Кристаллография, 2023, T. 68, № 5, стр. 832-840

Влияние взаимодействия компонент на фазовые переходы и диэлектрические свойства сегнетоэлектрических композитов

А. С. Сидоркин 1*, Б. М. Даринский 1, С. Д. Миловидова 1, Л. Н. Коротков 2, Г. С. Григорян 1

1 Воронежский государственный университет
Воронеж, Россия

2 Воронежский государственный технический университет
Воронеж, Россия

* E-mail: sidorkin@phys.vsu.ru

Поступила в редакцию 27.12.2022
После доработки 07.02.2023
Принята к публикации 10.02.2023

Аннотация

Обсуждаются диэлектрические свойства сегнетоэлектрических композитов и особенности протекания фазовых переходов в них в сравнении с внедряемыми в исследуемые композиты однородными сегнетоэлектриками. В качестве внедряемых в диэлектрическую матрицу сегнетоэлектриков рассматриваются триглицинсульфат, монокристаллы группы дигидрофосфата калия, нитрит натрия и перовскитоподобные материалы. Выявляются и обсуждаются факторы, изменяющие температурный интервал существования полярной фазы в рассматриваемых сегнетоэлектрических композитах. Кратко описаны результаты проведенных в этой области исследований. Работы с материалами, используемыми в качестве сегнетоэлектрических внедрений в указанных композитах, проводились в содружестве и под руководством Льва Александровича Шувалова.

Список литературы

  1. Wang F.J., Jing L., Wang J.F. // J. Phys. D. 2022. V. 55. P. 303002. https://doi.org/10.1088/1361-6463/ac5e8b

  2. Kutnjak Z., Vodopivec B., Blinc R. // J. Chem. Phys. 2005. V. 123. P. 084708. https://doi.org/10.1063/1.2007687

  3. Rysiakiewicz-Pasek E., Poprawski R., Polanska J. // J. Non-Crystalline Solids. 2006. V. 352. P. 4309. https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2006.07.026

  4. Sherman V.O., Tagantsev A.K., Setter Nava // J. Appl. Phys. 2006. V. 99. P. 074104. https://doi.org/10.1063/1.2186004

  5. Mikhaleva E.A., Flerov I.N., Kartashev A.V. // Ferroelectrics. 2017. V. 513. P. 44. https://doi.org/10.1080/00150193.2017.1350436

  6. Darinskii B.M., Sidorkin A.S., Sigov A.S., Popravko N.G. // Materials. 2018. V. 11. P. 85. https://doi.org/10.3390/11010085

  7. Nguyen H.T., Sidorkin A.S., Milovidova S.D., Sumets M. // Appl. Nanosci. 2020. V. 10. P. 499. https://doi.org/10.1007/s13204-019-01131-0

  8. Milovidova S.D., Sidorkin A.S., Rogazinskaya O.V., Vorotnikov E.V. // Ferroelectrics. 2016. V. 497. P. 69. https://doi.org/10.1080/00150193.2016.1162620

  9. Поправко Н.Г., Сидоркин А.С., Миловидова С.Д., Рогазинская О.В. // ФТТ. 2015. Т. 57. С. 510.

  10. Nguyen H.T., Sidorkin A.S., Milovidova S.D., Roga-zinskaya O.V. // Ferroelectrics. 2016. V. 498. P. 27. https://doi.org/10.1080/00150193.2016.1166835

  11. Nguyen H.T., Sidorkin A.S., Milovidova S.D., Roga-zinskaya O.V. // Ferroelectrics. 2017. V. 512. P. 71. https://doi.org/10.1080/00150193.2017.1349900

  12. Mai B.D., Nguyen H.T., Ta D.H. // Ferroelectrics. 2019. V. 543. P. 175. https://doi.org/10.1080/00150193.2019.1592431

  13. Mai B.D., Nguyen H.T. // Transactions. 2019. V. 60. P. 1902.

  14. Azovtsev A.V., Pertsev N.A. // J. Appl. Phys. 2016. V. 120. P. 214103. https://doi.org/10.1063/1.4969048

  15. Kinka M., Banys Ju., Naberezhnov A. // Ferroelectrics. 2007. V. 348. P. 67. https://doi.org/10.1080/00150190701196161

  16. Colla E.V., Koroleva E.Yu., Kumzerov W.A. // Ferroelectrics Let. Sect. 1996. V. 20. P. 143. https://doi.org/10.1080/07315179608204732

  17. Барышников С.В., Чарная Е.В., Стукова Е.В. // ФТТ. 2010. Т. 52. С. 1347.

  18. Барышников С.В., Чарная Е.В., Шацкая Ю.А. // ФТТ. 2011. Т. 53. С. 1146.

  19. Караева О.А., Коротков Л.Н., Набережнов А.А., Rysiakiewicz-Pasek E. // ФТТ. 2009. Т. 51. С. 1304.

  20. Барышников С.В., Стукова Е.В., Чарная Е.В. // ФТТ. 2006. Т. 48. С. 551.

  21. Tarnavich V.V., Sidorkin A.S., Korotkova T.N. // Crystals. 2019. V. 9. P. 593. https://doi.org/10.3390/cryst9110593

  22. Darinskii B.M., Sidorkin A.S. // AIP Adv. 2017. V. 7. P. 035019. https://doi.org/10.1063/1.4979505

Дополнительные материалы отсутствуют.