Известия РАН. Серия физическая

Содержание

Том 87, Номер 6, 2023

Дата выхода: 14.06.2023

Структура, физико-механические свойства и пьезоэлектрический отклик скэффолдов на основе полиоксибутирата с композитным наполнителем магнетит/восстановленный оксид графена
Л. Е. Шлапакова, А. С. Прядко, Ю. Р. Мухортова, Д. В. Вагнер, М. А. Сурменева, Р. А. Сурменев

766-772

Влияние надмолекулярной и кристаллической структуры полилактида на реализацию эффекта памяти формы
А. И. Зимина, П. А. Ковалева, Д. А. Киселев, И. Н. Крупатин, Ф. С. Сенатов

773-779

Закономерности влияния температуры искрового плазменного спекания на микроструктуру термоэлектрических композитов с матрицей на основе Bi₂Te_2.1Se_0.9 и включениями кобальта
М. Жежу, А. Е. Васильев, О. Н. Иванов

780-785

Влияние микроструктуры на термоэлектродвижущую силу термоэлектрического композита системы Bi₂Te₃ (матрица) + xNi (наполнитель)
М. Жежу, А. Е. Васильев, О. Н. Иванов

786-791

Селекция спиновых волн в ансамбле латерально и вертикально связанных микроволноводов на основе железо-иттриевого граната
А. Б. Хутиева, В. Р. Акимова, Е. Н. Бегинин, А. В. Садовников

792-795

Нановолокна на основе гиалуроновой кислоты с мангиферином
В. И. Климшина, П. П. Снетков, С. Н. Морозкина, М. В. Успенская

796-800

Получение и исследование свойств магнитно-люминесцентных гибридных структур на основе оксида железа (Fe₃O₄) с полупроводниковыми оболочками
Д. А. Кафеева, Д. А. Куршанов, А. Ю. Дубовик

801-806

Создание оптических микроструктур с градиентным показателем преломления методом двухфотонной лазерной литографии
М. Д. Апарин, Т. Г. Балуян, М. И. Шарипова, М. А. Сиротин, Е. В. Любин, И. В. Соболева, В. О. Бессонов, А. А. Федянин

807-812

Магнитоуправляемый композитный эластомер на основе полидиметилсилоксана c пористой структурой
А. А. Амиров, А. С. Каминский, Е. А. Архипова, Н. А. Черкасова, А. О. Товпинец, В. Н. Лейцин, А. П. Пятаков, В. Е. Живулин, В. В. Родионова

813-818

Магнитные наночастицы Fe₃O₄, модифицированные додецилсульфатом натрия для удаления метиленового синего из воды
К. Э. Магомедов, А. С. Омельянчик, С. А. Воронцов, Э. Чижмар, В. В. Родионова, Е. В. Левада

819-827

Закрепление уровня ферми на окисленной поверхности (110) полупроводников AIII-Sb
П. А. Алексеев, А. Н. Смирнов, В. А. Шаров, Б. Р. Бородин, Е. В. Куницына

829-832

Исследование характеристик электродов суперконденсаторов на основе легированных кремний-углеродных пленок
И. Ю. Богуш, Н. К. Плуготаренко

833-837

Ферромагнетизм при комнатной температуре кристаллического полупроводникового соединения Hg_{1 – x}Fe_xSe с предельно низким содержанием примесных атомов железа (x ≤ 0.06 ат. %)
Т. Е. Говоркова, В. И. Окулов, Е. А. Памятных, В. С. Гавико, В. Т. Суриков

838-842

Вклад состояний на интерфейсах в терагерцовую фотопроводимость в структурах на основе Hg_{1 – x}Cd_xTe с инверсным спектром
А. С. Казаков, А. В. Галеева, А. И. Артамкин, А. В. Иконников, С. Н. Чмырь, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. И. Банников, С. Н. Данилов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов

843-848

О форме линии люминесценции зона–акцептор в полупроводниках
И. А. Кокурин, Н. С. Аверкиев

849-854

Поверхностно-излучающие квантово-каскадные лазеры с дифракционной решеткой второго порядка и увеличенной величиной коэффициента связи
А. В. Бабичев, Е. С. Колодезный, А. Г. Гладышев, Н. Ю. Харин, А. Д. Петрук, В. Ю. Паневин, Г. В. Вознюк, М. И. Митрофанов, С. О. Слипченко, А. В. Лютецкий, В. П. Евтихиев, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, Н. А. Пихтин, А. Ю. Егоров

855-860

Энергетическое положение уровней размерного квантования в структурах с множественными HgCdTe квантовыми ямами
Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, В. Я. Алешкин, С. А. Дворецкий, И. Н. Ужаков, В. А. Швец

861-866

Термостабильность сегнетоэлектрических пленок на основе диоксидов гафния-циркония на кремнии
В. П. Попов, В. А. Антонов, Ф. В. Тихоненко, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко

867-872

Самоподдержание проводящего состояния и биполярные ионизирующие домены Ганна в импульсных лавинных арсенид-галлиевых диодах
А. В. Рожков, М. С. Иванов, П. Б. Родин

873-878

Поверхностная квантово-размерная рекомбинация фотоносителей в микрокристаллах CdTe
А. В. Селькин, Н. Х. Юлдашев

879-884

Исследование биэкситонного каскада излучения в одиночной квантовой точке InAs/GaAs в высокодобротном микрорезонаторе
Ю. М. Серов, А. И. Галимов, А. А. Торопов

885-891

Резонансная брэгговская структура GaN/AlGaN
А. А. Иванов, В. В. Чалдышев, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников

892-895

Поляронные эффекты в тонкой пленке на ионных подложках, обусловленные влиянием интерфейсных фононов
А. Ю. Маслов, О. В. Прошина

896-900

Временные зависимости фотопроводимости в кристаллах ZnSe, легированных железом
М. С. Сторожевых, В. П. Калинушкин, О. В. Уваров, В. П. Чегнов, О. И. Чегнова, В. А. Юрьев

901-906

Терагерцевые источники излучения на сверхрешетках AlGaAs/GaAs
А. С. Дашков, Л. Г. Герчиков, Л. И. Горай, Н. Ю. Харин, М. С. Соболев, Р. А. Хабибуллин, А. Д. Буравлев

907-912

Информация о выпуске

Известия РАН. Серия физическая