Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 9, стр. 1279-1284

Сегнетоэлектрическая керамика на основе Bi4Ti3O12, предназначенная для экстремальных условий

М. А. Мараховский 1*, М. В. Таланов 2, А. А. Панич 1

1 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Южный федеральный университет”, Институт высоких технологий и пьезотехники
Ростов-на-Дону, Россия

2 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Южный федеральный университет”, Научно-исследовательский институт физики
Ростов-на-Дону, Россия

* E-mail: marmisha@mail.ru

Поступила в редакцию 14.04.2023
После доработки 15.05.2023
Принята к публикации 29.05.2023

Аннотация

Выполнено сравнительное исследование керамики на основе высокотемпературного сегнетоэлектрика Bi4Ti3O12, которая изготовлена путем применения трех различных методов спекания. Установлены зависимости относительной плотности, микроструктуры, диэлектрических и пьезоэлектрических свойств керамики от метода спекания. Показано, что оптимальным сочетанием функциональных характеристик обладают керамики, спеченные методом горячего прессования.

Список литературы

  1. Dorrian J.F., Newnham R.E., Smith D.K. et al. // Ferroelectrics. 1972. V. 3. P. 17.

  2. Hervoches C.H., Lightfoot P. // Chem. Mater. 1999. V. 11. P. 3359.

  3. Rae A.D., Thompson J.G., Withers R.L. et al. // Acta Cryst. 1990. V. B46. P. 474.

  4. Ломанова Н.А. // ЖНХ. 2022. Т. 67. № 6. С. 665; Lomanova N.A. // Russ. J. Inorg. Chem. 2022. V. 67. P. 741.

  5. Shirokov V.B., Talanov M.V. // Acta Cryst. 2019. V. B75. P. 978.

  6. Park B.H., Kang B.S., Bu S.D. et al. // Nature. 1999. V. 401. P. 682.

  7. Kalinkin A.N., Kozhbakhteev E.M., Polyakov A.E., Skorikov V.M. // Inorg. Mater. 2013. V. 49. P. 1031.

  8. Slavov S.S., Soreto Teixeira S., Graca M.P.F. et al. // Int. J. Appl. Glass Sci. 2019. V. 10. P. 202.

  9. Searfass C.T., Pheil C., Sinding K. et al. // IEEE Trans. Ultrason. Ferroelectr. Freq. Control. 2016. V. 63. P. 139.

  10. Cheng T., Ma Q., Gao H. et al. // Mater. Today Chem. 2022. V. 23. Art. No. 100750.

  11. Megriche A., Lebrun L., Troccaz M. // Sens. Actuators. A. 1999. V. 78. P. 88.

  12. Jiang A.Q., Hu Z.X., Zhang L.D. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. P. 114.

  13. Jovalekic C., Pavlovic M., Osmokrovic P. et al. // Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. P. 1051.

  14. Xie X., Zhou Z., Liang R. et al. // Adv. Electron. Mater. 2022. V. 8. Art. No. 2101266.

  15. Shulman H. S., Damjanovic D., Setter N. // J. Amer. Ceram. Soc. 2000. V. 83. P. 528.

  16. Мараховский М.А., Панич А.А., Таланов М.В. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 11. С. 1667; Marakhovsky M.A., Panich A.A., Talanov M.V. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V. 84. No. 11. P. 1419.

  17. Marakhovsky M.A., Panich A.A., Talanov M.V. et al. // Ferroelectrics. 2020. V. 560. No. 1. P. 1.

  18. Мараховский М.А., Панич А.А., Мараховский В.А. // Фунд. пробл. радиоэлектрон. приборостр. 2018. Т. 18. № 2. С. 430.

  19. Мараховский М.А., Панич А.А. // Изв. ЮФУ. Техн. науки. 2017. Т. 191. № 6. С. 242.

  20. Marakhovsky M.A., Panich A.A., Talanov M.V. et al. // Ferroelectrics. 2021. V. 575. No. 1. P. 43.

  21. Kan Y., Wang P., Xu W.T. et al. // J. Amer. Ceram. Soc. 2005. V. 88. No. 6. P. 1631.

  22. Вусевкер Ю.А., Файнридер Д.Э., Панич А.Е. и др. Пьезоэлектрический керамический материал. Патент РФ № 2139840, кл. C04B 35/00. 1999.

  23. Esquivel-Elizondo J.R., Hinojosa B.B., Nino J.C.J. // Chem. Mater. 2011. V. 23. No. 22. P. 4965.

  24. Kargin Yu.F., Ivicheva S.N., Volkov V.V. // Russ. J. Inorg. Chem. 2015. V. 60. No. 5. P. 619.

  25. Patri T., Rao T.D., Chandra Sekhar K.S.K.R. et al. // Phys. Stat. Sol. B. 2022. Art. No. 2200223.

  26. Long C., Fan H., Ren W. et al. // J. Europ. Ceram. Soc. 2019. V. 39. P. 4103.

  27. Xie X., Wang T., Zhou Z. et al. // J. Europ. Ceram. Soc. 2019. V. 39. P. 957.

  28. Chen Y., Xie S., Wang H. et al. // J. Alloys Compounds. 2017. V. 696. P. 746.

  29. Bush A.A., Talanov M.V., Stash A.I. et al. // Cryst. Growth Des. 2020. V. 20. No. 2. P. 824.

Дополнительные материалы отсутствуют.