Кристаллография, 2020, T. 65, № 6, стр. 978-985

Кубическая и тетрагональная модификации в керамических образцах ВaTiO3: рентгеноструктурное исследование методом Ритвельда

А. А. Буш 1, В. П. Сиротинкин 2*, С. А. Иванов 3

1 МИРЭА – Российский технологический университет
Москва, Россия

2 Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН
Москва, Россия

3 Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
Москва, Россия

* E-mail: sirotinkin.vladimir@mail.ru

Поступила в редакцию 09.12.2019
После доработки 19.04.2020
Принята к публикации 20.04.2020

Аннотация

Методом Ритвельда проведено структурное исследование измельченных керамических образцов BaTiO3, полученных твердофазным синтезом с максимальной температурой спекания 1350, 1400, 1410 и 1500°С. Показано, что в исследованных образцах наряду с тетрагональной формой присутствует кубическая форма BaTiO3, эффективное содержание которой составляет около 30 об. %. Кубическая форма представляет собой тонкий слой на поверхности зерен керамики с тетрагональной структурой. Продемонстрирована эффективность предварительного исследования отдельных участков рентгеновских дифрактограмм с интенсивными пиками.

DOI: 10.31857/S0023476120050033

Список литературы

  1. Титанат бария. Сб. докладов семинара по сегнетоэлектричеству. ФИАН, 1970 / Ред. Белов Н.В. М.: Наука, 1973. 264 с.

  2. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981. 736 с.

  3. Haertling G.H. // J. Am. Ceram. Soc. 1999. V. 82. № 4. P. 797.

  4. Ротенберг Б.А. Керамические конденсаторные диэлектрики. СПб.: Типография ОАО НИИ “Гириконд”, 2000. 246 с.

  5. Kinoshita K., Yamaji A. // J. Appl. Phys. 1976. V. 47. № 1. P. 371.

  6. Arlt G., Hennings D., De With G. // J. Appl. Phys. 1985. V. 58. № 4. P. 1619.

  7. Takeuchi T., Ado R., Asai T. et al. // J. Am. Ceram. Soc. 1994. V. 77. № 6. P. 1665.

  8. Miot C., Proust C., Husson E. // J. Eur. Ceram. Soc. 1995. V. 15. P. 1163.

  9. Frey M.H., Xu Z., Han P., Payne D.A. // Ferroelectrics. 1998. V. 206–207. P. 337.

  10. McNeal M.P., Jang S.-J., Newnham R.E. // J. Appl. Phys. 1998. V. 83. № 6. P. 3288.

  11. Lee J.-K., Hong K.-S., Jang J.-W. // J. Am. Ceram. Soc. 2001. V. 84. № 9. P. 2001.

  12. Chen R., Wang X., Li L., Gui Z. // Key Eng. Mater. 2002. V. 224–226. P. 37.

  13. Polotai A.V., Ragulya A.V., Randall C.A. // Ferroelectrics. 2003. V. 288. P. 93.

  14. Kim H.T., Han Y.H. // Ceram. Int. 2004. V. 30. P. 1719.

  15. Curecheriu L., Buscaglia M.T., Buscaglia V. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. P. 242909.

  16. Choi Y.-K., Hoshina T., Takeda T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 97. № 21. P. 212907.

  17. Petzelt J. // Ferroelectrics. 2010. V. 400. P. 117.

  18. Fujii I., Ugorek M., Mc Kinstry S.T. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. P. 104116.

  19. Hoshina T. // J. Ceram. Soc. Jpn. 2013. V. 121. № 2. P. 156.

  20. Li Y., Dong G., Zhu B. et al. // Adv. Mater. Res. 2013. V. 750–752. P. 506.

  21. Rahman M.K., Hossain M.F., Shorowordi K.M., Matin M.A. // Appl. Mechan. Mater. 2016. V. 860. P. 129.

  22. Sandi D.K., Supriyanto A., Jamaluddin A., Iriani Y. // IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 2006. V. 107. P. 012069.

  23. Sareecha N., Shah W.A., Anis-ur-Rehman M. et al. // Solid State Ionics. 2017. V. 303. P. 16.

  24. Lu D., Gao X., Fu Y. // Topics Chem. Mater. Eng. 2018. V. 1. № 1. P. 79.

  25. Aoyagi S., Kuroiwa Y., Sawada A. et al. // J. Phys. Soc. Jpn. 2002. V. 71. № 5. P. 1218.

  26. Kim Y.-I., Jung J.K., Ryu K.-S. // Mater. Res. Bull. 2004. V. 39. P. 1045.

  27. Yashima M., Hoshina T., Ishimura D. et al. // J. Appl. Phys. 2005. V. 98. № 8. P. 014313.

  28. Smith M.B., Page K., Siegrist T. et al. // J. Am. Chem. Soc. 2008. V. 130. P. 6955.

  29. Xiao C.J., Jin C.Q., Wang X.H. // Mater. Chem. Phys. 2008. V. 111. P. 209.

  30. Wang L.M., Deng X.Y., Li J.B. et al. // Mater. Res. Innovations. 2013. V. 17. S. 1. P. 190.

  31. Maiti T., Guo R., Bhalla A.S. // J. Am. Ceram. Soc. 2008. V. 91. № 6. P. 1769.

  32. Yang Y., Zhou Y., Ren J. et al. // J. Am. Ceram. Soc. 2018. V. 101(6). P. 2594.

  33. Kraus W., Nolze G. // J. Appl. Cryst. 1996. V. 29. P. 301.

  34. Rodriguez-Carvajal J. FullProf Suite Program (1.0) Version Feb. 2007.

  35. Сиротинкин В.П., Буш А.А., Каменцев К.Е. и др. // Российский технологический журнал. 2017. Т. 5. № 1. С. 15.

  36. Buttner R.H., Malsen E.N. // Acta Cryst. B. 1992. V. 48. P. 764.

  37. Krumm S. // Mater. Sci. Forum. 1996. V. 228–231. P. 183.

  38. Delhez R., De Keijser Th.H., Mittemeijer E.J. // Surf. Eng. 1987. V. 3. № 4. P. 331.

Дополнительные материалы отсутствуют.