Микроэлектроника

Содержание

Том 51, Номер 6, 2022

 

ДИАГНОСТИКА
Спектральный контроль процесса травления меди в высокочастотной плазме дифтордихлорметана
Д. Б. Мурин, С. А. Пивоваренок, А. В. Дунаев, И. А. Чесноков, И. А. Гогулев
403-411
КВАНТОВЫЕ СЕНСОРЫ
Схема детектирования электрона с помощью туннельной структуры из четырех квантовых точек с асимметрией параметров
А. В. Цуканов
412-422
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРИБОРОВ
Методика итерационного уточнения значений параметров в аналитических моделях микроэлектронных устройств на основе интегральных моп-транзисторов
А. С. Синюкин, А. В. Ковалев
423-428
МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ
Моделирование адсорбции золота на поверхность дефектного графена
М. М. Асадов, С. О. Маммадова, С. С. Гусейнова, С. Н. Мустафаева, В. Ф. Лукичев
429-442
Влияние решеточных дефектов на электромиграционную неустойчивость границы соединенных проводящих материалов
Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев
443-451
ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Лазерное плазмохимическое травление поликристаллического алмаза и монокристаллического сапфира
С. В. Редькин, П. П. Мальцев, В. С. Кондратенко, Н. А. Юзеева
452-456
ПРИБОРЫ
Компьютерный анализ резистивных переключений в структуре на основе микрокристалла селенида висмута
В. В. Сироткин, А. В. Зотов, В. А. Тулин
457-465
Магнитооптические свойства многослойных структур на основе кобальта и металлов группы хрома для разработки элементов магнитной памяти
А. В. Проказников, В. А. Папорков, Р. В. Селюков, С. В. Васильев, О. В. Савенко
466-477
ТЕХНОЛОГИЯ
Диэлектрический барьер в субтрактивном процессе формирования системы медной металлизации
А. А. Орлов, А. А. Резванов, В. А. Гвоздев, Г. А. Орлов, Д. С. Серегин, П. И. Кузнецов, Т. Блумберг, А. А. Веселов, Т. Сузуки, Е. Н. Морозов, К. А. Воротилов
478-487
Влияние ионно-плазменной обработки на фазовый состав и электросопротивление пленок вольфрама нанометровой толщины
Р. В. Селюков, И. И. Амиров, В. В. Наумов
488-496
О влиянии состава смеси Cl2 + O2 + Ar на концентрации атомов хлора и кислорода в плазме
И. И. Амиров, М. О. Изюмов, А. М. Ефремов
497-504
Особенности кинетики гетерогенных процессов при травлении кремния в плазме CF4 и C2Br2F4
А. В. Мяконьких, В. О. Кузьменко, А. М. Ефремов, К. В. Руденко
505-512

Информация о выпуске

  • Всего статей
    12
  • Страницы
    403-512

Микроэлектроника