВАНИЕ
- Влияние анизотропии изоэнергетической поверхности на электропроводность и постоянную Холла для тонкой полупроводниковой пленки
П. А. Кузнецов, С. Б. Московский, Д. Н. Романов - 218-229
МЕТРОЛОГИЯ
- Сбор заряда КМОП транзисторами с треков одиночных частиц, проходящих через слой мелкой траншейной изоляции
В. Я. Стенин, Ю. В. Катунин - 230-240
Информация о выпуске
- Всего статей10
- Страницы163-240
Микроэлектроника