Известия РАН. Серия физическая, 2020, T. 84, № 2, стр. 225-228

Прогнозирование срока службы мощных диодных лазеров по спектру их излучения на начальном этапе эксплуатации

В. В. Близнюк 1*, О. И. Коваль 1, В. А. Паршин 1, А. Г. Ржанов 2, А. Е. Тарасов 1, В. С. Григорьев 1

1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Национальный исследовательский университет “МЭИ”
Москва, Россия

2 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования “Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова”, физический факультет
Москва, Россия

* E-mail: 4059541@mail.ru

Поступила в редакцию 26.08.2019
После доработки 13.09.2019
Принята к публикации 28.10.2019

Полный текст (PDF)

Аннотация

Предлагается метод прогнозирования срока службы мощных лазерных диодов с широким контактом на основе спектральных измерений в начальные часы эксплуатации этих приборов. Рассматриваются вопросы формирования спектров и каналов генерации в этих устройствах при разной накачке и сроке эксплуатации.

ВВЕДЕНИЕ

Мощные полупроводниковые лазерные диоды (ЛД) с гетероструктурами квантовых размеров широко используются в разных областях науки, техники и медицины. К таким лазерам принято относить ЛД с мощностью непрерывной генерации от нескольких сотен милливатт до 20 Вт – максимального значения мощности, достигнутой в настоящее время [15]. Исследования показывают, что срок службы ЛД мощностью 0.5–2 Вт не превышает 5000 ч [6]. Известны несколько методик прогнозирования срока службы мощных ЛД [1, 5, 7]. Однако их использование связано со значительным расходованием ресурса лазеров, применением дорогостоящей контрольно-измерительной аппаратуры и прерыванием работы ЛД. В связи с этим актуальной становится задача прогнозирования срока службы мощных ЛД не только за малое время, но и на начальном этапе их работы.

В процессе тестирования партии ЛД, изготовленных в 2012 г., нами наблюдалась трансформация их спектра излучения [7, 8]. Она проявлялась в переходе от трех ярко выраженных контуров линий, огибающих спектр излучения ЛД и соответствующих трем пространственным каналам генерации в активной области лазерного диода, к четырем линиям, то есть к переходу генерации в четырех каналах.

Изменения в спектре излучения ЛД мы связываем с пространственными вариациями, которые касаются коэффициента нелинейной рефракции полупроводника квантовой ямы и длины когерентности излучения ЛД. Проведённые нами расчеты показали, что меньшее число каналов генерации соответствует большей степени когерентности излучения ЛД, а уменьшение длины когерентности Lког приводит к увеличению числа каналов Nкан [7]:

(1)
${{N}_{{{\text{кан}}}}} \approx nW\sqrt {\frac{{2\pi }}{{\lambda {{L}_{{{\text{ког}}}}}}}} ,$
где n – эффективный показатель преломления лазерного волновода, W – ширина активной области, λ – длина волны излучения.

В данной работе приведены результаты исследований спектральной характеристики партии ЛД, изготовленной в 2017 г. Они имеют ту же конструкцию, что и ЛД из предыдущей партии. В первые несколько часов их эксплуатации были зафиксированы только два канала генерации с центральными частотами ${{\nu }_{{01}}}$ и ${{\nu }_{{02}}}.$ В соответствии с (1) это позволяет заключить, что длина когерентности ЛД из новой партии приборов больше, чем у ЛД из предыдущей партии, когда наблюдались три контура.

Через 240 ч эксплуатации в спектре ЛД ${{f}_{{{\text{эксп}}}}}(\nu )$ возникли три канала генерации ${{f}_{{{\text{расч}}{\text{.}}i}}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{{0i}}}}}{{\Delta {{\nu }_{i}}}}} \right),$ каждому из которых соответствовала линия, огибающая спектр излучения с центральной частотой ${{\nu }_{{01}}}$ < ${{\nu }_{{02}}}$ < ${{\nu }_{{03}}}.$ Анализ функций ${{f}_{{{\text{расч}}{\text{.}}i}}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{{0i}}}}}{{\Delta {{\nu }_{i}}}}} \right),$ показал, что все три линии симметричны относительно частот ${{\nu }_{{01}}},$ ${{\nu }_{{02}}},$ ${{\nu }_{{03}}},$ а в тех областях спектра, где происходит их наложение, выполняется условие:

(2)
${{f}_{{{\text{эксп}}}}}(\nu ) = \sum\limits_{i = 1}^N {{{f}_{{{\text{расч}}{\text{.}}i}}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{{0i}}}}}{{\Delta {{\nu }_{i}}}}} \right)} ,$
где N – число каналов генерации.

После увеличения наработки ЛД до 350 ч в спектре излучения ЛД возникают 4–5 каналов генерации (рис. 1а, 1б). Согласно (1) это означает, что длина когерентности уменьшается.

Рис. 1.

Зависимость параметра T от значения параметра A в начальной стадии эксплуатации ЛД.

Увеличение числа каналов приводит к увеличению числа полос в спектрах. Это объясняется тем, что контур усиления имеет довольно большую ширину (около 6 нм по длине волны) и должен быть заполнен линиями излучения, соответствующими разным каналам.

Для прогнозирования срока службы мощного ЛД предлагается использовать ранее разработанную методику связи срока службы со значением параметра Аi [9] в каждом канале генерации отдельно.

Для количественного анализа функций ${{f}_{{{\text{расч}}{\text{.}}i}}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{{0i}}}}}{{\Delta {{\nu }_{i}}}}} \right)$ их сравнивали с гауссовой функцией ${{f}_{G}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{{0i}}}}}{{\Delta {{\nu }_{i}}}}} \right)$ в пределах ширины i-ой линии $\Delta {{\nu }_{i}}.$ Для проведения такого анализа в пределах каждого канала генерации был введен интегральный спектральный параметр Ai, значение которого рассчитывал по формуле:

(3)
$A = 1 - \int\limits_{{{\nu }_{{\frac{1}{2}min}}}}^{{{\nu }_{{\frac{1}{2}max}}}} {\frac{{\left| {D\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{0}}}}{{\Delta \nu }}} \right) - 1} \right|d\nu }}{{\Delta \nu }}} ,$
где ${{\nu }_{{\frac{1}{2}min}}}$ и ${{\nu }_{{\frac{1}{2}max}}}$ – частоты, которые определялись из условия:
(4)
$\begin{gathered} {{f}_{{{\text{расч}}{\text{.}}\,i}}}\left( {{{\nu }_{{\frac{1}{2}min}}}} \right) = {{f}_{{{\text{расч}}.\,i}}}\left( {{{\nu }_{{\frac{1}{2}max}}}} \right) = \\ = \,\,{{f}_{G}}\left( {{{\nu }_{{\frac{1}{2}min}}}} \right) = {{f}_{G}}\left( {{{\nu }_{{\frac{1}{2}max}}}} \right) = 0.5, \\ \end{gathered} $
(5)
$D\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{0}}}}{{\Delta \nu }}} \right) = \frac{{{{f}_{{{\text{эксп}}}}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{0}}}}{{\Delta \nu }}} \right)}}{{{{f}_{G}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{0}}}}{{\Delta \nu }}} \right)}},$
где ${{\nu }_{{0i}}}$ – центральная частота i-го диапазона частот ${{\nu }_{i}},$ в котором сравнивались гауссова функция ${{f}_{G}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{{0i}}}}}{{\Delta {{\nu }_{i}}}}} \right)$ и функция ${{f}_{{{\text{расч}}{\text{.}}\,i}}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{{0i}}}}}{{\Delta {{\nu }_{i}}}}} \right).$

Значение частоты ${{\nu }_{{0i}}}$ определялось по формуле:

(6)
${{\nu }_{0}} = \frac{1}{2}\left( {{{\nu }_{{\frac{1}{2}max}}} + {{\nu }_{{\frac{1}{2}min}}}} \right),$

а нормированная гауссова функция имела следующий вид:

(7)
${{f}_{G}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{0}}}}{{\Delta \nu }}} \right) = \exp \left[ { - 4\ln 2{{{\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{0}}}}{{\Delta \nu }}} \right)}}^{2}}} \right].$

Из (3) и (5) следует, что значение параметра Ai стремится к единице, когда функцию ${{f}_{{{\text{расч}}.\,i}}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{{0i}}}}}{{\Delta {{\nu }_{i}}}}} \right)$ можно аппроксимировать гауссовой функцией. Методика расчета параметра Ai в разных каналах генерации универсальна, однако вид функции ${{f}_{{{\text{расч}}{\text{.}}\,i}}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{{0i}}}}}{{\Delta {{\nu }_{i}}}}} \right)$ зависит от тока накачки. Так, на рис. 2 видно, что форма кривой ${{f}_{{emp}}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{0}}}}{{\Delta \nu }}} \right),$ описывающей линию, огибающую спектр излучения ЛД, заметно изменяется при увеличении тока накачки от 940 до 980 мА.

Рис. 2.

Огибающая нормированного спектра излучения ЛД с наработкой 350 ч при двух характерных значениях тока накачки: а – Iн = 940, бIн = 980 мА.

При возрастании количества каналов генерации увеличивается и число анализируемых по формулам (3)(7) функций ${{f}_{{{\text{расч}}.\,i}}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{{0i}}}}}{{\Delta {{\nu }_{i}}}}} \right),$ что, впрочем, не нарушает критерия определения срока службы ЛД по параметру А.

При определении срока службы ЛД из партии приборов, изготовленных групповым методом в одном и том технологическом цикле, установлено, что он может варьироваться в пределах от 2500 до 3500 ч. Поэтому для определения качества каждого экземпляра ЛД из той или иной партии приборов наряду с параметром А использовался параметр T:

$T = \frac{\tau }{{{{\tau }_{{max}}}}},$
где τ – срок службы конкретного экземпляра ЛД из определенной партии приборов в масштабе реального времени; τmax – максимальное время наработки некоторого ЛД из той же партии приборов.

Также экспериментально установлено (рис. 1), что параметры Т и А при A > 0.855, т.е. в режиме генерации лазерного диода на фундаментальной моде, связаны между собой следующим соотношением:

(9)
$T = {{A}^{{{1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 3}} \right. \kern-0em} 3}}}}.$

Особенностью проводимых в рамках настоящей работы исследований является то, что линии, огибающие спектр излучения ЛД, с центральными частотами ν0i анализируются в широком диапазоне значений тока накачки: от 940 до 980 мА. Выбор этого диапазона обусловлен тем, что в его границах наблюдается значительная трансформация спектра излучения ЛД.

На рис. 2 приведены спектральные линии излучения при двух характерных значениях тока накачки: 940 и 980 мА. При токе накачки 940 мА наблюдаются 4 канала генерации, а при токе накачки 980 мА – 5 каналов. Появление 5-го канала генерации приводит к тому, что часть энергии излучения, ранее перераспределявшаяся между 4-мя каналами генерации, переходит в пятый канал с самым большим значением ${{\nu }_{{0i = 5}}},$ что и объясняет картину трансформации спектра излучения. На рис. 3 в качестве примера определения коэффициента Ai изображен контур линии с центральной частотой 3.072 ∙ 1014 Гц при токах накачки ЛД 940 и 980 мА.

Рис. 3.

Контур линии, огибающей спектр излучения в первом канале генерации LDD-10 с центральной частотой 3.072 ∙ 1014 Гц и шириной 0.573 ∙ 1012 Гц, при токе накачки: а – 940; б – 980 мА.

Анализ функций ${{f}_{{{\text{расч}}{\text{.}}\,i}}}\left( {\frac{{\nu - {{\nu }_{{0i}}}}}{{\Delta {{\nu }_{i}}}}} \right)$ показал, что они близки к гауссовой функции, а значения Ai лежат в интервале от 0.89 до 0.95. Согласно (9) параметр Т при этом изменяется от 0.962 до 0.983. Принимая во внимание, что значение τmax в партии ЛД, к которой относится и рассматриваемый прибор, равно 3450 ч, можно предположить, что его срок службы должен быть близок к 3390 ч. В настоящее время ЛД проходят ускоренные испытания с целью определения реального срока службы мощного ЛД, который исследовался в данной работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Рассмотрен метод прогнозирования срока службы мощных лазерных диодов путем измерений спектра излучения в первые часы их эксплуатации. Спектр излучения представляет собой суперпозицию нескольких спектров излучения отельных каналов генерации. Анализ спектра излучения в каждом канале генерации позволяет определить значение параметра Аi, характеризующего отличие контура линии, огибающей спектр излучения в канале, от гауссова распределения. По найденным значениям параметра Аi можно прогнозировать срок службы мощных диодных лазеров.

Список литературы

  1. Богатов А.П., Дракин А.Е., Стратонников А.А., Коняев В.П. // Квант. электрон. 2000. Т. 30. № 5. С. 401; Bogatov A.P., Drakin A.E., Stratonnikov A.A., Konyaev V.P. // Quant. Electron. 2000. V. 30. № 5. P. 401.

  2. Слипченко С.О., Бондарев А.Д., Винокуров Д.А. и др. // ФТП. 2009. Т. 43. № 1. С. 119; Slipchenko S.O., Bon-darev A.D., Vinokurov D.A. et al. // Semiconductors. 2009. V. 43. № 1. P. 112.

  3. Слипченко С.О., Винокуров Д.А., Пихтин Н.А. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. № 12. С. 1477; Slipchenko S.O., Vinokurov D.A., Pikhtin N.A. et al. // Semiconductors. 2004. V. 38. № 12. P. 1430.

  4. Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Фетисова Н.В. и др. // ФТП. 2009. Т. 43. № 12. С. 1646; Lyutetskiy A.V., Pikhtin N.A., Fetisova N.V. et al. // Semiconductors. 2009. V. 43. № 12. P. 1602.

  5. Жуков А.Е. Физика и технология полупроводниковых наноструктур. СПб.: Элмор, 2007.

  6. Воробьев Л., Софронов А., Фирсов Д. и др. // Фотоника. 2012. № 1(31). С. 20.

  7. Близнюк В.В., Брит М.А., Гадаев И.С. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2015. Т. 79. № 12. С. 1666; Bliznyuk V.V., Brit M.A., Gadaev I.S. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2015. V. 79. № 12. P. 1453.

  8. Близнюк В.В., Коваль О.И., Паршин В.А. и др. // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2018. № 6. С. 1860501.

  9. Близнюк В.В., Паршин В.А., Коваль О.И. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2018. Т. 82. № 11. С. 1504; Bliznyuk V.V., Parshin V.A., Koval O.I. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2018. V. 82. № 11. P. 1367.

Дополнительные материалы отсутствуют.