1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Кристаллография
  4. T. 68, № 5, 2023

Кристаллография, 2023, T. 68, № 5, стр. 826-831

Диэлектрическая релаксация в наносегнетоэлектрике с несоразмерной фазой Rb2ZnCl4

Л. Н. Коротков 1, *, Л. С. Стекленева 2, М. А. Панкова 3, А. И. Бочаров 1, Е. Рысиакевич-Пасек 4

1 Воронежский государственный технический университет
Воронеж, Россия

2 ВУНЦ ВВС “Военно-воздушная академия им. профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина”
Воронеж, Россия

3 Воронежский институт Министерства внутренних дел Российской Федерации
Воронеж, Россия

4 Вроцлавский университет науки и техники
Вроцлав, Польша

* E-mail: l_korotkov@mail.ru

Поступила в редакцию 11.01.2023
После доработки 14.02.2023
Принята к публикации 14.02.2023

Аннотация

В интервале температур 100–350 К на частотах 5–500 кГц изучены диэлектрические свойства композиционного материала, полученного внедрением соли сегнетоэлектрика Rb2ZnCl4 в пористую стеклянную матрицу со средним размером сквозных пор ~46 нм. Обнаружено увеличение глубины дисперсии диэлектрической проницаемости Δε при охлаждении образца, обусловленное повышением концентрации релаксаторов и ростом значения их дипольного момента. Анализ особенностей диэлектрического отклика показал, что в сегнетоэлектрической фазе частиц Rb2ZnCl4 формируется доменная структура, подвижность которой вблизи температуры замораживания Tf подчиняется эмпирическому соотношению Фогеля–Фулчера.

Список литературы

  1. Шувалов Л.А., Гриднев С.А., Прасолов Б.Н., Санников В.Г. // ФТТ. 1984. Т. 26. Вып. 1. С. 272.

  2. Шувалов Л.А., Гриднев С.А., Прасолов Б.Н., Горбатенко В.В. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1990. Т. 54. № 4. С. 726.

  3. Шувалов Л.А., Гриднев С.А., Прасолов Б.Н., Санников В.Г. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1987. Т. 15. № 12. С. 2229.

  4. Шувалов Л.А., Гриднев С.А., Прасолов Б.Н., Санников В.Г. // ФТТ. 1988. Т. 30. Вып. 2. С. 620.

  5. Gridnev S.A., Shuvalov L.A., Gorbatenko V.V., Prasolov B.N. // Ferroelectrics. 1993. V. 140. P. 145. https://doi.org/10.1080/00150199308008277

  6. Cummins H.Z. // Phys. Rep. (Rev. Phys. Lett.). 1990. 185. № 5–6. P. 211. https://doi.org/10.1016/0370-1573(90)90058-a

  7. Janovec V., Godfroy G., Godfroy L.R. // Ferroelectrics. 1984. V. 53. P. 333. https://doi.org/10.1080/00150198408245081

  8. Hirotsu S.H., Toyta K., Hamano K. // J. Phys. Soc. Jpn. 1979. V. 46. P. 1389. https://doi.org/10.1143/JPSJ.46.1389

  9. Струков Б.А., Белов А.А., Горшков С.Н., Кожевников М.Ю. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1991. Т. 55. № 3. С. 470.

  10. Гриднев С.А., Горбатенко В.В., Прасолов Б.Н. // Кристаллография. 1997. Т. 42. № 4. С. 730.

  11. Коротков Л.Н., Стекленева Л.С., Флеров И.Н. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 9. С. 1182. https://doi.org/10.1134/s0367676519090138

  12. Стекленева Л.С., Брянская А.А., Панкова М.А. и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2022. Т. 24. № 3. С. 362. https://doi.org/10.17308/kcmf.2022.24/9859

  13. Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков: учеб. пособие для вузов. Киев: Вища школа. Головное изд-во, 1980. 400 с.

  14. Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах. М.: ФИЗМАТЛИТ, 2000. 239 с.

  15. Schmidt V.H., Bohannan G., Arbogast D., Tuthill G. // J. Phys. Chem. Solids. 2000. № 61. P. 283. https://doi.org/10.1016/S0022-3697(99)00294-2

  16. Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986. 556 с.

  17. Горбатенко В.В. “Динамика доменных границ и солитонов в сегнегоэлектрическом кристалле Rb2ZnCl4” Дисс. … канд. физ.-мат. наук. Воронеж: ВГТУ, 1994.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Кристаллография

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал