Журнал физической химии, 2020, T. 94, № 6, стр. 951-955

Влияние ограниченности объема системы на критическую температуру упорядочения бинарной системы А0.5В0.5 в модели решеточного газа

Е. С. Зайцева a, Ю. К. Товбин a*

a Российская академия наук, Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова
Москва, 119991, Россия

* E-mail: tovbinyk@mail.ru

Поступила в редакцию 30.08.2018
После доработки 30.08.2019
Принята к публикации 17.09.2019

Полный текст (PDF)

Аннотация

Рассмотрено влияние ограниченности кубического объема на критическую температуру упорядочения, соответствующую регулярной структуре бинарной системы А0.5В0.5. Использована молекулярная теория на основе модели решеточного газа, которая традиционно применяется для описания упорядоченного состояния компонентов сплавов и адсорбатов. Предположено, что вблизи границы куба есть внешнее поле, которое меняет характер распределения компонентов системы по сравнению с их распределением в объеме фазы и делает общую систему неоднородной. Получена зависимость понижения критической температуры упорядочения при уменьшении стороны куба и увеличения доли вклада приграничных областей домена в общую неоднородную систему. Обсуждена роль стенок доменов в родственных ситуациях: магнетиках и сегнетоэлектриках.

Ключевые слова: молекулярно-статистическая теория, модель решеточного газа, бинарные системы, малые системы, размерный фактор, критическая температура упорядочения

Вопрос о влиянии ограниченности объема системы на фазовые переходы привлекает постоянное внимание. По мере уменьшения размеров системы начинают проявляться дискретные свойства молекул, и уравнения классической термодинамики нарушаются [110]. Это положение известно с работы Гиббса по статистической механике [1], но влияние ограниченности объема системы на ее термодинамическое состояние практически не изучалось. Основное внимание было уделено “малым телам”, окруженным макроскопической средой. В малых телах поверхность вносит заметную часть полной свободной энергии тела: вклады от внутренней части и от поверхности становятся соизмеримыми. Традиционно к ним относятся жидкие капли в пересыщенном паре и пузырьки в жидких фазах, микрокристаллы, мицеллы, коллоидные частицы, полимерные частицы в жидких фазах, включения в твердофазных системах и т.д.

Общие подходы к исследованию малых систем были разработаны в [10, 11]. Один из обсуждаемых вопросов относится к случаю, когда рассматривается ситуация с ограничивающей внешней границей/стенкой, через которую может идти обмен энергией (в системе устанавливается постоянная температура), но без обмена импульсом и веществом. Фазовые переходы внутри ограниченной области, естественно, трактуются по аналогии с макроскопическими системами, так как условия постоянства температуры, давления и химического потенциала вытекают из кинетического рассмотрения перераспределения молекул, а не присущи только макроскопическим системам. Потенциал ограничивающей стенки (Qw > 0 или < 0), отражающий ее химическую и структурную неоднородность, как и характерный размер системы, играет важную роль в распределении молекул. Эти факторы подробно рассматривались в порах [9]. Неоднородность стенок приводит к возможности появления множественности критических точек на кривых расслаивания пар–жидкость, как в пористых телах, так и на открытых неоднородных поверхностях.

Случай фазового перехода расслаивания однокомпонентного вещества рассматривался в работе [12]. Для расслаивающихся смесей должно быть аналогичное поведение, но фазовый переход типа упорядочения ранее не обсуждался. Как и в [10, 11] ограничимся простейшим случаем и рассмотрим монодисперсную систему ограниченных по объему элементарных объемов, внутри которых находятся компоненты бинарной смеси А+В в пропорции 1:1. Также для простоты примем, что удельные объемы компонентов соизмеримы и их различием можно пренебречь. Наконец, ограничимся рассмотрением средних величин термодинамических функций, чтобы можно было опустить влияние размерных флуктуаций [10].

Для описания локальных распределений молекул используем дискретную версию модели решеточного газа (МРГ) [13]. Концентрацию компонента i характеризуют величиной θi = Ni/М. Cвязь общепринятой (ni – число частиц в единице объема) и решеточной концентрации частиц сорта i запишется как θi = ni${{{v}}_{0}}$. Локальную плотность частиц i в узле с номером g будем обозначать $\theta _{g}^{i}$. Локальные плотности нормированы: $\sum\nolimits_{i = 1}^s {\theta _{g}^{i} = {\text{ }}1} $. Средняя концентрация компонента i системы θi определяется через локальные концентрации как ${{\theta }_{i}} = \sum\nolimits_{q = 1}^t {{{f}_{q}}\theta _{q}^{i}} $, где fq = Mq/M – доля узлов типа q; $\theta _{q}^{i}$ = $N_{q}^{i}$/Mq – парциальные локальные заполнения, $N_{q}^{i}$ – число молекул сорта i на узлах типа q. Число свободных узлов типа q обозначим через $N_{q}^{V} = {\text{ }}{{М}_{q}} - \sum\nolimits_{i = 1}^{s - 1} {N_{q}^{i}} $. Полное число узлов системы М, состоящей из участков размера Mq, 1 ≤ qt, t – число типов узлов; M = = $\sum\nolimits_{q = 1}^t {{{M}_{q}}} $, или $\sum\nolimits_{q = 1}^t {{{f}_{q}} = 1} $.

Число ближайших узлов к данному узлу решеточной структуры обозначим через z. Будем считать, что латеральное взаимодействие описывается парным потенциалом типа Леннард-Джонса (Л-Д): $\varepsilon _{{gh}}^{{ij}}(r)$ = ${\text{4}}{{\varepsilon }_{{ij}}}\{ {{({{\sigma }_{{ij}}}{\text{/}}r_{{gh}}^{{ij}})}^{{{\text{12}}}}} - {{({{\sigma }_{{ij}}}{\text{/}}r_{{gh}}^{{ij}})}^{{\text{6}}}}\} $ (где $r_{{gh}}^{{ij}}$ – расстояния между парами частиц ij в разных узлах g и h) с единичным радиусом взаимодействия. Взаимодействия частиц с вакансиями равны нулю.

Рассмотрим простейшую упорядоченную систему, которая образуется из двух взаимопроникающих подрешеток в простой кубической решетке (z = 6) и объемно-центрированной кубической решетке (z = 8) типа β-латуни [1315]. Первую подрешетку, узлы которой заняты, обозначим через α, вторую подрешетку, узлы которой преимущественно свободны, обозначим через γ. Каждый узел α-подрешетки окружен узлами γ-подрешетки, и наоборот. Это позволяет задать упорядоченное состояние частиц с помощью введенных в [13] функций распределений узлов разного типа: fα = fγ = 1/2, и zαγ = zγα = z.

Обозначим через θσ (σ = α, γ) вероятность заполнения узлов типа σ. Уравнения [13] на локальные заполнения узлов разного типа в однородной объемной фазе (внутренние степени свободы частиц и их параметры взаимодействия не зависят от типа узла подрешетки) запишутся как

$y = \frac{{{{\theta }_{\alpha }}}}{{1 - {{\theta }_{\alpha }}}}{{(1 + {{t}_{{\alpha \gamma }}}x)}^{z}},\quad y = \frac{{{{\theta }_{\gamma }}}}{{1 - {{\theta }_{\gamma }}}}{{(1 + {{t}_{{\gamma \alpha }}}x)}^{z}},$
(1)
$\begin{gathered} x = \exp ( - \beta \omega ) - 1,\quad {{\theta }_{{\alpha \gamma }}} = 2{{\theta }_{\alpha }}{{\theta }_{\gamma }}{\text{/}}(\delta + b), \\ {{t}_{{\lambda \sigma }}} = {{\theta }_{\alpha }}_{\gamma }{\text{/}}{{\theta }_{\lambda }},\quad \lambda \ne \sigma ,\quad \delta = 1 + x(1 - {{\theta }_{\alpha }} - {{\theta }_{\gamma }}), \\ \end{gathered} $
$b = {{({{\delta }^{2}} + 4x{{\theta }_{\alpha }}{{\theta }_{\gamma }})}^{{1/2}}}.$
Изотерма адсорбции θ = (θα + θγ)/2, где θσ определяется из системы уравнений (1).

Если из уравнений (1) исключить y, то получим уравнение, связывающее относительные заполнения узлов θα и θγ. С учетом θγ = 2θ – θα это уравнение, имеющее один или три корня, позволяет рассчитать θα(θ, βε). В первом случае в системе отсутствует упорядочение частиц, во втором – большее значение корня относится к θα, а меньшее – к θγ. Температура, ниже которой возможно образование упорядоченного состояния, называется температурой упорядочения. Ее значение определяется при разложении в ряд уравнения, связывающего заполнения узлов α и γ, по малым значениям параметра порядка ρ, который характеризует долю частиц, находящихся на узлах α подрешетки: θα = θ + ρ (1 – θ), θγ = θ – ρ (1 – θ). Если все частицы находятся в узлах подрешетки α, то ρ = 1 и θα = 1. Разупорядоченному состоянию отвечает ρ = 0 и θα = θγ = θ. Ограничиваясь первыми членами разложения в ряд при ρ = 0, получим связь между критическими значениями концентрации частиц и температурой упорядочения: 1 + х + b = 2zxθ(1 – θ). В частном случае половинного заполнения имеем βε = –2ln(1 – 2/z). В области низких температур (βε → ∞) предельные значения степеней заполнений, ограничивающие область существования данного упорядоченного состояния, равны θ = 1/z.

Рассмотрим домен на объемной решетке z = 6 с шестью гранями в форме куба со стороной Ld. Всего в домене узлов (Ld)3. Усредненный Л-Д-потенциал (12-6) стенки дает потенциал (9-3) [9], который действует на rs число монослоев. Поле стенки в первом монослое имеет потенциал Qw и с удалением от стенки от первого монослоя к пятому потенциал поля стенки спадает как 1:0.21:0.6:0.3:0.1. Одновременно на узел может действовать ns число полей стенок, 0 ≤ ns ≤ 3, их потенциалы действуют аддитивно. Противоположные стенки куба имеют одну и ту же величину потенциала, и домен обладает центральной симметрией относительно центра куба, что позволяет сократить число типов узлов и понизить размерность задачи.

Как и выше, наличие упорядочения компонентов А и В отражается через функции узлов разного типа [13]. Доля узлов в вершинах куба, где на них действует поле сразу от трех стенок, ${{f}_{{v}}}$ = = 8(rs)3/(Ld)3. В вершинах имеется (rs)3 одинаковое число узлов α- и γ-решетки. Доля узлов отдельного типа в вершинах fq = 4/(Ld)3. Доля узлов в ребрах куба, где на них действует поле от двух стенок, fe = 4(rs)2(Ld – 2rs)/(Ld)3. В ребрах имеется (rs)2 число типов узлов α-решетки и столько же типов узлов γ-решетки. Доля узлов отдельного типа в ребрах  fq = 2(Ld – 2rs)/(Ld)3. Доля узлов на гранях куба, где на них действует поле от одной стенки: fe = 2rs(Ld – 2rs)2/(Ld)3. Здесь также доля узлов отдельного типа на гранях fq = (Ld – 2rs)2/(Ld)3. Наконец, доля узлов внутри куба, где на них не действует поле стенок, fe = (Ld – 2rs)3/(Ld)3. Как и в объеме, здесь два типа узлов на решетках α и γ. Доля узлов в центре куба  fq = (Ld – 2rs)3/2(Ld)3.

Таким образом, доля узлов в домене заданного типа q, которому соответствует определенное число ns, равна: ${{f}_{q}}({{n}_{s}}) = \frac{{{{{(2)}}^{{{{n}_{s}}}}}{{{({{L}_{d}} - 2{{r}_{s}})}}^{{3 - {{n}_{s}}}}}}}{{2L_{d}^{3}}}$, где двойка в знаменателе связана с тем, что имеются две подрешетки α и γ, ${{\left( 2 \right)}^{{{{n}_{s}}}}}$ – множитель, связанный с тем, что типы узлов у противоположных стенок совпадают, данный множитель отражает свойство симметрии и повышает вес типов узлов, считаемых идентичными в силу симметрии. С данной функцией распределения были проведены расчеты для разных длин стороны домена Ld и области влияния потенциала стенки rs. Сами уравнения для данной неоднородной системы подробно описаны в работах [9, 13].

РЕЗУЛЬТАТЫ РАСЧЕТА

На рис. 1 показано, как доля внутренней части куба, на которую не распространяется влияние стенки, fL, зависит от размера домена Ld для разных значений ширины пристеночных областей rs. При Ld = 104 все кривые практически совпадают с точностью менее долей процента. От Ld = 103 и ниже существенную долю начинают составлять узлы на поверхности домена и в приповерхностной области.

Рис. 1.

Зависимость  fL от размера домена Ld при rs = 1 (1), 3 (2), 5 (3).

На рис. 2 показана критическая температура Tcr внутри домена (нормированная кривая в логарифмических координатах по оси абсцисс для Qw = 0 от Ld = 20 до Ld = 104). Она уменьшается с уменьшением размера Ld. Эта кривая относится к ситуации, когда ограничение объема осуществляется “нейтральной” границей – она только ограничивает число связей, направленных из домена в сторону границы, не искажая ее энергетического состояния. Это приводит к тому, что с уменьшением размера домена до Ld = 20 в отсутствие потенциала стенки критическая температура внутри домена Tcr(L) падает до 2% по сравнению с критической температурой в объеме Tcr(bulk). По сравнению с аналогичными изменениями для фазовых переходов расслаивания (первого рода) [9] это – значительно меньшая величина (упорядочение является фазовым переходом второго рода).

Рис. 2.

Зависимости нормированной критической температуры упорядочения в домене размера Ld по сравнению с объемной фазой Tcr(bulk). Пояснения в тексте.

На вставке рис. 2 показаны кривые для всех трех значений потенциала стенки в более узком диапазоне по оси абсцисс 20 ≤ Ld ≤ 200 при rs = 5 и Qw = –2|εAA| (треугольники), 0 (квадраты), 2|εAA| (круги). Сравнение с рис. 1 показывает, что упорядочение сохраняется даже при относительно больших долях пристеночных узлов. Суть этого связана с жесткостью упорядоченной структуры, и внесение относительно слабых возмущений Qw от стенок сохраняет упорядочение (соседи на границе для решетки z = 6 оказывают влияние на каждую смещаемую частицу А, равное 4|εAA|). Появление потенциала стенки, как положительного потенциала Qw = 2|εAA| (притяжение), так и отрицательного Qw = –2|εAA| (отталкивание) уменьшает критическую температуру еще больше по сравнению с Qw = 0: до 6 и 3.5% от критической температуры в объеме Tcr(bulk).

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

Полученные кривые демонстрируют влияние размерного эффекта (объема системы) на критическую температуру фазового перехода порядок–беспорядок. Построенную кривую удалось получить, используя технику расчета молекулярных распределений компонентов в бинарной смеси эквимолекулярного состава. Данная техника разработана для теории неоднородных конденсированных систем в рамках МРГ [13]. Эта модель описывает дискретные конфигурации компонентов смеси в трехмерных растворах и/или сплавах, а также в процессах двумерной адсорбции. Взаимно-однозначное соответствие между компонентами А и В (теория растворов) с занятым и свободным состояниями узлов решетки (теория адсорбции) с точностью до обозначений параметров модели делает полученные результаты общими.

Однако в статической термодинамике хорошо известно, что эта же модель (так называемая модель Изинга) также применяется для интерпретации экспериментальных данных для магнетиков (любые z) [16, 17] и сегнетоэлектриков типа KDP (z = 6) [18, 20]. В случае магнетиков занятым и свободным состояниям узлов решетки соответствует спин, направленный вниз или вверх (для них эффекты упорядочения спинов отражают антиферромагнитные состояния). В случае сегнетоэлектриков имеется соответствие между разнонаправленными спинами в магнетиках с двумя положения протона внутри водородной связи относительно двух атомов кислорода, ее формирующих [1820].

Следует подчеркнуть, что техника построения уравнений в МРГ [13] с высокой точностью отражает все типы неоднородностей, которые могут существовать в реальных конденсированных фазах: учет точечных дефектов, наличие границ раздела, структурные изменения и т.д. Это – ее преимущество перед традиционными техниками исследований в магнетиках и сегнетоэлектриках благодаря возможности учета изменений свойств твердых тел на микроскопической шкале. Экспериментальные данные для магнетиков дают основание считать [21], что переходные области границ между доменами занимают протяженные участки, и для них локальные свойства не очень важны. Однако для сегнетоэлектриков экспериментальные данные свидетельствуют о малости ширины переходных областей [22], и для них локальные свойства могут иметь значительно большее значение. Следует отметить, что до настоящего времени отсутствуют какие-либо теоретические подходы к статистической теории доменов в сегнетоэлектриках. Поэтому полученные в данной работе зависимости значений критической температуры от размера доменов, а также существенное влияние свойств границ на эти зависимости могут служить в качестве первого шага в направлении создания теории формирования доменной структуры сегнетоэлектриках и в их анализе.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (код проекта № 19-03-00443а).

Список литературы

  1. Гиббс Дж.В. Термодинамика. Статистическая механика. М.: Наука, 1982. 584 с.

  2. Hill T.L. // J. Chem. Phys. 1962. V. 36. № 12. P. 3182.

  3. Hill T.L. Thermodynamics of Small Systems. Part 1. New York; Amsterdam: W. A. Benjamin, Inc., Publ., 1963.

  4. Hill T.L. Thermodynamics of Small Systems. Part 2. New York;Amsterdam: W. A. Benjamin, Inc. Publ., 1964.

  5. Gross D.H.E. Microcanonical Thermodynamics: Phase Transitions in “Small” Systems. Lecture Notes in Physics. V. 66. Singapore: World Scientific, 2001. 269 p.

  6. Товбин Ю.К. // Хим. физика. 2010. Т. 29. № 12. С. 74.

  7. Товбин Ю.К. // Журн. физ. химии. 2012. Т. 86. № 7. С. 1301.

  8. Товбин Ю.К. // Там же. 2015. Т. 89. № 3. С. 551.

  9. Товбин Ю.К. Молекулярная теория адсорбции в пористых телах, М.: Наука, 2012. 624 с.

  10. Товбин Ю.К. Малые системы и основы термодинамики. М.: Физматлит, 2018. 404 с.

  11. Товбин Ю.К. // Журн. физ. химии. 2017. Т. 91. № 12. С. 19.

  12. Товбин Ю.К., Зайцева Е.С. // Физикохимия поверхности и защита материалов. 2017. Т. 53. № 5. С. 451.

  13. Товбин Ю.К. Теория физико-химических процессов на границe газ–твердоe тело. М.: Наука, 1990. 288 с.

  14. Кривоглаз А.М., Смирнов А.А. Теория упорядочивающихся сплавов. М.: ГИФМЛ, 1958. 388 с.

  15. Муто Т., Такаги Ю. Теория явления упорядочения в сплавах. М.: Изд-во иностр. лит., 1959.

  16. Хилл Т. Статистическая механика. М.: Изд-во иностр. лит., 1960.

  17. Кубо Р. Статистическая механика. М.: Мир, 1967. 452 с.

  18. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. М.: Мир, 1965. 556 с.

  19. Вакс В.Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков. М.: Наука. 1973. 327 с.

  20. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. М.: Наука, 1983. 240 с.

  21. Хуберт А. Теория доменных стенок в упорядоченных средах. М.: Мир, 1977. 308 с.

  22. Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах. М.: Физматлит, 2000. 240 с.

Дополнительные материалы отсутствуют.