1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Известия РАН. Серия физическая
  4. T. 87, № 6, 2023

Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 6, стр. 892-895

Резонансная брэгговская структура GaN/AlGaN

А. А. Иванов 1, В. В. Чалдышев 1, *, Е. Е. Заварин 1, А. В. Сахаров 1, В. В. Лундин 1, А. Ф. Цацульников 2

1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Санкт-Петербург, Россия

2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук”
Санкт-Петербург, Россия

* E-mail: chald.gvg@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию 05.12.2022
После доработки 23.12.2022
Принята к публикации 27.02.2023

Аннотация

Измерены спектры отражения от резонансной брэгговской структуры с 30 квантовыми ямами GaN/AlGaN при комнатной температуре. Численное моделирование с использованием метода матриц переноса дало количественную точную подгонку экспериментальных результатов. Определены параметры излучательного и безызлучательного уширения экситона в квантовых ямах GaN/AlGaN.

Список литературы

  1. Ивченко Е.Л., Несвижский А.И., Йорда С. // ФТТ. 1994. Т. 36. № 7. С. 2118.

  2. Kochereshko V.P., Pozina G.R., Ivchenko E.L. et al. // Superlattices Microstruct. 1994. V. 15. No. 4. P. 471.

  3. Ивченко Е.Л., Кочерешко В.П., Платонов А.В. и др. // ФТТ. 1997. Т. 39. № 11. С. 2072; Ivchenko E.L., Kochereshko V.P., Platonov A.V. et al. // Phys. Solid State. 1997. V. 39. No. 11. P. 1852.

  4. d’Aubigné Y.M., Wasiela A., Mariette H., Dietl T. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. No. 19. P. 14003.

  5. Sadowski J., Mariette H., Wasiela A. et al. // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. No. 4. Art. No. R1664.

  6. Hayes G.R., Staehli J.L., Oesterle U. et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83. No. 14. P. 2837.

  7. Hübner M., Prineas J.P., Ell C. et al. // Phys. Rev. Lett. 1999. V. 83. No. 14. P. 2841.

  8. Prineas J.P., Ell C., Lee E.S. et al. // Phys. Rev. B. 2000. V. 61. No. 20. P. 13863.

  9. Goldberg D., Deych L.I., Lisyansky A.A. et al. // Nature. Photon. 2009. V. 3. P. 662.

  10. Chaldyshev V.V., Chen Y., Poddubny A.N. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 98. No. 7. Art. No. 073112.

  11. Чалдышев В.В., Кунделев Е.В., Никитина Е.В. и др. // ФТП. 2012. Т. 46. № 8. С. 1039. Chaldyshev V.V., Kundelev E.V., Nikitina E.V. et al. // Semiconductors. 2012. V. 46. No. 8. P. 1016.

  12. Chaldyshev V.V., Bolshakov A.S., Zavarin E.E. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. No. 25. Art. No. 251103.

  13. Ivanov A.A., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E. et al. // J. Phys. Conf. Ser. 2020. V. 1697. Art. No. 012153.

  14. Иванов А.А., Чалдышев В.В., Заварин Е.Е. и др. // ФТП. 2021. Т. 55. № 9. С. 733; Ivanov A.A., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E. et al. // Semiconductors. 2021. V. 55. No. 1. P. S49.

  15. Ivanov A.A., Chaldyshev V.V., Ushanov V.I. et al. // Appl. Phys. Lett. 2022. V. 121. No. 4. Art. No. 041101.

  16. Цацульников А.Ф., Лундин В.В., Заварин Е.Е. и др. // ФТП. 2012. Т. 46. № 10. С. 1357; Tsatsulnikov A.F., Lundin W.V., Zavarin E.E. et al. // Semiconductors. 2012. V. 46. No. 10. P. 1281.

  17. Sakharov A.V., Lundin W.V., Usikov A.S. et al. // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1998. V. 3. No. 1. Art. No. 28.

  18. Dadgar A., Veit P., Schulze F. et al. // Thin Solid Films. 2007. V. 515. No. 10. P. 4356.

  19. Tisch U., Meyler B., Katz O. et al. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. No. 5. P. 2676.

  20. Ивченко Е.Л. // ФТП. 1991. Т. 33. № 8. С. 2388.

  21. Bolshakov A.S., Chaldyshev V.V., Zavarin E.E. et al. // J. Appl. Phys. 2017. V. 121. No. 13. Art. No. 133101.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Известия РАН. Серия физическая

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал