1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Известия РАН. Серия физическая
  4. T. 87, № 12, 2023

Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 12, стр. 1773-1780

Нерезонансное поглощение мощности электромагнитной волны Х-диапазона в узкозонном полупроводнике PbS при температурах 2.6–8 К в диапазоне магнитных полей 0–100 мТл

В. А. Уланов 1, 2, *, Р. Р. Зайнуллин 1, А. М. Синицин 1, А. А. Потапов 1, В. А. Шустов 2

1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Казанский государственный энергетический университет”
Казань, Россия

2 Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского – обособленное структурное подразделение Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Федеральный исследовательский центр “Казанский научный центр Российской академии наук”
Казань, Россия

* E-mail: ulvlad@inbox.ru

Поступила в редакцию 24.07.2023
После доработки 14.08.2023
Принята к публикации 28.08.2023

Аннотация

Изучены магнитно-зависимые эффекты нерезонансного поглощения энергии электромагнитной волны в резонаторе спектрометра ЭПР Х-диапазона, связанные со сверхпроводимостью включений металлического свинца и микроскопических дефектов структуры в кристаллах узкозонных полупроводников PbS1 –х и PbS1 –х:Mn. Показано, что наноразмерные частицы свинца, присутствующие в поликристаллическом материале PbS0.96 с высоким содержанием вакансий серы, при температурах 2.6–8 К проявляют себя как сверхпроводники 2-го рода и демонстрируют высокую термомагнитную стабильность. Обнаружено, что в монокристаллическом образце PbS0.996 со значительно меньшей концентрацией вакансий серы под влиянием электрической компоненты микроволнового поля в резонаторе спектрометра ЭПР наблюдаются непериодические всплески поглощения микроволновой мощности, связанные с лавинами вихрей Абрикосова и демонстрирующие отсутствие термомагнитной стабильности сверхпроводящих областей, связанных с дефектами кристаллической структуры образца PbS0.996.

Список литературы

  1. Chu Junhao, Sher Arden. Physics and properties of narrow gap semiconductors. Shpringer Science-Business Media: LLC. 2008. 605 p.

  2. Mukherjee S., Li D., Gautam A. et al. Lead salt thin film semiconductors for microelectronic applications. Kerala (India): Transworld Research Network 37/661, 2010. 88 p.

  3. Sizov F.F., Plyatsko S.V. // J. Crystal Growth. 1988. V. 92. P. 571.

  4. Дарчук С.Д., Дитл Т., Коровина Л.А. и др. // ФТП. 1998. Т. 32. № 7. С. 786; Darchuk S.D., Korovina L.A., Sizov F.F. et al. // Semiconductors. 1998. V. 32. No. 7. P. 700.

  5. Fogel N.Ya., Pokhila A.S., Bomze Yu.V. et al. // Phys. Rev. B. 2001. V. 86. P. 512.

  6. Юзефович О.И., Михайлов М.Ю., Бенгус С.В. и др. // Физ. низк. темп. 2008. Т. 34. № 12. С. 1249; Yuzephovich O.I., Mikhailov M.Yu., Bengus S.V. et al. // Low Temp. Phys. 2008. V. 34. No. 12. P. 985.

  7. Escorne M., Manger A., Tholence I.L. et al. // Phys. Rev. B. 1984. V. 29. No. 11. P. 6306.

  8. Уланов В.А., Зайнуллин Р.Р., Фазлижанов И.И., Житейцев Е.Р. // Тез. XXXVII сов. по физике низких температур (Казань, 2015). С. 328.

  9. Lutterotti L., Chateigner D., Ferrari S. Ricote J. // Thin Solid Films. 2004. V. 450. P. 34.

  10. Шмидт В.В. Введение в физику сверхпроводников. М.: МЦМНО, 2000. 400 с.

  11. Mironov S., Goldobin E., Koelle D. et al. // Phys. Rev. B. 2017. V. 96. Art. No. 214515.

  12. Altshuler E. // Rev. Mod. Phys. 2004. V. 76. P. 471.

  13. Зюзин А.Ю. // Письма в ЖЭТФ. 2022. Т. 116. С. 603; Zyuzin A.Yu. // JETP Lett. 2022. V. 116. P. 623.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Известия РАН. Серия физическая

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал