Микроэлектроника

Содержание

Том 52, Номер 1, 2023

Дата выхода: 15.03.23

ДИАГНОСТИКА

Контроль параметров травления кремния в вч плазме CHF₃ методом оптической эмиссионной спектроскопии
Д. Б. Мурин, И. А. Чесноков, С. А. Пивоваренок, А. М. Ефремов

Информация о статьеПолный текст (PDF)

3-10

Электрофизические характеристики и эмиссионные спектры плазмы тетрафторметана
Д. Б. Мурин, С. А. Пивоваренок, И. А. Чесноков, И. А. Гогулев

Информация о статьеПолный текст (PDF)

11-19

Искусственный интеллект

Искусственный интеллект никогда не заменит полностью человека
И. И. Абрамов

Информация о статьеПолный текст (PDF)

20-31

Моделирование приборов

Расчет напряженности электрического поля и плотности тока внутри тонкого металлического слоя с учетом скин-эффекта
Э. В. Завитаев, О. В. Русаков, Е. П. Чухлеб

Информация о статьеПолный текст (PDF)

32-45

Моделирование технологических процессов

Моделирование дефектной структуры суперъячейки и явления переноса в TlInTe₂
М. М. Асадов, С. Н. Мустафаева, С. С. Гусейнова, В. Ф. Лукичев

Информация о статьеПолный текст (PDF)

46-57

Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора
В. В. Локотко, И. С. Васильевский, Н. И. Каргин

Информация о статьеПолный текст (PDF)

58-67

Приборы

Исследование фотоприемников с барьерами Шоттки на основе контакта IRSI–SI
Э. А. Керимов

Информация о статьеПолный текст (PDF)

68-70

Контактно-транспортные и автоэмиссионные свойства низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур
Р. К. Яфаров, Н. О. Шабунин

Информация о статьеПолный текст (PDF)

71-76

Технология

Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO₂ в плазме CF₄/C₄F₈/Ar/He
А. М. Ефремов, K.-H. Kwon

Информация о статьеПолный текст (PDF)

77-84

Информация о выпуске

Микроэлектроника