1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Известия РАН. Серия физическая
  4. T. 83, № 11, 2019

Известия РАН. Серия физическая, 2019, T. 83, № 11, стр. 1461-1468

Исследование пленки диоксида кремния, имплантированной Zn и облученной быстрыми ионами Xe

В. В. Привезенцев 1, 2, *, А. Н. Палагушкин 2, В. А. Скуратов 3, В. С. Куликаускас 4, В. В. Затекин 4, О. С. Зилова 5, А. В. Бурмистров 5, Д. А. Киселев 6, Э. А. Штейнман 7, А. Н. Терещенко 7

1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук
Moсква, Россия

2 Федеральное государственное учреждение “Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук”
Moсква, Россия

3 Международная межправительственная организация Объединенный институт ядерных исследований
Дубна, Россия

4 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова”, Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына
Москва, Россия

5 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Национальный исследовательский университет “МЭИ”
Москва, Россия

6 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС”
Москва, Россия

7 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук
Черноголовка, Россия

* E-mail: privezentsev@mail.ru

Поступила в редакцию 29.04.2019
После доработки 10.06.2019
Принята к публикации 27.07.2019

Полный текст (PDF)

Аннотация

Исследовано влияние облучения быстрыми тяжелыми ионами Xe с энергией 167 МэВ на структуру и свойства пленки SiO2, имплантированной Zn. Обнаружено, что после имплантации Zn в пленке SiO2 на глубине около проективного пробега ионов цинка (Rp ≈ 40 нм) образуются аморфные наночастицы цинка размером около 10 нм. Облучение пленок Xe приводит к гашению пика в спектре фотолюминесценции на длине волны 370 нм, обусловленного экситонной рекомбинацией, и кувеличению пика на длине волны 430 нм, связанного с радиационными дефектами. Поверхность пленки SiO2 после обработки ионами Хе структурируется с образованием поверхностных кратеров, окружающих их бугорков-“хиллоков”, а также Zn-содержащих наночастиц.

ВВЕДЕНИЕ

Наночастицы (НЧ) Zn, сформированные в различных матрицах, могут найти применение в современной оптоэлектронике при создании УФ-детекторов, а НЧ его оксида, являющегося прямозонным материалом и обладающего большой энергией связи в экситоне (60 мэВ), могут найти применение в лазерах и электролюминесцентных дисплеях. ZnO применяется также в солнечных элементах, в газовых датчиках, приборах памяти (мемристорах), в приборах спинтроники, для медико-биологических целей и т.п. [1]. Формирование НЧ цинка в пленке SiO2 можно осуществить с помощью ионного легирования Zn. Далее для получения фазы ZnO необходимо использовать окисление [2, 3]. Можно проводить имплантацию ионов Zn и O с последующим отжигом в нейтрально-инертных средах [4]. Известно, что облучение быстрыми тяжелыми ионами (БТИ) приводит к образованию цилиндрических треков в подложке и удлинению формы НЧ в этой подложке в направлении облучения [5, 6]. В данной работе исследуется влияние облучения БТИ Xe на структуру и свойства пленки SiO2, имплантированной Zn.

Среди вышеуказанных материалов матрицы с НЧ из ZnО играют особую роль, поскольку окись цинка является прямозонным материалом с шириной запрещенной зоны 3.37 эВ и имеет большую энергию связи электрона и дырки в экситоне 60 мэВ, которая позволяет получать УФ-излучение с длиной волны λ = 390 нм при температуре до 550°С. Поэтому матрицы с НЧ из ZnO смогут найти широкое применение в таких современных оптоэлектронных устройствах как УФ-лазеры и светодиоды [6]. Также перспективно их применение в солнечных элементах [7], электролюминесцентных дисплеях [8], в сенсорных газовых устройствах [9] и т.п.

НЧ из ZnO в кремниевой матрице могут быть сформированы термообработкой в инертно-окислительной среде Si, cодержащего НЧ металлического Zn, которые могут быть получены методом ионного легирования Zn кремниевой подложки с последующим отжигом [10, 11]. Этот метод позволяет получать концентрации цинка в кремнии в максимуме нормального распределения до значения NZn = 1 ⋅ 1022 cм–3 (25 ат. %), что гораздо больше значения их предельной равновесной растворимости, которая составляет $N_{{{\text{Zn}}}}^{{lim}}$ = 6 ⋅ 1016 см–3 [12] при температуре диффузии 1250°С.

В настоящей работе представлены результаты исследования влияния облучения БТИ Xe на структуру и свойства пленки SiO2, имплантированной Zn.

После имплантации Zn образцы были облучены быстрыми ионами 132Xe26+ с энергией 167 МэВ в диапазоне флюенсов 1 ⋅ 1012 см–2–5 ⋅ 1014 см–2 для модификация поверхностного слоя и синтезированных в нем НЧ цинка. Потери энергии и проекционный пробег ионов 132Xe26+ c энергией 167 MэВ в аморфной пленке SiO2 согласно вычислениям SRIM 2013 [13] составляют:

– потери энергии в электронной системе dEel/dx= 14.7 кэВ/нм;

– потери в ядерной системе dEnucl/dx = = 59.8 эВ/нм;

– проективный пробег Rp =18.6 мкм;

– продольный страгглинг Str = 0.576 мкм;

– поперечный страгглинг Slat = 0.622 мкм.

Как показано в работе [14] методом малоуглового рассеяния, радиус трека ионов Xe в аморфном SiO2 является функцией потерь энергии в электронной системе (dEel/dx). В случае ионов Xe с энергией 167 МэВ в матрице SiO2 потери электронной системы составляют 14.7 кэВ/нм, что соответствует радиусу трека r ≈ 4 нм. В упомянутой работе была также введена важная величина для оценки влияния ионных треков на облучаемую поверхность, а именно, коэффициент покрытия СR = πr2Φ, где Φ – флюенс быстрых ионов. Коэффициент покрытия показывает, сколько раз в среднем поверхность пересекается ионными треками. В нашем исследовании в диапазоне флюенсов Φ = 1 ⋅ 1012 см–2–5 ⋅ 1014 см–2 эта величина составляет CR = 0.5–250. Как уже упоминалось выше, для значительного изменения формы НЧ величины СR должна быть больше 100.

При воздействии БТИ на НЧ цинка важную роль играет максимальный размер НЧ, которые будут плавиться при облучении. В нашем случае при использовании ионов Xe c энергией 167 МэВ максимальный размер НЧ цинка $R_{{NP}}^{{max}}$ определяется выражением [15]:

$R_{{NP}}^{{max}} = \sqrt {\frac{{3{{{({{dE} \mathord{\left/ {\vphantom {{dE} {dx}}} \right. \kern-0em} {dx}})}}_{{e,NP}}}}}{{2\pi (H_{{NP}}^{m}{{\rho }_{{NP}}} + Q)}}} ,$
где удельные потери энергии иона Xe на электронные возбуждения в цинке составляют ${{({{dE} \mathord{\left/ {\vphantom {{dE} {dx}}} \right. \kern-0em} {dx}})}_{{e,NP}}}$ = = $29.2\,\,{\text{кэВ}} \cdot {\text{н}}{{{\text{м}}}^{{ - 1}}},$ удельная теплота плавления цинка $H_{{NP}}^{m}$ = $7.28\,\,{{{\text{кДж}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{\text{кДж}}} {{\text{моль}}}}} \right. \kern-0em} {{\text{моль}}}}$ = $111.35\,\,{{{\text{Дж}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{\text{Дж}}} {\text{г}}}} \right. \kern-0em} {\text{г}}}{\text{,}}$ плотность цинка ${{\rho }_{{{\text{Zn}}}}} = 7.133\,\,{{\text{г}} \mathord{\left/ {\vphantom {{\text{г}} {{\text{с}}{{{\text{м}}}^{3}}}}} \right. \kern-0em} {{\text{с}}{{{\text{м}}}^{3}}}}.$ Здесь Q – теплота, идущая на нагрев НЧ цинка до температуры плавления, определяемая соотношением Q = = πNPc(Tm – Tirr), где удельная теплоемкость с = = 25.45 $\frac{{{\text{Дж}}}}{{{\text{моль}} \cdot {\text{К}}}}$ = $\frac{{{\text{25}}{\text{.45}}}}{{65.38}}$ = 0.389 $\frac{{{\text{Дж}}}}{{{\text{г}} \cdot {\text{К}}}},$ температура плавления цинка Tm = 419.6°C, а температура образца при облучении Tirr = 20°C. Подставляя в формулу для Q все вышеперечисленные значения, получаем, что Q = 341 Дж ⋅ см–3, а в итоге максимальный размер плавящихся НЦ цинка составляет $R_{{NP}}^{{max}}$ = 44.3 нм.

1. ОБРАЗЦЫ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

Пленки SiO2 толщиной 170 нм термически выращивали на подложке n-Si (100) в атмосфере сухого кислорода. Затем они были имплантированы ионами 64Zn+ с дозой 5 ⋅ 1016 cм–2 и энергией 50 кэВ при комнатной температуре. Плотность ионного тока была j ≤ 0.5 мкA ∙ cм–2, так что перегрев по сравнению с комнатной температурой не превышал 50°С. Наконец, образцы были облучены ионами 132Xe26+ с энергией 167 МэВ в диапазоне флюенсов 1 ⋅ 1012–5 ⋅ 1014 см–2.

Топография поверхности образцов была исследована с помощью растрового электронного микроскопа (РЭМ) MIRA3 (TESCAN) в режимах вторичной эмиссии (ВЭ) и обратно рассеянных электронов (ОРЭ) в сочетании с энерго-дисперсионной спектроскопией (ЭДС). Визуализация поверхности образцов проводилась также с помощью сканирующего зондового микроскопа MFP-3D (Asylum Research) в полуконтактной моде (AC Air Topography) с применением кантилевера марки HA_NC/Pt (Tipsnano, Россия) жесткостью 3.5 Н ∙ м–1 и резонансной частотой свободных колебаний 140 кГц. Обработка полученных изображений осуществлялась в программе Gwyddion. Структура поперечных сечений имплантированных слоев была исследована с помощью просвечивающего электронного микроскопа высокого разрешения (ПЭМ ВР) Tecnai G2 20 S-TWIN (FEI) в режиме высокого разрешения (S‑TWIN) с ускоряющим напряжением 200 кэВ. Оптические свойства пленок исследовали методами рефлектометрии при комнатной температуре в диапазоне длин волн 400–900 нм. Также регистрировали спектры фотолюминесценции (ФЛ) при 300 и 10 К с использованием обычной техники обработки сигнала. Для ИК-области спектры ФЛ возбуждали фотонами на длине волны λ = = 920 нм, которые генерировались GaAs-лазером при мощности 1 Вт ⋅ см–2, а в качестве детектора использовали охлаждаемый Ge-фоторезистор. Для видимого диапазона спектры ФЛ возбуждали HeCd-лазером с длиной волны 325 нм и мощностью 0.5 Вт ⋅ см–2. В этом случае спектры ФЛ регистрировали с использованием ФЭУ-79.

2. РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

2.1. Исследования поверхности на растровом электронном микроскопе

На рис. 1 представлены два РЭМ-изображения поверхности пленки SiO2 после облучения быстрыми ионами Xe с флюенсом 2Е12 см–2: одно (топографическое) в режиме РЭМ-ВЭ (а), а другое (Z-контраст) – в режиме РЭМ-ОРЭ (б). На рис. 1а в режиме РЭМ-ВЭ (топологический контраст) видна крупная яркая частица размером менее 500 нм на поверхности пленки SiO2. На рис. 1 б та же частица представлена в режиме РЭМ-ОРЭ (Z-контраст). В данном режиме изображения она имеет более светлый цвет по сравнению с окружающим фоном. Это свидетельствует о том, что в ее состав входят элементы тяжелее, чем Si и O. На рис. 2 представлен ЭДС-спектр этой частицы, из которого следует, что она состоит из нескольких элементов, а именно, элементов матрицы Si и O, имплантированного Zn и C. Их численные значения приведены в табл. 1, из которой следует, что кроме элементов оксидной пленки SiO и имплантированного Zn также зафиксировано загрязнение углеводородами. Это связано с недостаточной очисткой атмосферы вакуумной камеры от паров масла, т.к. мы используем масляную откачку рабочей камеры имплантера. После всего изложенного стало очевидно, что яркая частица на рис. 1 содержит Zn. Это могут быть как частицы самого цинка, так и его оксидных соединений типа ZnO или, что менее вероятно при такой низкой температуре имплантации, Zn2SiO4. Возможно также, что частица представляет собой их смесь.

Рис. 1.

Изображения пленки SiO2 после облучения ионами 132Xe26+ с энергией 167 МэВ и флюенсом 2 ⋅ 1012 см–2 в спектроскопии РЭМ-ВЭ (а) и РЭМ-ООЭ (б).

Рис. 2.

ЭДС-спектр по кадру после облучения Хе.

Таблица 1
Элемент Весовые % Атомные %
O-K 18.56 21.53
Si-K 53.32 35.25
Zn-K 0.19 0.05
С-K 27.93 43.17
Итого 100.00 100

Дополнительным подтверждением к вышеизложенным соображениям являются ЭДС-карты элементов, представленные на рис. 3. Светлое пятно на карте для линии спектра Zn Кα1 показывает наличие этого элемента в рассматриваемой частице. При этом темные пятна на картах для линии спектра Si Kα1 показывают отсутствие этого элемента в рассматриваемой частице. Светлое пятно на рис. 3в на ЭДС карте О Кα1 может свидетельствовать о том, что рассматриваемая частица содержит кислород, т.е. принадлежит фазе ZnO или смеси Zn · ZnO.

Рис. 3.

ЭДС-спектр пленки SiO2 после облучения Хе по квадрату: а – РЭМ-ВЭ-изображение; карты для элементов по линиям спектра Zn Кα1 (б); О Кα1 (в); Si Кα1 (г) и С Кα1_2 (д).

На рис. 4 приведены РЭМ-ВЭ- и РЭМ-ОРЭ-изображения поверхности Si-подложки, имплантированной Zn, после облучения ионами Хе с флюенсом 5 ⋅ 1014 см–2. На рис. 4а видно, что в режиме топологического контраста на изображении наблюдаются как яркие пятна-бугорки, так и темные пятна – кратеры. На рис. 4б представлено изображение той же площади, но уже в режиме Z‑контраста. Из этого рисунка следует, что многие яркие пятна на рис. 4а сохранили свою яркость и на рис. 4б. Иначе говоря, они состоят из элементов тяжелее, чем элементы матрицы Si и O. По всей видимости, эти бугорки являются Zn-содержащими НЧ, размеры которых менее 100 нм, как следует из изображений на рис. 4. На рис. 4б темные пятна (впадины – кратеры) в большинстве своем сохранили темный фон как на рис. 4а. Иначе говоря, они состоят из элементов, которые легче элементов матрицы, т.е. кремния и кислорода. По всей видимости, эти кратеры заполнены углеводородными загрязнениями.

Рис. 4.

Изображения поверхности образца Si, имплантированного Zn, после облучения ионами Хе с флюенсом 5 ⋅ 1014 см–2, в микроскопии РЭМ-ВЭ (а) и РЭМ-ОРЭ (б).

На рис. 5 представлен ЭДС-спектр, снятый по кадру РЭМ (рис. 4). Из рис. 5 следует, что ЭДС-спектр ожидаемо состоит из нескольких элементов, а именно, элементов матрицы Si и O, имплантированного Zn и загрязнения углеводородами C. Численные значения этих элементов приведены в табл. 2. Из анализа данных становится ясно, что визуализированные яркие НЧ на поверхности пленки оксида кремния содержат Zn. Это могут быть как частицы самого металлического Zn, так и его оксидных соединений типа ZnO или, что возможно при высоком флюенсе Хе, Zn2SiO4. Возможно также, что яркая НЧ представляет по составу их смесь.

Рис. 5.

ЭДС-спектр по кадру рис. 4 после флюенса Хе 5 ⋅ 1014 см–2.

Таблица 2
Элемент Весовые % Атомные %
O-K 21.72 26.77
Si-K 58.93 42.30
Zn-K 1.08 0.30
С-K 18.26 30.64
Итого 100.00 100

2.2. Анализ топологии поверхности на атомно-силовом микроскопе

На рис. 6 представлены 2D-изображения поверхности оксида кремния после имплантации цинка (а) и после облучения быстрыми ионами Хе (б). После имплантации цинка поверхность характеризуется следующими параметрами: Ra = = 0.141 нм, а Rms = 0.189 нм. На рис. 7 представлены 2D-изображения поверхности образца после имплантации Zn в кельвин-моде: топографическое изображение (а) и поверхностный потенциал (б). Как видно из этих изображений, поверхность после имплантации достаточно однородна по шероховатости. На рис. 6а видна только одна частица на поверхности пленки SiO2. Поскольку она наблюдается на достаточно большой площади 10 × 10 мкм, то ее можно считать неким артефактом технологии ионного внедрения. Тем более что на изображении поверхностного потенциала (рис. 6б) она не зафиксирована.

Рис. 6.

2D АСМ-изображение поверхности SiO2 после имплантации Zn и имплантированного образца после облучения быстрыми ионами Xe c флюенсом 1014 см–2.

Рис. 7.

АСМ топогрфическое изображение (а) и потенциал поверхности (б) в кельвин-моде для поверхности SiO2 после имплантации Zn.

На рис. 6б представлено 2D-изображение поверхности имплантированного образца после облучения быстрыми ионами Хе с флюенсом 1014 см–2. Поверхность характеризуется следующими параметрами: среднее значение неоднородности поверхности составляет Ra = 0.148 нм, а Rms = 0.190 нм. Из этого следует, что шероховатость поверхности несколько увеличилась после облучения Хе по сравнению с ее состоянием после имплантации Zn. Относительно размеров неоднородностей поверхности в плоскости можно отметить, что они увеличились, т.е. поверхность структурируется. Такое структурирование поверхности в плане мы связываем с образованием латентных областей внутри матрицы пленки SiO2 при пролете быстрых ионов Хе, который сопровождаются локальным разогревом, а также расплавлением небольших (до 40 нм, см. расчет выше) НЧ цинка. При этом возможна диффузия Zn к поверхности образца, образованием его скоплений вблизи поверхности, создающих неровности на самой поверхности. Также возможен вылет цинка в окружающую атмосферу с образованием поверхностных пор небольших размеров (около 10 нм).

2.3. Анализ поперечных сечений на просвечивающем электронном микроскопе

На рис. 8 представлены ПЭМ-изображения поперечного сечения приповерхностного слоя пленки SiO2 после имплантации ионами Zn. Из анализа ПЭМ-изображений на рис. 8а следует, что после имплантации Zn на глубине около его проекционного пробега в SiO2, который, согласно программе SRIM, составляет 38.4 нм, а продольный страгглинг равен 11.2 нм, располагаются НЧ цинка со средним размером около 10 нм. Эти НЧ являются аморфными, т.к. атомные плоскости цинка не выявляются (рис. 8а) и электронограмма (вставка на рис. 8а) представляет из себя гало. Образование мелких НЧ в пленке SiO2 непосредственно вблизи поверхности обусловлено методикой приготовления опытных образцов и не связано с цинком. На рис. 8б представлен ЭДС-спектр на глубине примерно 40 нм, из которого видно, что кроме элементов матрицы пленки (кремния и кислорода) присутствует имплантированный цинк и загрязнения углеводородами.

Рис. 8.

ПЭМ-изображения поперечного сечения приповерхностного слоя пленки SiO2 после имплантации Zn (а) и ЭДС-спектр в центре имплантированного цинка на глубине 40 нм (б).

2.4. Исследование спектров фотолюминесценции (ФЛ)

На рис. 8 представлены спектры ФЛ образцов, снятые при температурах 300 (а) и 10 К (б). Спектры исследованы для образцов исходного, после имплантации Zn, и полученного путем облучения быстрыми ионами Хе с флюенсом 5 ⋅ 1014 см–2. Из кривой на рис. 8а видно, что для исходной пленки SiO2 наблюдается уширенный пик ФЛ с центром около 440 нм, обусловленный нестехиометрическими структурными точечными дефектами и их кластерами, возникшими при термическом росте оксидной пленки. После имплантации Zn, как это следует из кривой 2 на этом рисунке, происходит уменьшение интенсивности ФЛ, которое сопровождается сдвигом пика ФЛ в длинноволновую область до значения примерно 520 нм. После облучения образца быстрыми ионами Xe с флюенсом 5 ⋅ 1014 см–2 пик ФЛ имеет максимум вновь при 440 нм. На рис. 8б представлены спектры, снятые при 10 К. Как видно из всех трех спектров, максимум интенсивности ФЛ находится примерно на длине волны 440 нм. Однако для образца после имплантации цинка на фоне уширенного пика с центром около 430 нм, наблюдается узкий пик ФЛ на длине волны 370 нм, связанный с образованием фазы ZnO и обусловленный экситонной рекомбинацией в этом материале. Это стало возможным, поскольку в матрице оксида кремния, очевидно, имеется достаточное количество атомов кислорода, а при имплантации Zn происходит локальный нагрев, при котором атомы кислорода становятся свободными и могут частично окислить имплантированный цинк. После облучения образца быстрыми ионами Xe с флюенсом 5 ⋅ 1014 см–2 пик ФЛ при 370 нм практически исчезает, что может указывать на уменьшение содержания фазы ZnO за счет ее распада в исследуемой пленке. В то же время уширенный пик ФЛ с центром при 420 нм, обусловленный радиационными структурными дефектами, при этом значительно увеличивается.

Рис. 9.

Спектры ФЛ пленки SiO2, исходной (1), имплантированной Zn (2) и облученной быстрыми ионами Xe с флюенсом 5 ⋅ 1014 см–2 (3): 300 К (а) и 10 К (б). Кривая 2 на рис. (б) сдвинута вверх на 0.01 отн. ед. для наглядности.

ВЫВОДЫ

1. После облучения ионами Xe с флюенсом 2 ⋅ 1012 см–2 на поверхности пленки SiO2 зафиксированы отдельные Zn-содержащие частицы с размерами порядка 100 нм.

2. После облучения ионами Xe с флюенсом 5 ⋅ 1014 см–2 на поверхности пленки SiO2 зафиксированы Zn-содержащие частицы с размерами порядка менее 100 нм и кратеры тоже размера.

3. После имплантации цинка, согласно данным АСМ, параметры шероховатости составляют: Ra = 0.141нм, а Rms = 0.189 нм. После облучения имплантированного образца Xe с флюенсом 1 ⋅ 1014 см–2, шероховатость поверхности несколько увеличивается и она характеризуется следующими параметрами: среднее значение шероховатости составляет Ra = 0.148 нм, а Rms = 0.190 нм.

4. После имплантации Zn в пленку оксида кремния обнаружена фаза ZnO с характерным пиком ФЛ на длине волны 370 нм.

5. Облучение быстрыми ионами Xe приводит к разрушению фазы ZnO, что подтверждается исчезновением экситонного пика ФЛ на длине волны 370 нм.

6. Облучение быстрыми ионами Xe приводит к формированию большого количества радиационных дефектов с характерной ФЛ-пиком на длине волны 430 нм.

Работа выполнена в рамках государственных заданий ФАНО России (Гос. проект 14, тема 40.3, раздел № 00662014-0025 и тема 40.2, раздел № 0066-2014-0024) и ИФТТ РАН. Исследования методами сканирующей зондовой микроскопии выполнены при финансовой поддержке Министерства науки и высшего образования РФ на оборудовании ЦКП “Материаловедение и металлургия” НИТУ “МИСиС” (госзадание № 11.9706.2017/7.8).

Список литературы

  1. Litton C.W., Collins T.C., Reynolds D.S. Zinc oxide material for electronic and optoelectronic device application. Chichester: Wiley, 2011.

  2. Umeda N., Amekura H., Kishimoto N. // Vacuum. 2009. V. 83. P. 645.

  3. Jiang C.Y., Sun X.W., Lo G.Q. et al. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. Art. № 263501.

  4. Li C., Yang Y., Sun X.W. et al. // Nanotechnology. 2007. V. 18. Art. № 135604.

  5. Chu S., Olmedo M., Yang Zh. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. Art. № 181106.

  6. Smestad G.P., Gratzel M. // J. Chem. Educ. 1998. V. 75. P. 752.

  7. Dodds J.S., Meyers F.N., Loh K.J. // Smart Struct. Systems. 2013. V. 12. Art. № 055.

  8. Bagnall D.M., Chen Y.F., Shen M.Y. et al. // J. Cryst. Growth. 1998. V. 184/185. P. 605.

  9. Chang H., Park H.D., Sohn K.S., Lee J.D. // J. Korean Phys. Soc. 1999. V. 34. P. 545.

  10. Straumal B.B., Mazilkin A.A., Protasova S.G. и дp. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. Art. № 205206.

  11. Son D.I., Park D.H., Choi W.K. et al. // Nanotechnology. 2009. V. 20. Art. № 195203.

  12. Privezentsev V., Kulikauskas V., Steinman E., Bazhenov A. // Phys. Stat. Sol. C. 2013. V. 10. P. 48.

  13. Amekura H., Takeda Y., Kishimoto N. // Mater. Lett. 2011. V. 222. P. 96.

  14. Shen Y.Y., Zhang X.D., Zhang D.C. et al. // Mater. Lett. 2011. V. 65. P. 2966.

  15. Privezentsev V.V., Makunin A.V., Batrakov A.A. et al. // Semiconductors. 2018. V. 52. P. 645.

  16. D’Orleans C., Stoquert J., Estourne’s C. et al. // Phys. Rev. B. 2003. V. 67. Art. № 220101R.

  17. Комаров Ф.Ф., Мильчанин О.А., Скуратов В.А. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2016. Т. 80. № 2. С. 160; Komarov F.F., Milchanin O.A., Skuratov V.A. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2016. V. 80. P. 141.

  18. http://www.srim.org

  19. Kluth P., Schnohr C.S., Pakarinen O.H. et al. // Phys. Rev. Lett. 2008. V. 101. Art. № 175503.

  20. Amekura H., Ishikawa N., Okubo N. et al. // Phys. Rev. B. 2011. V. 83. Art. № 205401.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Известия РАН. Серия физическая

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал