Известия РАН. Серия физическая, 2020, T. 84, № 7, стр. 944-947
ИК индукционный Xe-лазер с накачкой импульсным продольным индукционным разрядом
А. М. Ражев 1, *, Д. С. Чуркин 1, 2, Е. С. Каргапольцев 1, Р. А. Ткаченко 1, И. А. Трунов 1, 3
1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт лазерной физики
Сибирского отделения Российской академии наук
Новосибирск, Россия
2 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования
“Новосибирский национальный исследовательский государственный университет”
Новосибирск, Россия
3 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования
“Новосибирский государственный технический университет”
Новосибирск, Россия
* E-mail: razhev@laser.nsc.ru
Поступила в редакцию 14.02.2020
После доработки 16.03.2020
Принята к публикации 27.03.2020
Аннотация
Впервые сообщается о получении ИК лазерного излучения атомов XeI в области 1700–2050 нм при накачке ксенона и его смесей с гелием и аргоном импульсным продольным индукционным разрядом. Спектр генерации состоял из двух линий с длинами волн 1733 и 2026 нм. Длительность оптических импульсов излучения достигала 60 ± 2 нс на полувысоте.
ВВЕДЕНИЕ
На сегодняшний день лазеры на переходах инертных газов являются одними из наиболее востребованных источников лазерного излучения в ближней и средней ИК области. Среди подобных лазеров широкое распространение получили XeI-лазеры. Впервые генерация на ИК переходах ксенона была получена при накачке активной среды объемным самостоятельным электрическим разрядом [1, 2]. Также позднее стала использоваться накачка электрическим разрядом, стабилизированным пучком электронов [3–5], накачка электронным пучком с наносекундной [4] и микросекундной [6, 7] длительностью импульса, накачка двухкомпонентных ксеноновых смесей осколками деления ядерных реакций [8, 9], накачка импульсной плазменной струей [10] и оптическим пробоем смеси газов [11].
Несмотря на широкий спектр способов накачки XeI-лазеров, сегодня самыми часто используемыми методами являются накачка электронным пучком и ВЧ разрядом. В случае накачки активной смеси электронным пучком, оптимальными являются двух или трехкомпонентные смеси ксенона с аргоном и гелием в соотношении He/Ar : : Xe – 100 : 1 и давлении до нескольких атмосфер. Спектр генерации чаще всего содержит излучение на длинах волн 1.73, 2.03, 2.63, 2.65 и 3.37 мкм, а энергия генерации может достигать 650 Дж [12] при кпд – до нескольких % (в электроионизационных лазерах почти 10% [13]). Длительность импульсов генерации, как правило, соответствует длительности импульсов накачки и может достигать от величины нескольких мкс до нескольких мс [14]. Во втором случае лазерная генерация может осуществляться в непрерывном режиме, при этом, мощность может достигать 3.5 Вт [15]. Лазерное излучение чаще всего состоит из нескольких (до десятка) линий в области 1.7–3.7 мкм [16].
Многообразие работ, посвященных исследованию почти всех известных методов накачки ксеноновых смесей (кроме химического), обусловлено широкими возможностями применения ксеноновых лазеров. На данный момент ксеноновые лазеры используются для создания различных сканирующих и атмосферных лидаров [17], поскольку лазерная генерация происходит на длинах волн, находящихся в окнах прозрачности земной атмосферы. Также, ксеноновый лазер может использоваться в волоконных оптических линиях связи для передачи излучения в ближней ИК области с малыми потерями на значительные расстояния. Более того, ксеноновые лазеры широко используются в науке благодаря тому, что данная активная среда позволяет генерировать лазерное излучение на различных длинах волн в достаточно широком диапазоне (0.9–29 мкм [18‒20]) и имеет самый низкий порог генерации среди газовых лазеров [21]. Следовательно, это открывает большие возможности без смены активной среды и принципиальных изменений конструкции лазерного излучателя или электрической схемы накачки, а только заменой элементов резонатора выделять определенные спектральные линии на заданной длине волны.
В наших предыдущих экспериментах по созданию газовых лазеров, накачиваемых импульсным индукционным разрядом, была показана возможность накачки активных газовых лазерных сред, работающих как на передаче возбуждения от атомов буферного газа [22], так и при прямом возбуждении молекул (в данном случае азота и водорода) электронным ударом [23, 24]. Кроме того, используемый в выше описанных исследованиях индукционный разряд формируется в отсутствие каких-либо электродов в активной среде, что позволяет избежать формирования процессов загрязнения активной среды, протекающих в электроразрядных лазерах и приводящих к нестабильности работы лазера и ухудшению его электротехнических характеристик. Следовательно, отсутствие электродов в индукционном разряде и химическая инертность газовых компонент активной среды позволяет создавать ХеI-лазеры с очень большим ресурсом работы. В связи с вышеперечисленными преимуществами были проведены пробные эксперименты по накачке XeI-лазера импульсным индукционным продольным разрядом. В результате чего в разрядной трубке с активной длиной 500 мм была зарегистрирована лазерная генерация в области 900–1000 нм [25]. Таким образом, мы считаем, что импульсный индукционный разряд может быть предложен в качестве альтернативного метода накачки ИК XeI-лазера. Соответственно, целью данной работы является исследование спектральных и временных характеристик излучения XeI-лазера на электронных переходах нейтральных атомов ксенона в импульсном продольном индукционном разряде.
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА
Для проведения исследований была разработана экспериментальная установка, электрическая схема которой выполнена по типу схемы Блюмляйна, аналогичная описанной в [26]. Данная система накачки включала в себя две накопительные емкости C1 = 30 нФ и C2 = 55 нФ, заряжаемые от импульсного источника ALE-152 LambdaEMI до зарядного напряжения Uch = 27 кВ, и высоковольтный коммутатор – тиратрон серии ТПИ1-10/50. В качестве индукционного лазерного излучателя использовалась стеклянная трубка с капилляром и обводным каналом. Такая конструкция обеспечивала протекание тока по замкнутому контуру, при этом, рабочая область была образована капилляром диаметром 7 мм и длиной 300 мм – для достижения высокой плотности тока, – а диаметр обводного канала был значительно больше (20 мм) для снижения полного сопротивления контура. Торцы трубки герметизировались плоскопараллельными пластинами из CaF2, размещенными в юстировочных узлах. В качестве индуктора использовался набор из 8 рамок, выполненных из медных изолированных проводов сечением 2.5 мм2, установленных вдоль разрядного контура. В литературе такой тип безферритного индуктора называется антенной [27]. Резонатор был образован задним плоскопараллельным алюминиевым зеркалом и передней подложкой из CaF2. Осуществлялась продольная прокачка газовых смесей с небольшой (около 1 л · мин–1) скоростью.
Спектральные характеристики излучения ксенонового лазера в импульсном продольном индукционном разряде исследовались при помощи монохроматора ЛОМО МДР-204 с дифракционной решеткой 300 штр/мм (рабочая спектральная область 800–5000 нм). Исследование длительности оптических импульсов производилось при помощи охлаждаемого фотодиода ФД-511-2 и осциллографа Tektronix 2024В с полосой 100 МГц.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
Впервые ИК лазерное излучение при накачке ксенона импульсным продольным индукционным разрядом было получено в спектральной области 900–1000 нм в предшествующих этой работе экспериментах при использовании похожей разрядной трубки с активной длиной около 500 мм [25]. Спектр излучения был представлен двумя линиями с длинами волн 904.5 и 979.9 нм соответственно. В данной работе с целью исследования возможности создания компактных индукционных XeI-лазеров, эксперименты проводились с разрядной трубкой такого же диаметра, но с меньшей активной длиной (300 мм). Эксперименты проводились при одном зарядном напряжении, равном 27 кВ, с частотой следования импульсов 1 Гц.
Исследования спектрального состава лазерного излучения индукционного XeI-лазера проводились в области 800–5000 нм. В данных условиях накачки, излучения на вышеупомянутых длинах волн 904.5 и 979.9 нм обнаружено не было, однако в спектре генерации были зарегистрированы две линии с длинами волн λ1 = 1733 нм и λ2 = 2026 нм, которые мы отнесли к переходам нейтральных атомов ксенона $5d\left[ {{3 \mathord{\left/ {\vphantom {3 2}} \right. \kern-0em} 2}} \right]_{1}^{0} \to 6p{{\left[ {{5 \mathord{\left/ {\vphantom {5 2}} \right. \kern-0em} 2}} \right]}_{2}}$ и $5d\left[ {{3 \mathord{\left/ {\vphantom {3 2}} \right. \kern-0em} 2}} \right]_{1}^{0} \to 6p{{\left[ {{3 \mathord{\left/ {\vphantom {3 2}} \right. \kern-0em} 2}} \right]}_{1}}$ соответственно [28]. При этом рабочее давление не превышало нескольких торр. Максимальная интенсивность лазерного излучения достигалась при давлениях около 0.3–0.4 торр. Спектр генерации в чистом ксеноне при давлении ~0.3 торр представлен на рис. 1. По нашему мнению, отсутствие в спектре генерации линий с длинами волн 904.5 и 980 нм связано с тем, что они имеют меньший коэффициент усиления, поэтому при уменьшении активной длины режим лазерной генерации для них не достигается.
Поскольку из литературы известно [28], что добавление гелия или аргона позволяет значительно повысить энергию генерации ХеI-лазера, мы в своих экспериментах также пробовали использовать эти газы в качестве добавок. При разбавлении ксенона гелием рабочее давление в зависимости от соотношения компонент увеличивалось приблизительно до 1 торр, однако в смеси He–Xe происходило уменьшение интенсивности излучения нейтральных атомов ксенона на двух ранее указанных длинах волн (рис. 2а).
Более того, интенсивность генерации на длине волны λ1 была на порядок меньше, чем интенсивность λ2, и резко уменьшалась с увеличением парциального давления гелия в двухкомпонентной смеси He–Xe. При этом проведенные исследования спектрального состава в диапазоне 800–5000 нм показали, что других линий, которые можно было бы отнести к лазерному излучению атомов или ионов Xe или Не в спектре не появляется.
При использовании аргона в качестве буферного газа интенсивность излучения на длине волны 2026 нм была в 2 раза меньше, чем в чистом ксеноне (рис. 2б). Генерации на длине волны 1733 нм в смеси Ar–Xe в спектре зарегистрировано не было. Рабочее давление смеси Ar–Xe не превышало 1 торр. Так же, как и при добавлении гелия к ксенону, в смеси Ar–Xe других линий генерации в области 800–5000 нм не появлялось. Сравнивая результаты спектральных исследований однокомпонентной и двухкомпонентных смесей, можно предположить, что при накачке двухкомпонентной смеси значительная доля энергии идет на возбуждение различных состояний атомов и ионов He и Ar, что свидетельствует об изменениях в кинетических процессах, протекающих в плазме импульсного индукционного разряда.
Проводились исследования временных характеристик генерации индукционного XeI-лазера, которые показали, что длительность оптического импульса составляла 60 ± 2 нс на полувысоте (рис. 3). Добавление гелия или аргона к ксенону приводило к уменьшению длительности оптического импульса до ~50 нс на полувысоте.
В этой работе исследований энергетических характеристик генерации индукционного XeI-лазера не проводилось, измерялась только энергия, которая в наших экспериментах составляла 0.1 мДж. Поскольку созданный лазер может иметь некоторые применения, например, в медицине, то предполагается его дальнейшее исследование, которое позволит определить энергию, мощность, к. п. д. и другие параметры лазерного излучения, поэтому значение энергии не является окончательным и будет увеличено при оптимизации параметров накачки.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Впервые в импульсном индукционном продольном разряде получено лазерное излучение на переходах нейтральных атомов ксенона в области 1700–2050 нм. Спектр генерации состоял из двух линий с длинами волн 1733 и 2026 нм. В результате спектральных исследований однокомпонентной и двухкомпонентных смесей ксенона с гелием и аргоном выявлено, что добавление буферных газов приводит к уменьшению интенсивности излучения на длинах волн 1733 и 2026 нм. Длительность оптического импульса в однокомпонентной смеси из чистого ксенона составляла 60 ± 2 нс на полувысоте. Использование двухкомпонентных смесей с гелием и аргоном приводило к уменьшению длительности оптического импульса.
Результаты исследований, представленные в работе, получены в рамках государственного задания (тема № АААА-А17-117030310293-6).
Список литературы
Patel C.K.N., Faust W.L., McFarlane R.A. // Appl. Phys. Lett. 1962. V. 1. № 4. P. 84.
Faust W.L., McFarlane R.A., Patel C.K.N., Garrett C.G.B. // Appl. Phys. Lett. 1962. V. 1. № 4. P. 85.
Lawton S.A., Richards J.B., Newman L.A. et al. // J. Appl. Phys. 1978. V. 50. P. 3888.
Лосев В.Ф., Тарасенко В.Ф. // Квант. электрон. 1980. Т. 7. № 3. С. 663; Losev V.F., Tarasenko V.F. // Sov. J. Quant. Electron. 1980. V. 10. № 3. P. 381.
Basov N.G., Chugunov A.Yu., Danilychev V.A. et al. // IEEE J. Quant. Electron. 1983. V. 19. № 2. P. 126.
Басов Н.Г., Данилычев В.А., Устиновский Н.Н. и др. // Письма в ЖТФ. 1982. Т. 8. № 10. С. 590; Basov N.G., Danilychev V.A., Ustinovskii N.N. et al. // Sov. Tech. Phys. Lett. 1982. V. 8. P. 256.
Бычков Ю.И., Лосев В.Ф., Тарасенко В.Ф., Тельминов Е.Н. // Письма в ЖТФ. 1982. Т. 8. № 14. С. 837; Bychkov Yu.I., Losev V.F., Tarasenko V.F., Tel’minov E.N. // Sov. Tech. Phys. Lett. 1982. V. 8. P. 361.
DeYoung R.J., Julufka N.W., Hohl F. // Appl. Phys. Lett. 1977. V. 30. № 1. P. 19.
Воинов А.М., Довбыш Л.Е., Кривоносов В.Н. и др. // Докл. АН СССР. 1979. Т. 245. № 1. C. 80; Voinov A.M., Dovbysh L.E., Krivonosov V.N. et al. // Sov. Phys. Doklady. 1979. V. 24. P. 189.
Муравьев И.И., Шевнин А.М., Янчарина А.М., Евтушенко Г.С. // Квант. электрон. 1982. Т. 9. № 4. С. 793; Murav’ev I.I., Shevnin A.M., Yancharina A.M., Evtushenko G.S. // Sov. J. Quant. Electron. 1982. V. 12. № 4. P. 493.
Данилычев В.А., Зворыкин В.Д., Холин И.В., Чугунов А.Ю. // Квант. электрон. 1982. Т. 9. № 1. С. 92; Danilychev V.A., Zvorykin V.D., Kholin I.V., Chugunov A.Yu. // Sov. J. Quant. Electron. 1982. V. 12. № 1. P. 58.
Littzenberger L.N., Trainor D.W., McGeoch M.W. // IEEE J. Quant. Electron. 1990. V. 26. № 9. P. 1668.
Basov N.G., Baranov V.V., Chugunov A.Yu. et al. // IEEE J. Quant. Electron. 1985. V. 21. № 11. P. 1756.
Середа О.В., Тарасенко В.Ф., Феденев А.В., Яковленко С.И. // Квант. электрон. 1993. Т. 20. № 6. С. 535; Sereda O.V., Tarasenko V.F., Fedenev A.V., Yakovlenko S.I. // Quant. Electron. 1993. V. 23. P. 459.
Morley R.J., Wendland J.J., Baker H.J., Hall D.R. // Opt. Commun. 1997. V. 142. № 4. P. 244.
Wang J., Paranto J., Lovejoy C. // IEEE J. Quant. Electron. 1984. V. 20. № 3. P. 276.
Kopica M., Choi J.W. // Proc. SPIE. 2003. V. 5234. P. 624.
Patel C.K.N., Bennett W.R., Jr., Faust W.L. // Phys. Rev. Lett. 1962. V. 9. P.102.
Faust W.L., McFarlane R.A., Patel C.K.N., Garrett C.G.B. // Phys. Rev. 1964. V. 133. P. A1476.
Andrade O., Gallardo M., Bockasten K. // Appl. Phys. Lett. 1967. V. 11. № 3. P. 99.
Сорокин А.Р. // Квант. электрон. 1983. Т. 10. № 3. С. 308; Sorokin A.R. // Sov. J. Quant. Electron. 1983. V. 13. № 2. P. 165.
Ражев А.М., Мхитарян В.М., Чуркин Д.С. // Письма в ЖЭТФ. 2005. Т. 82. № 5. С. 290; Razhev A.M., Mkhitaryan V.M., Churkin D.S. // JETP Lett. 2005. V. 82. № 5. P. 259.
Ражев А.М., Чуркин Д.С. // Письма в ЖЭТФ. 2007. Т. 86. № 6. С. 479; Razhev A.M., Churkin D.S. // JETP Lett. 2007. V. 86. № 6. С. 479.
Ражев А.М., Чуркин Д.С., Завьялов А.С. // Вестн. НГУ. Сер. физ. 2009. Т. 4. № 3. С. 12.
Razhev A.M., Churkin D.S., Kargapoltsev E.S., Trunov I.A. // Proc. 18th ICLO (St. Petersburg, 2018). P. 82.
Razhev A.M., Churkin D.S. // Opt. Commun. 2009. V. 282. № 7. P. 1354.
Попов О.А. Исследование и разработка индукционных люминесцентных источников света на частотах 100–15 000 кГц. Дис. … докт. техн. наук. Москва: МЭИ, 2011. 450 с.
Холин И.В. // Квант. электрон. 2003. Т. 33. № 2. С. 129; Kholin I.V. // Quant. Electron. 2003. V. 33. № 2. P. 129.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Известия РАН. Серия физическая