1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Известия РАН. Серия физическая
  4. T. 87, № 6, 2023

Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 6, стр. 843-848

Вклад состояний на интерфейсах в терагерцовую фотопроводимость в структурах на основе Hg1 – xCdxTe с инверсным спектром

А. С. Казаков 1, *, А. В. Галеева 1, А. И. Артамкин 1, А. В. Иконников 1, С. Н. Чмырь 1, С. А. Дворецкий 2, Н. Н. Михайлов 2, М. И. Банников 3, С. Н. Данилов 4, Л. И. Рябова 5, Д. Р. Хохлов 1, 3

1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова”, Физический факультет
Москва, Россия

2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук”
Новосибирск, Россия

3 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт имени П.Н. Лебедева Российской академии наук
Москва, Россия

4 Университет Регенсбурга
Регенсбург, Германия

5 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова”, Химический факультет
Москва, Россия

* E-mail: askazakov@physics.msu.ru

Поступила в редакцию 05.12.2022
После доработки 23.12.2022
Принята к публикации 27.02.2023

Аннотация

Экспериментально выявлены различия электронных состояний в топологических материалах на основе эпитаксиальных пленок Hg1 –xCdxTe, с необходимостью формирующихся на границах топологической фазы с вакуумом и с тривиальным буфером в областях гетероперехода. Было продемонстрировано, что наблюдаемая в указанных структурах PT-симметричная терагерцовая фотопроводимость обусловлена именно состояниями в области интерфейсов топологическая пленка/тривиальный буфер (или покровный слой).

Список литературы

  1. Hasan M.Z., Kane C.L. // Rev. Mod. Phys. 2010. V. 82. P. 3045.

  2. Волков Б.А., Панкратов О.А. // Письма в ЖЭТФ. 1985. Т. 42. № 4. С. 145; Volkov B.A., Pankratov O.A.// JETP Lett. 1985. V. 42. No. 4. P. 145.

  3. Volkov B.A., Pakhomov S.V., Pankratov O.A. // Solid State Commun. 1987. V. 61. No. 2. P. 93.

  4. Brüne C., Liu C.X., Novik E.G. et al. // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 106. Art. No. 126803.

  5. Liu C., Bian G., Chang T.R. et al. // Phys. Rev. B. 2015. V. 92. Art. No. 115436.

  6. Rogalski A. // Rep. Prog. Phys. 2005. V. 68. P. 2267.

  7. Weiler M. Semiconductors and semimetals. New York: Academic press, 1981. P. 119.

  8. Orlita M., Basko D.M., Zholudev M.S. et al. // Nature Physics. 2014. V. 10. P. 233.

  9. Teppe F., Marcinkiewicz M., Krishtopenko S.S. et al. // Nature Commun. 2016. V. 7. Art. No. 12576.

  10. Dvoretsky S., Mikhailov N., Sidorov Y. et al. // J. Electron. Mater. 2010. V. 39. P. 918.

  11. Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Liberman V.I. et al. // J. Cryst. Growth. 1996. V. 159. P. 1161.

  12. Ruffenach S., Kadykov A., Rumyantsev V.V. et al. // APL Materials. 2017. V. 5. No. 3. Art. No. 035503.

  13. Kvon Z.D., Danilov S.N., Mikhailov N.N. et al. // Physica E. 2008. V. 40. No. 6. P. 1885.

  14. Savchenko M.L., Otteneder M., Dmitriev I.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 2020. V. 117. Art. No. 201103.

  15. Ярошевич А.С., Квон З.Д., Гусев Г.М., Михайлов Н.Н. // Письма в ЖЭТФ. 2020. Т. 111. № 2. С. 107; Yaroshevich A.S., Kvon Z.D., Gusev G.M., Mikhailov N.N. // JETP Lett. 2020. V. 111. No. 2. P. 121.

  16. Галеева А.В., Артамкин А.И., Михайлов Н.Н. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2017. Т. 106. № 3. С. 156; Galeeva A.V., Artamkin A.I., Mikhailov N.N. et al. // JETP Lett. 2017. V. 106. P. 162.

  17. Galeeva A.V., Artamkin A.I., Kazakov A.S. et al. // Beilsten J. Nanotechnol. 2018. V. 9. P. 1035.

  18. Galeeva A.V., Kazakov A.S. Artamkin A.I. et al. // Sci. Reports. 2020. V. 10. P. 2377.

  19. Ганичев С.Д., Емельянов С.А., Ярошецкий И.Д. // Письма ЖЭТФ. 1982. Т. 35. № 7. С. 297; Ganichev S.D., Emel’yanov S.A., Yaroshetskii I.D. // JETP Lett. 1982. V. 35. P. 368.

  20. Bel’kov V.V. Ganichev S.D., Schneider P. et al. // Solid. State. Commun. 2003. V. 128. P. 283.

  21. Kazakov A.S., Galeeva A.V., Artamkin A.I. et al. // Sci. Reports. 2021. V. 11. P. 1587.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Известия РАН. Серия физическая

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал