Микроэлектроника
Содержание
Том 51, Номер 4, 2022
ДИАГНОСТИКА
- Применение метода регуляризации Тихонова в задачах эллипсометической порометрии low-k диэлектриков
Р. А. Гайдукасов, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко - 243-254
- Применение методов, используемых при интерпретации спектров электронной спектроскопии, к расшифровке сигналов ионной спектроскопии
В. П. Афанасьев, Л. Г. Лобанова - 255-264
МОДЕЛИРОВАНИЕ
- Моделирование кремниевых цилиндрических с полностью охватывающим затвором КМОП нанотранзисторов с переменным радиусом рабочей области
Н. В. Масальский - 265-271
- Моделирование методом конечных элементов устройств на поверхностных акустических волнах с использованием пакета COMSOL
А. С. Койгеров, А. В. Корляков - 272-282
ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
- Формирования наноразмерных структур на поверхности кремния комбинацией методов фокусированных ионных пучков и плазмохимического травления
В. С. Климин, Ю. В. Морозова, И. Н. Коц, З. Е. Вакулов, О. А. Агеев - 283-290
- Плазмохимическое и реактивно-ионное травление кремния в среде тетрафторметана с аргоном
Д. Б. Мурин, С. А. Пивоваренок, А. С. Козин - 291-295
- Параметры плазмы и кинетика реактивно-ионного травления кремния в смеси C6F12O + Ar
А. М. Ефремов, В. Б. Бетелин, K.-H. Kwon - 296-303
ПРИБОРЫ
- О механизме образования проводящей среды в мемристорах на основе электроформованных открытых “сэндвич”-МДМ-структур
В. М. Мордвинцев, Е. С. Горлачев, С. Е. Кудрявцев - 304-312
Информация о выпуске
- Всего статей9
- Страницы243-320
Микроэлектроника