Известия РАН. Серия физическая, 2020, T. 84, № 1, стр. 128-131

Особенности распространения уединенной электромагнитной волны в двумерной сверхрешетке на основе графена

С. Ю. Глазов 1 2*, Г. А. Сыродоев 1

1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Волгоградский государственный социально-педагогический университет”
Волгоград, Россия

2 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Волгоградский государственный медицинский университет”
Волгоград, Россия

* E-mail: ser-glazov@yandex.ru

Поступила в редакцию 29.07.2019
После доработки 30.08.2019
Принята к публикации 27.09.2019

Полный текст (PDF)

Аннотация

Получено уравнение, описывающее распространение электромагнитных волн в двумерной графеновой сверхрешетке в бесстолкновительном приближении. Выявлено влияние неаддитивности энергетического спектра и высокочастотного электрического поля на распространение уединенного электромагнитного импульса вдоль произвольных направлений образца. Рассчитан солитонно-электрический ток и заряд, увлекаемый солитоном.

ВВЕДЕНИЕ

Особенности распространения уединенных электромагнитных импульсов (УЭИ) в структурах на основе графена вызывают большой интерес у исследователей нелинейных оптических явлений [17]. Графеновые структуры могут использоваться в качестве рабочей среды для генерации УЭИ [1], имеющих ряд приложений [8, 9]. В работе [3] изучена возможность генерации уединенных электромагнитных волн нового типа в одномерных сверхрешетках (CР) на основе графена (ГСР). В последнее время внимание исследователей сосредотачивается на изучении 2D ГСР [1013]. В этой связи представляется актуальным исследование особенностей распространения УЭИ в 2D ГСР.

В большинстве предшествующих работ, посвященных эволюции УЭИ, изучается распространение волн вдоль характерных кристаллографических осей (например, поперек оси СР) [2, 3, 8, 1417]. В данной работе предложена и исследована система уравнений, описывающая распространение УЭИ вдоль произвольных направлений в плоскости 2D ГСР в бесстолкновительном приближении. Кроме того, рассмотрено влияние высокочастотного электромагнитного поля на распространение УЭИ и рассчитан солитонно-электрический ток и заряд, увлекаемый солитоном в 2D ГСР.

ОСНОВНЫЕ УРАВНЕНИЯ

Энергетический спектр носителей заряда в 2D ГСР на подложке из периодически чередующихся областей бесщелевого и щелевого графена в одноминизонном приближении имеет вид [10]

(1)
$\varepsilon (\vec {p}) = \pm \sqrt {\Delta _{0}^{2} + \Delta _{1}^{2}\left( {1 - \cos ({{{{p}_{x}}{{d}_{1}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{p}_{x}}{{d}_{1}}} \hbar }} \right. \kern-0em} \hbar })} \right) + \Delta _{2}^{2}\left( {1 - \cos ({{{{p}_{у}}{{d}_{2}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{p}_{у}}{{d}_{2}}} \hbar }} \right. \kern-0em} \hbar })} \right)} ,$
где px, py − компоненты квазиимпульса электрона, di = ai + bi − период ГСР, ai и bi − ширины ячеек бесщелевого и щелевого графена. Разные знаки относятся к минизоне проводимости и валентной минизоне. Энергетический спектр ГСР неаддитивен, поэтому существует зависимость движения носителей заряда вдоль ортогональных направлений, и непараболичен, что определяет нелинейную зависимость скорости электрона от квазиимпульса и нелинейные свойства таких структур, проявляющиеся уже в сравнительно слабых полях. Эта нелинейность и приводит к возможности распространения в такого рода структурах УЭИ [14].

Плотность электрического тока имеет вид

(2)
$\vec {j} = - e\sum {n(\vec {p})\vec {\upsilon }\left( {\vec {p} + \frac{e}{c}{\vec {A}}(\vec {r},t)} \right)} ,$
где $n(\vec {p})$ − невозмущенная функция распределения электронов, $\vec {\upsilon }\left( {\vec {p}} \right)$ = (∂ε/∂px, ∂ε/∂py) − скорость электронов, ${\vec {A}}(\vec {r},t)$ − векторный потенциал поля. Будем считать, что характерная длина, на которой происходит изменение электромагнитного поля, велика по сравнению с де-бройлевской длиной волны электрона и периодом ГСР, а характерное время изменения поля малым по сравнению со временем свободного пробега электрона τ и будем пренебрегать столкновениями электронов с решеткой.

Разложив скорость в двойной ряд Фурье, подставив в (2) и предполагая электронный газ невырожденным, найдем выражение для плотности тока

(3)
$\begin{gathered} \vec {j} = - \frac{{e{{n}_{0}}}}{a}\left( {\sum\limits_{n = 1}^\infty {\sum\limits_{m = - \infty }^\infty {{{В}_{{nm}}}\sin (n{{\varphi }_{x}})\cos (m{{\varphi }_{y}}} } )} \right., \\ \left. {\sum\limits_{n = 1}^\infty {\sum\limits_{m = - \infty }^\infty {{{C}_{{nm}}}\sin (n{{\varphi }_{y}})\cos (m{{\varphi }_{x}}} } )} \right), \\ \end{gathered} $
где n0 − поверхностная концентрация электронов проводимости, а − толщина слоя графена, $\vec {\varphi }$ =  $\frac{e}{{c\hbar }}{\text{(}}{{{\text{A}}}_{x}}{{d}_{1}},{{{\text{A}}}_{y}}{{d}_{2}})$ − безразмерный векторный потенциал, Bnm = anmInm/I00, Inm = = $\int_{ - {\pi }}^{\pi } {\int_{ - {\pi }}^{\pi } {\cos (nx)\cos (my)\exp } } $ × × $[{{ - \sqrt {\Delta _{0}^{2} + \Delta _{1}^{2}\left( {1 - \cos (x)} \right) + \Delta _{2}^{2}\left( {1 - \cos (y)} \right)} } \mathord{\left/ {\vphantom {{ - \sqrt {\Delta _{0}^{2} + \Delta _{1}^{2}\left( {1 - \cos (x)} \right) + \Delta _{2}^{2}\left( {1 - \cos (y)} \right)} } {kT}}} \right. \kern-0em} {kT}}]dxdy,$ T − температура, ${{a}_{{nm}}} = \frac{{\Delta _{1}^{2}{{d}_{1}}}}{{2\hbar {{\pi }^{2}}}}$ × × $\int_{ - {\pi }}^{\pi } {\int_{ - {\pi }}^{\pi } {\frac{{\sin (x)\sin (nx)\cos (my)dxdy}}{{\sqrt {\Delta _{0}^{2} + \Delta _{1}^{2}\left( {1 - \cos (x)} \right) + \Delta _{2}^{2}\left( {1 - \cos (y)} \right)} }}} } ,$ Cnm определяется аналогично Bnm через коэффициенты разложения в ряд Фурье проекции скорости электронов на ось y.

Подставим (3) в уравнение для векторного потенциала

(4)
$\frac{{{{\partial }^{2}}{\vec {A}}}}{{\partial {{x}^{2}}}} + \frac{{{{\partial }^{2}}{\vec {A}}}}{{\partial {{y}^{2}}}} - \frac{{\text{1}}}{{{{V}^{{\text{2}}}}}}\frac{{{{\partial }^{2}}{\vec {A}}}}{{\partial {{t}^{2}}}} + \frac{{4\pi }}{c}\vec {j}({{{\text{A}}}_{x}}{\text{,}}{{{\text{A}}}_{y}}) = 0,$
где V = cχ–1/2 − скорость электромагнитной волны в отсутствии электронов, χ − эффективная диэлектрическая проницаемость. Из-за существенной непараболичности спектра электронов в ГСР ток проводимости есть в общем случае нелинейная функция поля и уравнение (4) является нелинейным. Отметим, что из-за неаддитивности энергетического спектра ортогональные составляющие векторного потенциала оказываются взаимосвязанными, что существенно сказывается на эволюции УЭИ в ГСР.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ

Нелинейное волновое уравнение (4) в общем случае решается численно с применением метода разностных схем.

Рассмотрим далее некоторые частные случаи уравнения (4), которые имеют аналитические решения. В качестве примера выберем такие 2D ГСР, для которых влияние неаддитивности энергетического спектра слабое. В работе [13] показано, что с увеличением периода ГСР уменьшается неаддитивность энергетического спектра и при d > 5 ∙ 10–6 см, можно с хорошей степенью точности аппроксимировать “истинный” спектр структуры аддитивной зависимостью энергии от квазиимпульса. В нашем случае, увеличение периода ГСР будет приводить к более быстрому уменьшению значений коэффициентов Bnm и Cnm с ростом индексов. Подбирая периоды d1 и d2 можно добиваться разной силы связи между ортогональными направлениями.

Приведем один из частных случаев, соответствующих симметричной сверхрешетке (d1 = d2 = = d ≈ 2 ∙ 10–6 см, Δ1= Δ2= Δ ≈ 0.332ΔSiC, ΔSiC = 0.13 эВ, ширина запрещенной зоны между валентной зоной и зоной проводимости εg = 0.8573ΔSiC; ширина запрещенной зоны между первой и второй зонами проводимости εg12= 0.6270ΔSiC; ширина первой минизоны проводимости εe = 0.2111ΔSiC). При разложении спектра в ряд Фурье в этом случае можно ограничиться первыми слагаемыми

(5)
$\begin{gathered} \varepsilon (\vec {p}) = {{\Delta }_{{{\text{SiC}}}}}\left\{ {{{g}_{1}} - \frac{{{{g}_{2}}}}{2}\left[ {\cos \left( {\frac{{{{p}_{x}}d}}{\hbar }} \right) + \cos \left( {\frac{{{{p}_{у}}d}}{\hbar }} \right)} \right] - } \right. \\ \left. { - \,\,{{g}_{3}}\cos \left( {\frac{{{{p}_{x}}d}}{\hbar }} \right)\cos \left( {\frac{{{{p}_{у}}d}}{\hbar }} \right)} \right\}, \\ \end{gathered} $
где g1 = 0.624475, g2 = 0.1787, g3 = 0.01306. Для рассматриваемого примера максимальное расхождение спектров составляет 2%.

С другой стороны, в выражении для плотности тока (3) коэффициенты Вnm и Сnm для рассматриваемого случая быстро убывают и можно ограничиться первыми слагаемыми. Приведенная ниже система уравнений для компонент безразмерного векторного потенциала соответствует слабой неаддитивности энергетического спектра

(6)
$\begin{gathered} \frac{{{{\partial }^{2}}{{{\varphi }}_{x}}}}{{\partial {{{\tilde {t}}}^{2}}}} - \frac{{{{\partial }^{2}}{{{\varphi }}_{x}}}}{{\partial {{{\tilde {x}}}^{2}}}} - \frac{{{{\partial }^{2}}{{{\varphi }}_{x}}}}{{\partial {{{\tilde {y}}}^{2}}}} + \sin {{{\varphi }}_{x}}(1 + \beta \cos {{{\varphi }}_{y}}) = 0, \\ \frac{{{{\partial }^{2}}{{{\varphi }}_{y}}}}{{\partial {{{\tilde {t}}}^{2}}}} - \frac{{{{\partial }^{2}}{{{\varphi }}_{y}}}}{{\partial {{{\tilde {x}}}^{2}}}} - \frac{{{{\partial }^{2}}{{{\varphi }}_{y}}}}{{\partial {{{\tilde {y}}}^{2}}}} + \sin {{{\varphi }}_{y}}(1 + \beta \cos {{{\varphi }}_{x}}) = 0, \\ \end{gathered} $
где $\beta = {{2{{B}_{{11}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{2{{B}_{{11}}}} {{{B}_{{10}}}}}} \right. \kern-0em} {{{B}_{{10}}}}}$, $\tilde {t} = {{t\varpi } \mathord{\left/ {\vphantom {{t\varpi } {\sqrt \chi }}} \right. \kern-0em} {\sqrt \chi }},$ $\tilde {x} = {{x\varpi } \mathord{\left/ {\vphantom {{x\varpi } c}} \right. \kern-0em} c},$ $\tilde {y} = {{y\varpi } \mathord{\left/ {\vphantom {{y\varpi } c}} \right. \kern-0em} c},$ ${{\varpi }^{2}}$ =  ${{2\pi {{n}_{0}}{{e}^{2}}{{B}_{{10}}}d} \mathord{\left/ {\vphantom {{2\pi {{n}_{0}}{{e}^{2}}{{B}_{{10}}}d} {\hbar a}}} \right. \kern-0em} {\hbar a}}.$

Если β = 0, то связь между ортогональными компонентами пропадает, и уравнения (6) представляют собой хорошо известное двумерное синус-уравнение Гордона.

Учитывая симметрию уравнений (6) и задавая симметричные начальные условия можно получить уравнение, описывающее распространение УЭИ под углом 45° к осям ГСР

(7)
$\frac{{{{\partial }^{2}}{\varphi }}}{{\partial {{{\tilde {t}}}^{2}}}} - \frac{{{{\partial }^{2}}{\varphi }}}{{\partial {{{\tilde {l}}}^{2}}}} + \sin {\varphi } + \frac{\beta }{2}\sin (2{\varphi }) = 0,$
где $\tilde {l} = {{\tilde {x}} \mathord{\left/ {\vphantom {{\tilde {x}} {\sqrt 2 }}} \right. \kern-0em} {\sqrt 2 }}.$ Уравнение (7) является двойным синус-уравнением Гордона, кинковое решение которого хорошо известно [15, 16]
(8)
${{{\varphi }}_{x}}(\tilde {t},\tilde {l}) = - 2{\text{arctg}}\left[ {\frac{{\sqrt {{\beta } + 1} }}{{sh({{\xi } \mathord{\left/ {\vphantom {{\xi } {{{{\xi }}_{0}}}}} \right. \kern-0em} {{{{\xi }}_{0}}}})}}} \right],$
где $\xi = {{\tilde {l} - \tilde {t}u} \mathord{\left/ {\vphantom {{\tilde {l} - \tilde {t}u} V}} \right. \kern-0em} V};$ ${{\xi }_{0}} = {{\sqrt {1 - {{{({u \mathord{\left/ {\vphantom {u V}} \right. \kern-0em} V})}}^{2}}} } \mathord{\left/ {\vphantom {{\sqrt {1 - {{{({u \mathord{\left/ {\vphantom {u V}} \right. \kern-0em} V})}}^{2}}} } {\sqrt {\beta + 1} }}} \right. \kern-0em} {\sqrt {\beta + 1} }},$ u – скорость кинка.

Одним из проявлений существования уединенных волн может выступить эффект увлечения электронов такой волной − возникновение электрического тока в направлении распространения волны. Природа этого эффекта сходна с природой радиоэлектрического эффекта и объясняется как результат передачи импульса электромагнитной волной электронной подсистеме. В [15] для полупроводниковых СР со спектром, описываемым в модели, выходящей за рамки учета влияния только “ближайших соседей” найдена плотность солитонно-электрического тока и заряд, увлекаемый солитоном. Для нашего случая плотность тока имеет вид

(9)
$\begin{gathered} {{j}_{l}} = \frac{{e{{n}_{0}}{{\Delta }_{{{\text{SiC}}}}}{{g}_{2}}}}{{mu}}\frac{{\beta + 1}}{{{\text{ch}}{{{({\xi \mathord{\left/ {\vphantom {\xi {{{\xi }_{0}}}}} \right. \kern-0em} {{{\xi }_{0}}}})}}^{2}} + \beta }} \times \\ \times \,\,\left[ {1 + \frac{{4{{g}_{3}}}}{{{{g}_{2}}}}\frac{{{\text{sh}}{{{({\xi \mathord{\left/ {\vphantom {\xi {{{\xi }_{0}}}}} \right. \kern-0em} {{{\xi }_{0}}}})}}^{2}}}}{{{\text{ch}}{{{({\xi \mathord{\left/ {\vphantom {\xi {{{\xi }_{0}}}}} \right. \kern-0em} {{{\xi }_{0}}}})}}^{2}} + \beta }}} \right], \\ \end{gathered} $
где n0 – концентрация зарядов в минизоне проводимости. Ток увлечения носит импульсный характер с длительностью одного импульса порядка ${{\xi }_{0}}$cϖ–1u–1. В данной ситуации наблюдаемой величиной является заряд q, переносимый через единицу площади поперечного сечения образца. Количество заряда, переносимое через единицу площади поперечного сечения образца при прохождении одного кинка ${\text{после}}$ интегрирования плотности тока по времени $q = \int_{ - \infty }^{ + \infty } {jdt} $ представим в виде
(10)
$\begin{gathered} q = \frac{{2e{{n}_{0}}{{\Delta }_{{{\text{SiC}}}}}{{g}_{2}}(\beta + 1){{\xi }_{0}}}}{{m{{u}^{2}}}} \times \\ \times \,\,\left[ {f(\beta ) + \frac{{4{{g}_{3}}}}{{{{g}_{2}}}}(1 - f(\beta ))} \right], \\ \end{gathered} $
где $f(\beta )$ = ${{({\text{arth}}({{1 + 1} \mathord{\left/ {\vphantom {{1 + 1} {\beta }}} \right. \kern-0em} {\beta }})} \mathord{\left/ {\vphantom {{({\text{arth}}({{1 + 1} \mathord{\left/ {\vphantom {{1 + 1} {\beta }}} \right. \kern-0em} {\beta }})} {[{\beta }(1 - f({\beta }))]{{)}^{{{1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 2}} \right. \kern-0em} 2}}}}}}} \right. \kern-0em} {[{\beta }(1 - f({\beta }))]{{)}^{{{1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 2}} \right. \kern-0em} 2}}}}}},$ при $\beta \ll 1$ выражение упрощается $f(\beta ) = {{1 - 8\beta } \mathord{\left/ {\vphantom {{1 - 8\beta } 3}} \right. \kern-0em} 3}.$

При распространении УЭИ вдоль оси х ГСР, для которой напряженность электрического поля совпадает с осью y, а магнитное поле перпендикулярно плоскости образца, система уравнений (6) трансформируется к уравнению

(11)
$\frac{{{{\partial }^{2}}{{{\varphi }}_{y}}}}{{\partial{ \tilde {t}}_{1}^{2}}} - \frac{{{{\partial }^{2}}{{{\varphi }}_{y}}}}{{\partial{ \tilde {x}}_{1}^{2}}} + \sin {{{\varphi }}_{y}} = 0,$

которое имеет кинковое решение в виде уединенного 2π-импульса

(12)
${{{\varphi }}_{y}}({{\tilde {t}}_{1}},{{\tilde {x}}_{1}}) = 4{\text{arctg}}\left[ {\exp \left( {\frac{{{{\tilde {x}{}_{1} - {{{\tilde {t}}}_{1}}u} \mathord{\left/ {\vphantom {{\tilde {x}{}_{1} - {{{\tilde {t}}}_{1}}u} {\text{V}}}} \right. \kern-0em} {\text{V}}}}}{{\sqrt {1 - {{{({u \mathord{\left/ {\vphantom {u {\text{V}}}} \right. \kern-0em} {\text{V}}})}}^{2}}} }}} \right)} \right].$

Уравнение (11) представляет синус-уравнение Гордона с перенормированными безразмерными координатами ${{\tilde {x}}_{1}} = \tilde {x}\sqrt {1 + \beta } ,$ ${{\tilde {t}}_{1}} = \tilde {t}\sqrt {1 + \beta } .$

Будем предполагать, что ширина уединенной волны велика по сравнению с длиной свободного пробега электрона, а время действия уединённой волны на электрон мало по сравнению со временем свободного пробега электрона, при типичных значениях параметров эти предположения выполняются. При таких условиях движение электронов в поле уединенной волны можно описывать классическим кинетическим уравнением Больцмана без учета столкновений и пространственной производной функции распределения, тем самым функция распределения предполагается локально однородной и зависящей от координаты только как от параметра (через зависимость электрического и магнитного полей). Уравнение Больцмана в этом случае имеет вид

(13)
$\frac{{\partial f}}{{\partial t}} + \left\{ {eE + \frac{e}{c}[\upsilon (p),H]} \right\}\frac{{\partial f}}{{\partial p}} = 0.$

Решением уравнения будет функция f(p, t) = = f0(p'(t0; p, t)), где p'(t'; p, t) − решение следующего классического уравнения движения электрона:

(14)
$\frac{{dp{\kern 1pt} '}}{{dt{\kern 1pt} '}} = eE(t{\kern 1pt} ') + \frac{e}{c}[\upsilon {\kern 1pt} '(p{\kern 1pt} '),H(t{\kern 1pt} ')]$

с начальным условием t' = t, p' = р, a f0(p) − функция распределения в начальный момент времени t0. Для невырожденного электронного газа функция распределения имеет вид ${{f}_{0}} = A\exp ({{\varepsilon ({{p}_{x}},{{p}_{y}})} \mathord{\left/ {\vphantom {{\varepsilon ({{p}_{x}},{{p}_{y}})} {kT}}} \right. \kern-0em} {kT}}),$ где Т − температура. Поскольку скорость электрона гораздо меньше скорости уединенной волны, уравнение (14) решаем итерациями по слагаемому содержащему напряженность магнитного поля Н. В результате получим выражение для плотности тока увлечения

(15)
${{j}_{x}} = \frac{{e{{n}_{0}}{{\Delta }_{{{\text{SiC}}}}}{{g}_{2}}}}{{mu}}\frac{1}{{{\text{ch}}{{{({\xi \mathord{\left/ {\vphantom {\xi {{{\xi }_{0}}}}} \right. \kern-0em} {{{\xi }_{0}}}})}}^{2}}}}.$

При экспериментальном исследовании эффекта наблюдаемой величиной является, например заряд, переносимый солитоном при его распространении

(16)
$q = \int\limits_{ - \infty }^{ + \infty } {{{j}_{x}}dt} = \frac{{2e{{n}_{0}}{{\Delta }_{{{\text{SiC}}}}}{{g}_{2}}{{\xi }_{0}}}}{{m{{u}^{2}}}}.$

Далее рассмотрим влияние ВЧ электромагнитного поля на распространение УЭИ в 2D ГСР вдоль оси y. Внешнее однородное ВЧ-поле будем считать эллиптически поляризованным. Учет такого поля можно произвести, сделав в уравнении для векторного потенциала

(17)
$\frac{{{{\partial }^{2}}{{{\varphi }}_{x}}}}{{\partial {{{\tilde {t}}}^{2}}}} - \frac{{{{\partial }^{2}}{{{\varphi }}_{x}}}}{{\partial {{{\tilde {y}}}^{2}}}} + \sin {{{\varphi }}_{x}}(1 + \beta \cos {{{\varphi }}_{y}}) = 0$

замену ${{{\varphi }}_{x}} \to {{{\varphi }}_{x}} + {{\alpha }_{x}}\sin (\omega t),$ ${{{\varphi }}_{y}} \to {{\alpha }_{y}}\cos (\omega t),$ где $\vec {\alpha } = {{e\vec {E}d} \mathord{\left/ {\vphantom {{e\vec {E}d} \omega }} \right. \kern-0em} \omega },$ $\vec {E}$, ω − амплитуда и частота ВЧ-поля соответственно. После усреднения по “быстрому” времени, с периодом T = 2π/ω, много меньшим длительности импульса, получим уравнение, описывающее распространение УЭИ с учетом влияния поля накачки

(18)
$\begin{gathered} \frac{{{{\partial }^{2}}{{{\varphi }}_{x}}}}{{\partial {{{\tilde {t}}}^{2}}}} - \frac{{{{\partial }^{2}}{{{\varphi }}_{x}}}}{{\partial {{{\tilde {y}}}^{2}}}} + \\ + \,\,\sin {{{\varphi }}_{x}}\left( {{{J}_{0}}({{\alpha }_{x}}) + \beta {{J}_{0}}\left( {\sqrt {\alpha _{x}^{2} + \alpha _{y}^{2}} } \right)} \right) = 0, \\ \end{gathered} $
где J0(x) − функция Бесселя. Если параметры внешнего поля такие, что ${{J}_{0}}({{\alpha }_{x}}) + \beta {{J}_{0}}\left( {\sqrt {\alpha _{x}^{2} + \alpha _{y}^{2}} } \right)$ > 0, то решение полученного уравнения сводится к солитонному решению (10) перенормировкой безразмерных координат. Параметры солитона при этом будут осциллировать с изменением параметров внешнего поля. Если поле накачки удовлетворяет условию ${{J}_{0}}({{\alpha }_{x}}) + \beta {{J}_{0}}\left( {\sqrt {\alpha _{x}^{2} + \alpha _{y}^{2}} } \right)$ < 0, то для уравнения (18) существует автомодельное решение [18], отвечающее усилению УЭИ, распространяющегося через ГСР. В работе [17] данный подход применен для исследования влияния ВЧ-поля на форму солитона в 2D полупроводниковой СР с неаддитивным спектром.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Получено уравнение описывающее распространение электромагнитных волн в 2D ГСР в бесстолкновительном приближении. Из-за неаддитивности энергетического спектра ортогональные составляющие векторного потенциала оказываются взаимосвязанными, что существенно сказывается на эволюции УЭИ в 2D ГСР. Рассчитан солитонно-электрический ток и заряд, увлекаемый солитоном при его распространениии. Показано, что при воздействии на систему высокочастотного электрического поля возможно усиление уединенной волны.

Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ (проект № 18-42-340005) и Минобрнауки России (выполнение государственных работ в сфере научной деятельности в рамках проектной части государственного задания, код проекта: 3.2797.2017/4.6).

Список литературы

  1. Popa D., Sun Z., Torrisi F. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. P. 203106.

  2. Martin-Vergara F., Rus F., Villatoro F.R. // Nonlin. Systems. 2018. V. 2. P. 85.

  3. Kryuchkov S.V., Kukhar’ E.I. // Phys. B. 2013. V. 408. P. 188.

  4. Smirnova D.A., Shadrivov I.V., Smirnov A.I. et al. // Las. Photon. Rev. 2014. V. 8. P. 291.

  5. Bludov Yu.V., Smirnova D.A., Kivshar Yu.S. et al. // Phys. Rev. B. 2015. V. 91. Art. № 045424.

  6. Конобеева Н.Н., Белоненко М.Б. // Опт. и спектроск. 2016. Т. 120. № 6. С. 1005; Konobeeva N.N., Belonenko M.B. // Opt. Spectrosc. 2016. V. 120. № 6. P. 940.

  7. Кухарь Е.И., Крючков С.В., Ионкина Е.С. // ФТП. 2018. Т. 52. № 6. С. 620; Kukhar E.I., Kryuchkov S.V., Ionkina E.S. // Semiconductors. 2018. V. 52. № 6. P. 766.

  8. Крючков С.В., Капля Е.В. // ЖТФ. 2003. V. 48. P. 53.

  9. Sun Z., Hasan T., Ferrari A.C. // Phys. E. 2012. V. 44. P. 1082.

  10. Kryuchkov S.V., Popov C.A. // J. Nano Electron. Phys. 2017. V. 9. № 2. P. 02013.

  11. Forsythe C., Zhou X., Watanabe K. et al. // Nat. Nanotechnol. 2018. V. 13. P. 566.

  12. Zhang Y., Kim Y., Gilbert M.J. et al. // arXiv:1703.05689 [cond-mat.mes-hall]. 2018.

  13. Бадикова П.В., Глазов С.Ю., Сыродоев Г.А. // ФТП. 2019. Т. 53. № 7. С. 927.

  14. Эпштейн Э.М. // ФТТ. 1977. Т. 19. № 11. С. 3456.

  15. Крючков С.В., Сыродоев Г.А. // Изв. вузов. Радиофиз. 1990. V. 33. № 12. С. 1427.

  16. Крючков С.В., Федоров Э.Г. // ФТП. 2002. Т. 36. № 3. С. 326.

  17. Крючков С.В., Шаповалов А.И. // ФТТ. 1997. Т. 39. № 8. С. 1470.

  18. Беленов Э.М. Крюков П.Г., Назаркин А.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1993. Т. 58. № 5. С. 331.

Дополнительные материалы отсутствуют.