Известия РАН. Серия физическая, 2019, T. 83, № 7, стр. 976-980

Управление характеристиками магнитоэлектрического эффекта в композитных резонаторах с помощью внешних воздействий

Л. Ю. Фетисов *

Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “МИРЭА – Российский технологический университет”
Москва, Россия

* E-mail: fetisovl@yandex.ru

Поступила в редакцию 07.09.2018
После доработки 31.01.2019
Принята к публикации 27.03.2019

Полный текст (PDF)

Аннотация

Продемонстрированы возможности управления характеристиками низкочастотного резонансного магнитоэлектрического эффекта в композитных структурах, содержащих механически связанные ферромагнитные и пьезоэлектрические слои, с помощью внешних воздействий. В планарных структурах со слоями из никеля и цирконата-титаната свинца величина эффекта изменяется на десятки процентов, а частота акустического резонанса перестраивается до десяти процентов под действием постоянного магнитного поля, постоянного электрического поля, при изменении температуры или путем создания в структуре механических напряжений.

ВВЕДЕНИЕ

Магнитоэлектрический (МЭ) эффект наблюдается в материалах, обладающих одновременно ферромагнитным и сегнетоэлектрическим упорядочением, и проявляется в изменении электрической поляризации P образца во внешнем магнитном поле H (прямой эффект) или изменении намагниченности M образца во внешнем электрическом поле E (обратный эффект). Наибольший по величине МЭ эффект обнаружен в композитных структурах, содержащих чередующиеся ферромагнитные (ФМ) и пьезоэлектрические (ПЭ) слои (см. обзоры [1, 2]). Эффект в таких структурах возникает в результате комбинации магнитострикции ФМ слоя и пьезоэффекта в ПЭ слое из-за механической связи между ними [3]. Интерес к исследованиям МЭ эффектов в композитных структурах обусловлен перспективами их использования для создания высокочувствительных датчиков магнитных полей [4], автономных источников энергии [5], устройств обработки сигналов [6] и новых элементов магнитной памяти [7].

Прямой МЭ эффект в композитных структурах характеризуют коэффициентом преобразования магнитного поля в электрическое ${{\alpha }_{E}} = {{(u/b)} \mathord{\left/ {\vphantom {{(u/b)} h}} \right. \kern-0em} h},$ где u – амплитуда напряжения, генерируемого под действием переменного поля, h, b – толщины ПЭ слоев структуры. Величина коэффициента зависит от размеров, магнитных, диэлектрических, механических свойств слоев структуры, частоты возбуждающего поля и приближенно описывается следующим выражением [8]:

(1)
${{\alpha }_{E}} = A\frac{{q{{d}_{{13}}}}}{{\varepsilon - Bd_{{13}}^{2}}}.$
где A и B – коэффициенты, зависящие от размеров и механических параметров слоев, q = ∂λ/∂H – пьезомагнитный коэффициент, λ(H) – магнитострикция ФМ слоя, d13 – пьезоэлектрический модуль и ε – диэлектрическая проницаемость ПЭ слоя. Коэффициент A(f) описывает также увеличение МЭ коэффициента в добротность Q ~ 102 раз из-за резонансного возрастания деформаций при совпадении частоты возбуждающего поля f с частотами акустических резонансов структуры [9]. Для планарных композитных структур частоты изгибных f1 и планарных f2 акустических колебаний могут быть найдены по формулам [10]:
(2)
${{f}_{1}} = \frac{{{{k}^{2}}}}{{2\pi {{L}^{2}}}}\sqrt {\frac{{Y \cdot I}}{{\rho \cdot S}}} \,\,\,{\text{и }}\,\,\,{{f}_{2}} = \frac{1}{{2L}}\sqrt {\frac{Y}{\rho }} ,$
где $Y$ = ${{({{Y}_{m}}{{a}_{m}} = {{Y}_{p}}{{a}_{p}})} \mathord{\left/ {\vphantom {{({{Y}_{m}}{{a}_{m}} = {{Y}_{p}}{{a}_{p}})} {({{a}_{m}} + {{a}_{{p)}}})}}} \right. \kern-0em} {({{a}_{m}} + {{a}_{{p)}}})}},$ $\rho $ = (ρmam + + ρpap)/(am + ap) – эффективные модуль Юнга и плотность структуры, Ym, Yp и ρm, ρp – модули Юнга и плотности ФМ и ПЭ слоев, S = b(am + ap) и $I$ = ${{b{{{({{a}_{m}} + {{a}_{p}})}}^{3}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{b{{{({{a}_{m}} + {{a}_{p}})}}^{3}}} {12}}} \right. \kern-0em} {12}}$ – площадь и момент инерции поперечного сечения структуры, k – коэффициент для соответствующей моды колебаний.

Из формул (1) и (2) следует, что величину коэффициента МЭ преобразования, и частоту акустического резонанса композитных структур можно изменять с помощью внешних воздействий, влияющих на характеристики слоев структуры. Далее будут продемонстрированы возможности управления характеристиками композитных МЭ резонаторов с помощью постоянного магнитного поля H, влияющего на ФМ слой, постоянного электрического поля E, приложенного к ПЭ слою, за счет изменения температуры T структуры и под влиянием механических деформаций N слоев структуры.

МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ

Блок-схема установки для исследования прямого МЭ эффекта в композитных структурах динамическим методом изображена на рис. 1. Исследуемый образец помещали во внешнее постоянное однородное магнитное поле H = 0–1500 Э, созданное катушками Гельмгольца и параллельное плоскости структуры. Возбуждающее переменное магнитное поле hcos(2πft) с амплитудой h = 1–10 Э и частотой f = 0.01–200 кГц, направленное вдоль H, создавали с помощью электромагнитной катушки. Регистрировали амплитуду напряжения u, генерируемого ПЭ слоем структуры вследствие МЭ эффекта, при изменении частоты возбуждающего поля f и напряженности магнитного поля H. Все приборы установки управлялись при помощи специальной программы, написанной в среде LabView. Для исследования влияния электрического поля E на характеристики МЭ эффекта к ПЭ слою структуры прикладывали постоянное напряжение U = 0–750 В. Генерируемое структурой переменное напряжение снимали через разделительный конденсатор [11]. Для исследования температурных характеристик МЭ резонатор помещали в термоизолированную ячейку и охлаждали потоком газообразного азота с регулируемой температурой T = 200–370 K. Растягивающие механические напряжения величиной N = 0–2.5 МПа создавали, расположив структуру вертикально и подвесив к ее нижнему концу груз массой m = 1–100 г.

Рис. 1.

Блок-схема установки для исследования характеристик МЭ эффекта.

РЕЗУЛЬТАТЫ ИЗМЕРЕНИЙ

Влияние постоянного магнитного поля на характеристики МЭ эффекта исследовали на структуре, схематически изображенной на вставке рис. 1. Структура содержала ФМ слой из Ni размерами 11 × 5 × 0.2 мм3 и ПЭ слой из Pb0.52Zr0.48TiO3 (PZT) размерами 11 × 5 × 0.5 мм3. На поверхности PZT пластины были нанесены электроды из Ag толщиной ~2 мкм. Слои были соединены с помощью эпоксидного клея. Амплитудно-частотная характеристика u(f) МЭ эффекта при H = 250 Э и h = 8 Э содержала два пика вблизи частоты f1 = 17 кГц с добротностью Q1 = 112 и вблизи частоты f2 = 157 кГц c добротностью Q2 = 72, соответствующие возбуждению изгибных и планарных акустических колебаний [11].

Как следует из (1), коэффициент ${{\alpha }_{E}}$ зависит от H вследствие зависимости от поля пьезомагнитного коэффициента q(H) ФМ слоя. На рис. 2 приведена полевая зависимость МЭ напряжения u1(H) и резонансной частоты f1(H). Видно, что u1 вначале растет с увеличением H, достигает максимума при Hm = 250 Э, соответствующем максимальному q, а затем монотонно уменьшается до нуля. К изменению u1 может приводить также полевая зависимость добротности резонатора, которая возникает из-за перестройки доменной структуры ФМ слоя. Резонансная частота f1 зависит от поля гораздо слабее и имеет минимум в том же поле Hm, что и u1(H). Максимальное изменение резонансной частоты составляет Δf1 = 0.06 кГц. Зависимость частоты от H возникает из-за полевой зависимости модуля Юнга Ym ФМ слоя. Вызванный полем H максимальный сдвиг частоты Δf1/f1 ≈ ≈ 0.35% соответствует изменению модуля Юнга слоя Ni на ∆Y/Y(0) ≈ 0.7%. Показано, что постоянное поле H позволяет сильно изменять эффективность МЭ преобразования ${{\alpha }_{E}}$ и незначительно перестраивать частоту ФМ резонаторов со слоями из аморфного сплава [12], галфенола [13] и терфенола [14].

Рис. 2.

Зависимости МЭ напряжения u1 и частоты f1 изгибных колебаний Ni-PZT структуры от напряженности магнитного поля H.

Влияние постоянного электрического поля на характеристики МЭ эффекта исследовали в такой же Ni-PZT структуре [15]. На рис. 3 приведены зависимости напряжения u1, генерируемого структурой на частоте изгибного резонанса при возбуждающем поле h = 8 Э, и частоты этого резонанса f1 от напряженности поля E в слое PZT. Видно, что u1 на начальном участке линейно возрастает от 400 мВ до 550 мВ при увеличении E до 15 кВ/см, затем падает до начального значения 400 мВ при E = 0 и продолжает уменьшаться до нуля в поле E = −6.5 кВ/см. Затем u1, скачкообразно возрастает до ~450 мВ и продолжает расти при дальнейшем уменьшении E до −15 кВ/см. При последующем изменении E от 15 кВ/см до +15 кВ/см процесс повторяется и формируется гистерезисная зависимость u1(E) типа “бабочка”. Зависимость f1(E) также имеет вид “бабочка”. Максимальное изменение частоты колебаний структуры, вызванное полем E, достигало Δf1 ≈ 2.0 кГц, или Δf1/f1 ≈ 12%.

Рис. 3.

Зависимости МЭ напряжения u1 и частоты f1 изгибных колебаний Ni-PZT структуры от электрического поля E.

Как следует из (1), МЭ коэффициент может зависеть от E из-за полевой зависимости пьезомодуля d31(E), диэлектрической проницаемости ε(E), а также диэлектрических потерь tg δ(E) ПЭ слоя структуры. В [16] показано, что поле E может изменять ε в несколько раз. В нашем случае изменение ε приводило к изменению МЭ напряжения в ~2.5 раза при увеличении E от 5 до +15 кВ/см. В полях переполяризации EC ≈ ±7 кВ/см дипольный момент ПЭ слоя P меняет направление, проходя через нуль. Пьезомодуль, величина которого d13 ~ P, в этой точке также обращается в нуль. Это приводит, в соответствии с формулой (1), к падению МЭ напряжения до нуля. Акустические потери PZT керамики в области переполяризации могут изменяться на ~30% [17]. Увеличение потерь вызывает уменьшение добротности Q1 колебаний и дополнительное падение амплитуды u1 МЭ напряжения. Перестройка частоты f1 колебаний свидетельствует, согласно (2), об изменении эффективного модуля Юнга структуры. Поле E селективно меняет модуль Юнга Yp ПЭ слоя. Вызванный полем E сдвиг частоты Δf1 = 2.0 кГц соответствует изменению модуля Юнга PZT керамики на ∆Yp/Yp(0) ≈ 25%. Таким образом, в структурах с PZT слоями с помощью электрического поля E можно сильно изменять величину МЭ эффекта и на ~12% перестраивать частоту МЭ резонатора. В структурах, содержащих ПЭ слои из монокристаллов лангатата, кварца или GaAs, эффективность МЭ преобразования от электрического поля изменяется не более, чем на 20%, а частота резонанса перестраивается менее, чем на 1%.

Влияние температуры на характеристики МЭ эффекта исследовали на двухслойной Ni-PZT структуре диаметром D = 25 мм. Структура была изготовлена методом электролитического осаждения Ni на керамический диск. Толщина слоя Ni составляла am = 30 мкм, а слоя PZT керамики ap = 0.2 мм [18]. Частота основной изгибной моды акустических колебаний резонатора при комнатной температуре T = 290 K равнялась   f1 = 2.45 кГц. На рис. 4 приведены зависимости напряжения u1, генерируемой структурой на резонансной частоте, и самой резонансной частоты f1 от температуры T в диапазоне 210–360 К.

Рис. 4.

Зависимость амплитуды МЭ напряжения u1 и частоты резонанса f1 для PZT-Ni диска от температуры T.

Видно, что u1 монотонно падает от u ~ 0.6 В при температуре 220 К до нуля при 350 К. Резонансная частота демонстрирует более сложную зависимость. Максимальное изменение частоты составило Δf ≈ 380 Гц или 16%, что значительно превосходит возможный сдвиг частоты из-за температурного расширения слоев. Вид температурной зависимости МЭ напряжения u(T) обусловлен температурными зависимостями диэлектрической проницаемости ε(T) и пьезомодуля d13(T) ПЭ слоя, температурной зависимостью пьезомагнитного модуля q(T) ФМ слоя, а также температурной зависимостью добротности структуры Q(T). Значительное температурное изменение частоты резонанса, как следует из (2), скорее всего, обусловлено двумя эффектами: изменением модулей Юнга слоев, либо возникновением статической деформации в структуре, обусловленной разницей в коэффициентах температурного расширения слоев [18]. Показано, что температура T позволяет сильно изменять эффективность МЭ преобразования ${{\alpha }_{E}}$ и незначительно перестраивать частоту ФМ резонаторов типа магнитониобат-титанат свинца–никель [19], магнитный сплав Vitrovac (Fe39Ni39Mo4Si6B12) – пьезополимер (PVDF) [20], аморфный сплав (FeBSiC) – пьезокерамика (PZT) – аморфный сплав FeBSiC [21].

Влияние механических напряжений на характеристики МЭ эффекта исследовали на двухслойной структуре PZT-аморфный магнитный сплав (Metglas 2605S3A). Размеры ПЭ слоя составляли 30 × 4 × 0.2 мм3, а размеры ФМ слоя 30 × 4 × × 0.02 мм3. Слои были соединены с помощью эпоксидного клея. Растягивающие механические напряжения N = 0–2.5 МПа прикладывали вдоль длинной оси структуры. Измеряли зависимости МЭ напряжения u от постоянного поля H вне резонанса на частоте возбуждающего магнитного поля f = 5.8 кГц. На рис. 5 приведены зависимости МЭ напряжения от поля u(H) для трех значений механических напряжений. Видно, что увеличение N приводит к падению u и смещению поля Hm, соответствующего максимуму напряжения, в область меньших полей. Как следует из (2), эффект может быть обусловлен только изменением вида полевой зависимости пьезомагнитного коэффициента q(H) из-за дополнительного поля анизотропии Ha, создаваемого механическим напряжением.

Рис. 5.

Зависимости МЭ напряжения от поля H в структуре PZT-Metglas при механических напряжениях N: 1 – 0, 2 – 1, 3 – 2 МПа.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Таким образом, показаны возможности управления характеристиками резонансного МЭ эффекта в структурах ферромагнетик–пьезоэлектрик с помощью внешних воздействий, избирательно влияющих на характеристики слов. Зависимость пьезомагнитного коэффициента и жесткости ФМ слоя от внешнего магнитного поля H и зависимость пьезомодуля, диэлектрической проницаемости и жесткости ПЭ слоя от электрического поля E приводят к значительному изменению МЭ коэффициента и перестройке в небольших пределах частоты акустического резонанса структуры. К аналогичным эффектам приводят температурные зависимости пьезомодуля и диэлектрической проницаемости ПЭ слоя, пьезомагнитного коэффициента ФМ слоя и различие в коэффициентах температурного расширения слоев. Эффективностью МЭ преобразования можно также управлять с помощью механических напряжений, создаваемых внешней силой.

Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки РФ, проект № 8.1183.2017 ПЧ, а также Российского Фонда Фундаментальных Исследований, проект № 18-502-12037.

Список литературы

  1. Nan C.-W., Bichurin M.I., Dong S. et al. // J. Appl. Phys. 2008. V. 103. Art. № 031101.

  2. Srinivasan G. // Annu. Rev. Mater. Res. 2010. V. 40. № 153.

  3. Van Suchtelen J. // Philips Res. Rep. 1972. V. 27. № 28.

  4. Серов В.Н., Фетисов Л.Ю., Фетисов Ю.К., Шестаков Е.И. // Росс. технол. журнал. 2016. Т. 5. № 5. С. 24.

  5. Bayrashev A., Robbins W.P., Ziaie B. // Sens. Actuators. A. 2004. V. 114. № 244.

  6. Srinivasan G., Fetisov Y.K. // Ferroelectrics. 2006. V. 342. № 65.

  7. Palneedi H., Annapureddy V., Priya S., Ryu J. // Actuators. 2016. V. 5. № 1. P. 9.

  8. Harshe G., Dougherty J.P., Newman R.E. // Int. J. Appl. Electromagn. Mater. 1993. V. 3. № 145.

  9. Филиппов Д.А., Бичурин М.И, Петров В.М. и др. // ФТТ. 2004. Т. 46. № 9. С. 1621; Filippov D.A., Bichu-rin M.I., Petrov V.M. et al. // Phys. Sol. St. 2004. V. 46. № 9. P. 1674.

  10. Тимошенко С.П. Колебания в инженерном деле. М.: Физматлит. 1959. 439 с.

  11. Фетисов Л.Ю., Фетисов Ю.К., Каменцев К.Е. // ФТТ. 2009. Т. 51. № 11. С. 2175; Fetisov L.Y., Fetisov Y.K., Kamentsev K.E. // Phys. Sol. St. 2009. V. 51. № 11. P. 2308.

  12. Фетисов Л.Ю., Чашин Д.В., Перов Н.С., Фети-сов Ю.К. // ЖТФ. 2011. Т. 81. № 4. С. 56; Fetisov L.Y., Perov N.S., Fetisov Y.K., Chashin D.V. // Tech. Phys. Russ. J. Appl. Phys. 2011. V. 56. № 4. P. 485.

  13. Fetisov L.Y., Kamentsev K.E., Srinivasan G. et al. // J. Appl. Phys. 2009. V. 105. Art. № 123918.

  14. Yao Y.P., Hou Y., Dong S.N., Li X. G. // J. Appl. Phys. 2011. V. 110. Art. № 014508.

  15. Fetisov Y.K., Fetisov L.Y., Srinivasan G. // Appl. Phys. Lett. 2009. V. 94. Art. № 132507.

  16. Яффе Б., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. М.: Мир, 1974. 288 с.

  17. Ryzhenko V., Burianova L., Hana P. // J. Electroceram. 2008. V. 20. P. 35.

  18. Burdin D.A., Chashin D.V., Ekonomov N.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2012. V. 112. Art. № 242902.

  19. Бурдин Д.А., Фетисов Ю.К., Чашин Д.В., Экономов Н.А. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. № 14. С. 41.

  20. Gutierrez J., Lasheras A., Barandiaran J.M. et al. // Key Engin. Mater. 2011. V. 495. P. 351.

  21. Ye J.X., Ma J.N., Hu J.M. et al. // J. Appl. Phys. 2014. V. 116. Art. № 074103.

Дополнительные материалы отсутствуют.