1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Известия РАН. Серия физическая
  4. T. 87, № 6, 2023

Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 6, стр. 792-795

Селекция спиновых волн в ансамбле латерально и вертикально связанных микроволноводов на основе железо-иттриевого граната

А. Б. Хутиева 1, *, В. Р. Акимова 1, Е. Н. Бегинин 1, А. В. Садовников 1

1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского
Саратов, Россия

* E-mail: abkhutieva@gmail.com

Поступила в редакцию 05.12.2022
После доработки 23.12.2022
Принята к публикации 27.02.2023

Аннотация

На основе численного микромагнитного моделирования изучены режимы распространения спиновых волн в рассматриваемых массивах микроволноводов в конфигурации, соответствующей возбуждению в двух центральных каналах одного из слоев поверхностных и обратных объемных магнитостатических спиновых волн. Показано, что предложенная структура выполняет функции пространственно-частотной селекции сигнала, эффективность которой зависит от взаимной ориентации поля подмагничивания и направления распространения волны.

Список литературы

  1. Сафин А.Р., Никитов С.А., Кирилюк А.И. и др. // ЖЭТФ. 2020. Т. 158. № 1. С. 85; Safin A.R., Nikitov S.A., Kirilyuk A.I. et al. // J. Exp. Theor. Phys. 2020. V. 131. P. 71.

  2. Khitun A., Bao M., Wang K. // IEEE Trans. Magn. J. 2008. V. 44. P. 2141.

  3. Chumak A.V., Serga A.A., Hillebrands B. // J. Phys. D. 2017. V. 50. Art. No. 244001.

  4. Chumak A.V., Kabos P., Wu M. et al. // IEEE Trans. Magn. 2022. V. 58. No. 6. Art. No. 0800172

  5. Vysotskii S.L., Sadovnikov A.V., Dudko G.M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 117. Art. No. 102403.

  6. Sakharov V.K., Beginin E.N., Khivintsev Y.V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 117. Art. No. 022403.

  7. Sadovnikov A.V., Talmelli G., Gubbiotti G. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 2022. V. 544. Art. No. 168670.

  8. Gubbiotti G. Three-dimensional magnonics. Layered, micro- and nanostructures. N.Y.: Jenny Stanford Publishing, 2019. 416 p.

  9. Colinge J.P. FinFETs and other multi-gate transistors. N.Y.: Springer, 2008. 350 p.

  10. Crew D.C., Kennewell K.J., Lwin M.J. et al. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. Art. No. 10A707.

  11. Belmeguenai M., Martin T., Woltersdorf G. et al. // Phys. Rev. B. 2007. V. 76. Art. No. 104414.

  12. Li S., Wang C., Chu X.-M. et al. // Sci. Reports. 2016. V. 6. Art. No. 33349.

  13. Vansteenkiste A., VandeWiele B. // J. Magn. Magn. Mater. 2011. V. 323. P. 2585.

  14. Vansteenkiste A., Leliaert J., Dvornic M. et al. // AIP Advances. 2014. V. 4. Art. No. 107133.

  15. Venkat G., Fangohr H., Prabhakar A. // J. Magn. Magn. Mater. 2018. V. 450. P. 34.

  16. Садовников А.В., Одинцов С.А., Бегинин Е.Н. и др.// Письма в ЖЭТФ. 2018. Т. 107. № 1. С. 29; Sadov-nikov A.V., Odintsov S.A., Beginin E.N. et al. // JETP Lett. 2018. V. 107. No. 1. P. 25.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Известия РАН. Серия физическая

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал