Известия РАН. Серия физическая, 2019, T. 83, № 7, стр. 976-980
Управление характеристиками магнитоэлектрического эффекта в композитных резонаторах с помощью внешних воздействий
Л. Ю. Фетисов *
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
“МИРЭА – Российский технологический университет”
Москва, Россия
* E-mail: fetisovl@yandex.ru
Поступила в редакцию 07.09.2018
После доработки 31.01.2019
Принята к публикации 27.03.2019
Аннотация
Продемонстрированы возможности управления характеристиками низкочастотного резонансного магнитоэлектрического эффекта в композитных структурах, содержащих механически связанные ферромагнитные и пьезоэлектрические слои, с помощью внешних воздействий. В планарных структурах со слоями из никеля и цирконата-титаната свинца величина эффекта изменяется на десятки процентов, а частота акустического резонанса перестраивается до десяти процентов под действием постоянного магнитного поля, постоянного электрического поля, при изменении температуры или путем создания в структуре механических напряжений.
ВВЕДЕНИЕ
Магнитоэлектрический (МЭ) эффект наблюдается в материалах, обладающих одновременно ферромагнитным и сегнетоэлектрическим упорядочением, и проявляется в изменении электрической поляризации P образца во внешнем магнитном поле H (прямой эффект) или изменении намагниченности M образца во внешнем электрическом поле E (обратный эффект). Наибольший по величине МЭ эффект обнаружен в композитных структурах, содержащих чередующиеся ферромагнитные (ФМ) и пьезоэлектрические (ПЭ) слои (см. обзоры [1, 2]). Эффект в таких структурах возникает в результате комбинации магнитострикции ФМ слоя и пьезоэффекта в ПЭ слое из-за механической связи между ними [3]. Интерес к исследованиям МЭ эффектов в композитных структурах обусловлен перспективами их использования для создания высокочувствительных датчиков магнитных полей [4], автономных источников энергии [5], устройств обработки сигналов [6] и новых элементов магнитной памяти [7].
Прямой МЭ эффект в композитных структурах характеризуют коэффициентом преобразования магнитного поля в электрическое ${{\alpha }_{E}} = {{(u/b)} \mathord{\left/ {\vphantom {{(u/b)} h}} \right. \kern-0em} h},$ где u – амплитуда напряжения, генерируемого под действием переменного поля, h, b – толщины ПЭ слоев структуры. Величина коэффициента зависит от размеров, магнитных, диэлектрических, механических свойств слоев структуры, частоты возбуждающего поля и приближенно описывается следующим выражением [8]:
где A и B – коэффициенты, зависящие от размеров и механических параметров слоев, q = ∂λ/∂H – пьезомагнитный коэффициент, λ(H) – магнитострикция ФМ слоя, d13 – пьезоэлектрический модуль и ε – диэлектрическая проницаемость ПЭ слоя. Коэффициент A(f) описывает также увеличение МЭ коэффициента в добротность Q ~ 102 раз из-за резонансного возрастания деформаций при совпадении частоты возбуждающего поля f с частотами акустических резонансов структуры [9]. Для планарных композитных структур частоты изгибных f1 и планарных f2 акустических колебаний могут быть найдены по формулам [10]:(2)
${{f}_{1}} = \frac{{{{k}^{2}}}}{{2\pi {{L}^{2}}}}\sqrt {\frac{{Y \cdot I}}{{\rho \cdot S}}} \,\,\,{\text{и }}\,\,\,{{f}_{2}} = \frac{1}{{2L}}\sqrt {\frac{Y}{\rho }} ,$Из формул (1) и (2) следует, что величину коэффициента МЭ преобразования, и частоту акустического резонанса композитных структур можно изменять с помощью внешних воздействий, влияющих на характеристики слоев структуры. Далее будут продемонстрированы возможности управления характеристиками композитных МЭ резонаторов с помощью постоянного магнитного поля H, влияющего на ФМ слой, постоянного электрического поля E, приложенного к ПЭ слою, за счет изменения температуры T структуры и под влиянием механических деформаций N слоев структуры.
МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ
Блок-схема установки для исследования прямого МЭ эффекта в композитных структурах динамическим методом изображена на рис. 1. Исследуемый образец помещали во внешнее постоянное однородное магнитное поле H = 0–1500 Э, созданное катушками Гельмгольца и параллельное плоскости структуры. Возбуждающее переменное магнитное поле hcos(2πft) с амплитудой h = 1–10 Э и частотой f = 0.01–200 кГц, направленное вдоль H, создавали с помощью электромагнитной катушки. Регистрировали амплитуду напряжения u, генерируемого ПЭ слоем структуры вследствие МЭ эффекта, при изменении частоты возбуждающего поля f и напряженности магнитного поля H. Все приборы установки управлялись при помощи специальной программы, написанной в среде LabView. Для исследования влияния электрического поля E на характеристики МЭ эффекта к ПЭ слою структуры прикладывали постоянное напряжение U = 0–750 В. Генерируемое структурой переменное напряжение снимали через разделительный конденсатор [11]. Для исследования температурных характеристик МЭ резонатор помещали в термоизолированную ячейку и охлаждали потоком газообразного азота с регулируемой температурой T = 200–370 K. Растягивающие механические напряжения величиной N = 0–2.5 МПа создавали, расположив структуру вертикально и подвесив к ее нижнему концу груз массой m = 1–100 г.
РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗМЕРЕНИЙ
Влияние постоянного магнитного поля на характеристики МЭ эффекта исследовали на структуре, схематически изображенной на вставке рис. 1. Структура содержала ФМ слой из Ni размерами 11 × 5 × 0.2 мм3 и ПЭ слой из Pb0.52Zr0.48TiO3 (PZT) размерами 11 × 5 × 0.5 мм3. На поверхности PZT пластины были нанесены электроды из Ag толщиной ~2 мкм. Слои были соединены с помощью эпоксидного клея. Амплитудно-частотная характеристика u(f) МЭ эффекта при H = 250 Э и h = 8 Э содержала два пика вблизи частоты f1 = 17 кГц с добротностью Q1 = 112 и вблизи частоты f2 = 157 кГц c добротностью Q2 = 72, соответствующие возбуждению изгибных и планарных акустических колебаний [11].
Как следует из (1), коэффициент ${{\alpha }_{E}}$ зависит от H вследствие зависимости от поля пьезомагнитного коэффициента q(H) ФМ слоя. На рис. 2 приведена полевая зависимость МЭ напряжения u1(H) и резонансной частоты f1(H). Видно, что u1 вначале растет с увеличением H, достигает максимума при Hm = 250 Э, соответствующем максимальному q, а затем монотонно уменьшается до нуля. К изменению u1 может приводить также полевая зависимость добротности резонатора, которая возникает из-за перестройки доменной структуры ФМ слоя. Резонансная частота f1 зависит от поля гораздо слабее и имеет минимум в том же поле Hm, что и u1(H). Максимальное изменение резонансной частоты составляет Δf1 = 0.06 кГц. Зависимость частоты от H возникает из-за полевой зависимости модуля Юнга Ym ФМ слоя. Вызванный полем H максимальный сдвиг частоты Δf1/f1 ≈ ≈ 0.35% соответствует изменению модуля Юнга слоя Ni на ∆Y/Y(0) ≈ 0.7%. Показано, что постоянное поле H позволяет сильно изменять эффективность МЭ преобразования ${{\alpha }_{E}}$ и незначительно перестраивать частоту ФМ резонаторов со слоями из аморфного сплава [12], галфенола [13] и терфенола [14].
Влияние постоянного электрического поля на характеристики МЭ эффекта исследовали в такой же Ni-PZT структуре [15]. На рис. 3 приведены зависимости напряжения u1, генерируемого структурой на частоте изгибного резонанса при возбуждающем поле h = 8 Э, и частоты этого резонанса f1 от напряженности поля E в слое PZT. Видно, что u1 на начальном участке линейно возрастает от 400 мВ до 550 мВ при увеличении E до 15 кВ/см, затем падает до начального значения 400 мВ при E = 0 и продолжает уменьшаться до нуля в поле E = −6.5 кВ/см. Затем u1, скачкообразно возрастает до ~450 мВ и продолжает расти при дальнейшем уменьшении E до −15 кВ/см. При последующем изменении E от −15 кВ/см до +15 кВ/см процесс повторяется и формируется гистерезисная зависимость u1(E) типа “бабочка”. Зависимость f1(E) также имеет вид “бабочка”. Максимальное изменение частоты колебаний структуры, вызванное полем E, достигало Δf1 ≈ 2.0 кГц, или Δf1/f1 ≈ 12%.
Как следует из (1), МЭ коэффициент может зависеть от E из-за полевой зависимости пьезомодуля d31(E), диэлектрической проницаемости ε(E), а также диэлектрических потерь tg δ(E) ПЭ слоя структуры. В [16] показано, что поле E может изменять ε в несколько раз. В нашем случае изменение ε приводило к изменению МЭ напряжения в ~2.5 раза при увеличении E от −5 до +15 кВ/см. В полях переполяризации EC ≈ ±7 кВ/см дипольный момент ПЭ слоя P меняет направление, проходя через нуль. Пьезомодуль, величина которого d13 ~ P, в этой точке также обращается в нуль. Это приводит, в соответствии с формулой (1), к падению МЭ напряжения до нуля. Акустические потери PZT керамики в области переполяризации могут изменяться на ~30% [17]. Увеличение потерь вызывает уменьшение добротности Q1 колебаний и дополнительное падение амплитуды u1 МЭ напряжения. Перестройка частоты f1 колебаний свидетельствует, согласно (2), об изменении эффективного модуля Юнга структуры. Поле E селективно меняет модуль Юнга Yp ПЭ слоя. Вызванный полем E сдвиг частоты Δf1 = 2.0 кГц соответствует изменению модуля Юнга PZT керамики на ∆Yp/Yp(0) ≈ 25%. Таким образом, в структурах с PZT слоями с помощью электрического поля E можно сильно изменять величину МЭ эффекта и на ~12% перестраивать частоту МЭ резонатора. В структурах, содержащих ПЭ слои из монокристаллов лангатата, кварца или GaAs, эффективность МЭ преобразования от электрического поля изменяется не более, чем на 20%, а частота резонанса перестраивается менее, чем на 1%.
Влияние температуры на характеристики МЭ эффекта исследовали на двухслойной Ni-PZT структуре диаметром D = 25 мм. Структура была изготовлена методом электролитического осаждения Ni на керамический диск. Толщина слоя Ni составляла am = 30 мкм, а слоя PZT керамики ap = 0.2 мм [18]. Частота основной изгибной моды акустических колебаний резонатора при комнатной температуре T = 290 K равнялась f1 = 2.45 кГц. На рис. 4 приведены зависимости напряжения u1, генерируемой структурой на резонансной частоте, и самой резонансной частоты f1 от температуры T в диапазоне 210–360 К.
Видно, что u1 монотонно падает от u ~ 0.6 В при температуре 220 К до нуля при 350 К. Резонансная частота демонстрирует более сложную зависимость. Максимальное изменение частоты составило Δf ≈ 380 Гц или ≈16%, что значительно превосходит возможный сдвиг частоты из-за температурного расширения слоев. Вид температурной зависимости МЭ напряжения u(T) обусловлен температурными зависимостями диэлектрической проницаемости ε(T) и пьезомодуля d13(T) ПЭ слоя, температурной зависимостью пьезомагнитного модуля q(T) ФМ слоя, а также температурной зависимостью добротности структуры Q(T). Значительное температурное изменение частоты резонанса, как следует из (2), скорее всего, обусловлено двумя эффектами: изменением модулей Юнга слоев, либо возникновением статической деформации в структуре, обусловленной разницей в коэффициентах температурного расширения слоев [18]. Показано, что температура T позволяет сильно изменять эффективность МЭ преобразования ${{\alpha }_{E}}$ и незначительно перестраивать частоту ФМ резонаторов типа магнитониобат-титанат свинца–никель [19], магнитный сплав Vitrovac (Fe39Ni39Mo4Si6B12) – пьезополимер (PVDF) [20], аморфный сплав (FeBSiC) – пьезокерамика (PZT) – аморфный сплав FeBSiC [21].
Влияние механических напряжений на характеристики МЭ эффекта исследовали на двухслойной структуре PZT-аморфный магнитный сплав (Metglas 2605S3A). Размеры ПЭ слоя составляли 30 × 4 × 0.2 мм3, а размеры ФМ слоя 30 × 4 × × 0.02 мм3. Слои были соединены с помощью эпоксидного клея. Растягивающие механические напряжения N = 0–2.5 МПа прикладывали вдоль длинной оси структуры. Измеряли зависимости МЭ напряжения u от постоянного поля H вне резонанса на частоте возбуждающего магнитного поля f = 5.8 кГц. На рис. 5 приведены зависимости МЭ напряжения от поля u(H) для трех значений механических напряжений. Видно, что увеличение N приводит к падению u и смещению поля Hm, соответствующего максимуму напряжения, в область меньших полей. Как следует из (2), эффект может быть обусловлен только изменением вида полевой зависимости пьезомагнитного коэффициента q(H) из-за дополнительного поля анизотропии Ha, создаваемого механическим напряжением.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Таким образом, показаны возможности управления характеристиками резонансного МЭ эффекта в структурах ферромагнетик–пьезоэлектрик с помощью внешних воздействий, избирательно влияющих на характеристики слов. Зависимость пьезомагнитного коэффициента и жесткости ФМ слоя от внешнего магнитного поля H и зависимость пьезомодуля, диэлектрической проницаемости и жесткости ПЭ слоя от электрического поля E приводят к значительному изменению МЭ коэффициента и перестройке в небольших пределах частоты акустического резонанса структуры. К аналогичным эффектам приводят температурные зависимости пьезомодуля и диэлектрической проницаемости ПЭ слоя, пьезомагнитного коэффициента ФМ слоя и различие в коэффициентах температурного расширения слоев. Эффективностью МЭ преобразования можно также управлять с помощью механических напряжений, создаваемых внешней силой.
Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ, проект № 8.1183.2017 ПЧ, а также Российского Фонда Фундаментальных Исследований, проект № 18-502-12037.
Список литературы
Nan C.-W., Bichurin M.I., Dong S. et al. // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. Art. № 031101.
Srinivasan G. // Annu. Rev. Mater. Res. 2010. V. 40. № 153.
Van Suchtelen J. // Philips Res. Rep. 1972. V. 27. № 28.
Серов В.Н., Фетисов Л.Ю., Фетисов Ю.К., Шестаков Е.И. // Росс. технол. журнал. 2016. Т. 5. № 5. С. 24.
Bayrashev A., Robbins W.P., Ziaie B. // Sens. Actuators. A. 2004. V. 114. № 244.
Srinivasan G., Fetisov Y.K. // Ferroelectrics. 2006. V. 342. № 65.
Palneedi H., Annapureddy V., Priya S., Ryu J. // Actuators. 2016. V. 5. № 1. P. 9.
Harshe G., Dougherty J.P., Newman R.E. // Int. J. Appl. Electromagn. Mater. 1993. V. 3. № 145.
Филиппов Д.А., Бичурин М.И, Петров В.М. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. № 9. С. 1621; Filippov D.A., Bichu-rin M.I., Petrov V.M. et al. // Phys. Sol. St. 2004. V. 46. № 9. P. 1674.
Тимошенко С.П. Колебания в инженерном деле. М.: Физматлит. 1959. 439 с.
Фетисов Л.Ю., Фетисов Ю.К., Каменцев К.Е. // ФТТ. 2009. Т. 51. № 11. С. 2175; Fetisov L.Y., Fetisov Y.K., Kamentsev K.E. // Phys. Sol. St. 2009. V. 51. № 11. P. 2308.
Фетисов Л.Ю., Чашин Д.В., Перов Н.С., Фети-сов Ю.К. // ЖТФ. 2011. Т. 81. № 4. С. 56; Fetisov L.Y., Perov N.S., Fetisov Y.K., Chashin D.V. // Tech. Phys. Russ. J. Appl. Phys. 2011. V. 56. № 4. P. 485.
Fetisov L.Y., Kamentsev K.E., Srinivasan G. et al. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. Art. № 123918.
Yao Y.P., Hou Y., Dong S.N., Li X. G. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. Art. № 014508.
Fetisov Y.K., Fetisov L.Y., Srinivasan G. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. Art. № 132507.
Яффе Б., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. М.: Мир, 1974. 288 с.
Ryzhenko V., Burianova L., Hana P. // J. Electroceram. 2008. V. 20. P. 35.
Burdin D.A., Chashin D.V., Ekonomov N.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 112. Art. № 242902.
Бурдин Д.А., Фетисов Ю.К., Чашин Д.В., Экономов Н.А. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. № 14. С. 41.
Gutierrez J., Lasheras A., Barandiaran J.M. et al. // Key Engin. Mater. 2011. V. 495. P. 351.
Ye J.X., Ma J.N., Hu J.M. et al. // J. Appl. Phys. 2014. V. 116. Art. № 074103.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Известия РАН. Серия физическая