Микроэлектроника

Содержание

Том 48, Номер 6, 2019

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ

Создание и развитие ионно-лучевых технологий
Ю. П. Маишев

Информация о статьеПолный текст (PDF)

403-420

Параметры плазмы и механизмы травления кремния в смеси CF₄ + CHF₃ + O₂
А. М. Ефремов, Д. Б. Мурин, K.-H. Kwon

Информация о статьеПолный текст (PDF)

421-429

МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

Моделирование влияния структуры межзеренной границы на эффективные заряды ионов в процессах электромиграции
Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев

Информация о статьеПолный текст (PDF)

430-438

Моделирование сбора заряда с трека ионизирующей частицы в КМОП триггерных элементах повышенной сбоеустойчивости
В. Я. Стенин, Ю. В. Катунин

Информация о статьеПолный текст (PDF)

439-451

Моделирование характеристик КМОП нанотранзистора с полностью охватывающим затвором и неравномерно легированной рабочей областью
Н. В. Масальский

Информация о статьеПолный текст (PDF)

452-459

ДИАГНОСТИКА

Влияние давления кислорода на процесс окисления поверхности нитрида титана в плазме
В. М. Мордвинцев, В. В. Наумов, С. Г. Симакин

Информация о статьеПолный текст (PDF)

460-466

ВЛИЯНИЕ УСЛОВИЙ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА ПОКАЗАТЕЛИ СТОЙКОСТИ ИЗДЕЛИЙ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ

Оценка влияния электрического режима при облучении (активный и пассивный) на дозовую стойкость микросхем
О. А. Калашников

Информация о статьеПолный текст (PDF)

467-473

Метод определения наиболее чувствительной области кристалла оптрона при дозовом воздействии с помощью рентгеновского источника
М. Е. Черняк, Е. В. Раннева, А. В. Уланова, А. Ю. Никифоров, А. И. Верижников, А. М. Цырлов, В. С. Федосов, А. Н. Щепанов, В. Д. Калашников, Д. О. Титовец

Информация о статьеПолный текст (PDF)

474-480

Информация о выпуске

Микроэлектроника