1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Известия РАН. Серия физическая
  4. T. 87, № 6, 2023

Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 6, стр. 907-912

Терагерцевые источники излучения на сверхрешетках AlGaAs/GaAs

А. С. Дашков 1, 2, *, Л. Г. Герчиков 1, 3, Л. И. Горай 1, 2, 4, 5, Н. Ю. Харин 3, М. С. Соболев 1, 2, Р. А. Хабибуллин 6, А. Д. Буравлев 2, 4, 5

1 Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки “Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук”
Санкт-Петербург, Россия

2 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” имени В.И. Ульянова (Ленина)”
Санкт-Петербург, Россия

3 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого”
Санкт-Петербург, Россия

4 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт аналитического приборостроения Российской академии наук”
Санкт-Петербург, Россия

5 Автономная некоммерческая организация высшего образования “Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС”
Санкт-Петербург, Россия

6 Федеральное государственное автономное научное учреждение “Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова Российской академии наук”
Москва, Россия

* E-mail: Dashkov.Alexander.OM@gmail.com

Поступила в редакцию 05.12.2022
После доработки 23.12.2022
Принята к публикации 27.02.2023

Аннотация

Предложены несколько конструкций терагерцевых излучателей, основанных на совершенных сверхрешетках AlGaAs/GaAs, получаемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Для разработанных конструкций рассчитаны энергии переходов, коэффициенты усиления и потерь излучения, которые определили дизайн созданных экспериментальных структур.

Список литературы

  1. Казаринов Р.Ф., Сурис Р.А. // ФТП. 1971. Т. 5. № 4. С. 797.

  2. Esaki L., Tsu R. // IBM J. Res. Dev. 1970. V. 14. No. 1. P. 61.

  3. Bosco L., Franckie M., Scalari G. et al. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 115. Art. No. 010601.

  4. Leyman R., Bazieva N., Kruczek T. et al. // Recent Pat. Signal Process. 2012. V. 2. Art. No. 12.

  5. Mattsson M.O., Simkó M. // Med. Devices (Auckland, NZ). 2019. V. 12. P. 347.

  6. Banerjee A., Vajandar S., Basu T. Terahertz biomedical and healthcare technologies. Amsterdam: Elsevier, 2020. p. 225.

  7. Federici J.F., Schulkin B., Huang F. et al. // Semicond. Sci. Technol. 2005. V. 20. No. 7. Art. No. S266.

  8. Knipper R., Brahm A., Heinz E. et al. // IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 2015. V. 5. No. 6. P. 999.

  9. Piesiewicz R., Jacob M., Koch M. et al. // IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 2008. V. 14. No. 2. P. 421.

  10. Niu Z., Zhang B., Wang J. et al. // China Commun. 2020. V. 17. No. 3. P.131.

  11. Khalatpour A., Paulsen A.K., Deimert C. et al. // Nature. Photon. 2021. V. 15. No. 1. P. 16.

  12. Lu Q., Razeghi M. // Photonics. 2016. V. 3. No. 3. P. 42.

  13. Vitiello M.S., Tredicucci A. // Adv. Phys.-X. 2021. V. 6. No. 1. Art. No. 1893809.

  14. Köhler R., Tredicucci A., Beltram F. et al. // Nature. 2002. V. 417. No. 6885. P. 156.

  15. Wannier G.H. // Phys. Rev. 1960. V. 117. No. 2. P. 432.

  16. Алтухов И.В., Дижур С.Е., Каган М.С. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2016. Т. 103. № 2. С. 128; Altukhov I.V., Dizhur S.E., Kagan M.S. et al. // JETP Lett. 2016. V. 103. No. 2. P. 122.

  17. Kagan M.S., Altukhov I.V., Paprotskiy S.K. et al. // Lith. J. Phys. 2014. V. 54. No. 1. P. 50.

  18. Андронов А.А., Додин Е.П., Зинченко Д.И. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2015. Т. 102. № 4. С. 235; Andronov A.A., Dodin E.P., Zinchenko D.I. et al. // JETP Lett. 2015. V. 102. No. 4. P. 207.

  19. Andronov A.A., Ikonnikov A.V., Maremianin K.V. et al. // ФTП. 2018. T. 52. № 4. C. 463; Andronov A.A., Ikonnikov A.V., Maremianin K.V. et al. // Semiconductors. 2018. V. 52. No. 4. P. 431.

  20. Андронов А.А., Додин Е.П., Зинченко Д.И. и др. // Квант. электрон. 2010. Т. 40. № 5. С. 400; Andro-nov A.A., Dodin E.P., Zinchenko D.I. et al. // Quantum Electron. 2010. V. 40. No. 5. P. 400.

  21. Jirauschek C. // IEEE J. Quantum Electron. 2009. V. 45. No. 9. P. 1059.

  22. Kane E.O. Handbook on semiconductors. Amsterdam: Elsevier. 1982. P. 193.

  23. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. V. 89. No. 11. P. 5815.

  24. Williams B.S. // Nature Photonics. 2007. V. 1. No. 9. P. 517.

  25. Kohen S., Williams B.S., Hu Q. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. No. 5. Art. No. 053106.

  26. Dashkov A.S., Goray L.I. // J. Phys. Conf. Ser. 2019. V. 1410. Art. No. 012085.

  27. Jirauschek C., Kubis T. // Appl. Phys. Rev. 2014. V. 1. No. 1. Art. No. 011307.

  28. Dashkov A.S., Goray L.I. // Semiconductors. 2020. V. 54. No. 14. P. 1823.

  29. Sirtori C., Capasso F., Faist J., Scandolo S. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. No. 12. P. 8663.

  30. Горай Л.И., Пирогов Е.В., Соболев М.С. и др. // ЖТФ. 2020. Т. 90. № 11. С. 1906; Goray L.I., Pirogov E.V., Sobolev M.S. et al. // Tech. Phys. 2020. V. 65. No. 11. P.1822.

  31. Горай Л.И., Пирогов Е.В., Свечников М.В. и др. // Письма в ЖТФ. 2021. Т. 47. № 15. С. 7; Goray L.I., Pirogov E.V., Svechnikov M.V. et al. // Tech. Phys. Lett. 2021. V. 47. No. 10. P. 757.

  32. Goray L.I., Pirogov E.V., Nikitina E.V. et al. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 14. P. 1914.

  33. Goray L.I., Pirogov E.V., Sobolev M.S. et al. // J. Physics D. 2020. V. 53. No. 45. Art. No. 455103.

  34. Goray L.I., Pirogov E.V., Sobolev M.S. et al. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 14. P. 1910.

  35. Beere H.E., Fowler J.C., Alton J. et al. // J. Cryst. Growth. 2005. V. 278. No. 1. P. 756.

  36. Герчиков Л.Г., Дашков А.С., Горай Л.И., Буравлев А.Д. // ЖЭТФ. 2021. Т. 160. № 2. С. 197; Gerchikov L.G., Dashkov A.S., Goray L.I., Bouravleuv A.D. // JETP. 2021. V. 133. No. 2. P. 161.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Известия РАН. Серия физическая

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал