Кристаллография, 2022, T. 67, № 3, стр. 473-478
Получение наноструктур теллура методом термического испарения
Г. Н. Кожемякин 1, *, Ю. С. Белов 2, В. В. Артемов 1, М. К. Труфанова 3, И. С. Волчков 1
1 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
Москва, Россия
2 Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
Калуга, Россия
3 Луганский государственный университет им. Владимира Даля
Луганск, Украина
* E-mail: genakozhemyakin@mail.ru
Поступила в редакцию 08.12.2021
После доработки 08.12.2021
Принята к публикации 10.12.2021
- EDN: BYVSGN
- DOI: 10.31857/S0023476122030122
Аннотация
Наноструктуры теллура получены на стеклоуглеродных подложках методом термического испарения в атмосфере аргона. Компьютерная обработка электронных микрофотографий позволила определить размеры и форму частиц Те. Установлено, что конденсация Те в течение 10, 20 и 30 с на стеклоуглеродных подложках обеспечила формирование частиц двух типов: сферической формы и в виде нанопроволок размером от 10 до 600 нм. Увеличение времени конденсации Те до 30 с способствовало увеличению количества нанопроволок в 500 раз и сферических микрочастиц в 5 раз.
ВВЕДЕНИЕ
Оригинальные свойства теллура стимулируют интерес к изучению его получения и поведения его нанообъектов. Известно, что Те кристаллизуется в гексагональной кристаллической структуре [1, 2]. В твердом состоянии Те состоит из длинных спиральных параллельных цепочечных молекул [3–5]. Связь между атомами в цепочках ковалентная, а между цепочками – Ван-дер-Ваальсова. Это способствует анизотропии кристаллов Те и их легкой раскалываемости параллельно осям цепочек. Те является полупроводником p-типа с шириной запрещенной зоны 0.35 эВ при комнатной температуре [6, 7].
Практический интерес к Те как к материалу для фотоники способствовал разработке методов получения его наноструктур. Следует отметить химические методы, обеспечивающие получение микро- и наночастиц Те различной конфигурации. Пленки Te со сформированными на их поверхности микропроволоками получали из газовой фазы в условиях термохимической активации и молекулярно-лучевой эпитаксии [8, 9]. Селективным синтезом гидротермального процесса в присутствии поливинилпирролидона в течение 4 ч были получены монокристаллические нанопроволоки Те диаметром 4–9 нм, продемонстрировавшие люминесценцию в области голубой и фиолетовой длин волн [10, 11]. Увеличение времени такого синтеза до 24 ч обеспечило получение микролент шириной до 800 нм и длиной несколько десятков микрометров. Методами химического осаждения из паровой фазы синтезированы наноленты Te шириной от 50 до 300 нм с использованием порошка теллурида алюминия и воды [12]. Испарением мишени Te чистотой 99.9% импульсным лазером с длиной волны 532 нм при мощности одного импульса 80 мДж были получены наночастицы Те размером от 10 до 300 мкм на подложке монокристаллического кремния [13]. Измерена фототермальная конверсия солнечного излучения наночастицами Те, достигающая 85%. Эти частицы проявляли также плазмонный эффект в диапазоне длин волн от ультрафиолетового до инфракрасного. Благодаря диспропорционированию теллурида натрия в водном аммиаке при температуре около 180°С формировали нанотрубки Tе [14]. Для получения наночастиц Te размером от 25 до 80 нм при комнатной температуре разработан химический метод с использованием теллурида натрия в смеси кислот при комнатной температуре [15]. Большинство наночастиц Те имели гексагональную структуру. В полученной смеси наночастиц кроме Те присутствовали частицы меди и углерода. Нанопроволоки Те игольчатого типа диаметром от десятков до сотен нанометров были получены синтезом низкотемпературной сольвотермальной реакции [16]. Увеличение длительности синтеза способствовало формированию из нанопроволок Те структур “цветочного” типа. В этих структурах Те обнаружена люминесценция в диапазоне голубого и фиолетового длин волн. Расчеты зонной структуры указывают на проявление у Те свойств топологических изоляторов при определенных условиях их формирования [17]. Изучение наноструктур Те свидетельствует о перспективности их применения для создания приборов фотоники. Однако известными методами получают наноструктуры Те с сопутствующими примесями, которые отрицательно влияют на фотоэлектрические свойства. В этой связи представляет интерес развитие методов получения наночастиц Те, обеспечивающих минимальное содержание неконтролируемых примесей.
В данной работе изучены условия формирования наноструктур Те термическим испарением в атмосфере аргона. Для определения размеров и формы наночастиц Те применяли метод компьютерного анализа микрофотографий, полученных под сканирующим электронным микроскопом.
МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
Наночастицы Te осаждали на стеклоуглеродные подложки методом термического испарения в среде высокочистого аргона. В кварцевый тигель, установленный в нагревателе вакуумной камеры, помещали поликристаллический Te чистотой 99.9999% массой ∼1 г. Вследствие летучести Те при температурах ниже температуры его плавления 449.5°C и нормальном давлении его нагрев проводили в атмосфере высокочистого аргона при избыточном давлении 1.2 × 105 Па. После достижения температуры плавления Те испарение проводили при более низком давлении 0.7 × 105 Па. Для получения наночастиц Те на нескольких подложках при идентичных температурных условиях испарения кварцевый тигель с расплавом был закрыт танталовой крышкой, имеющей одно отверстие диаметром 5 мм на расстоянии 15 мм от его центра. Это позволило обеспечить направленный поток атомов Те диаметром ∼5 мм. На вращающемся штоке был закреплен танталовый диск с четырьмя отверстиями диаметром 5 мм, который устанавливался на расстоянии 20 мм выше танталовой крышки. Над каждым отверстием на верхней поверхности диска фиксировали три подложки из стеклоуглерода марки СУ 2000 и одну кварцевую. Поворот диска на 90° обеспечивал установку каждой подложки над отверстием с испаряющимся Те. Температура подложек составляла ∼95°С. Начало испарения Те определяли по изменению прозрачности кварцевой подложки, которая фиксировалась первой над отверстием в танталовой крышке тигля.
На трех стеклоуглеродных подложках в течение 10, 20 и 30 с проводили конденсацию частиц Te. Область формирования наночастиц на подложке имела форму круга диаметром 5 мм. После этого образцы с частицами Te на стеклоуглеродных подложках охлаждали до комнатной температуры.
Распределение нано- и микрочастиц Te на стеклоуглеродных подложках и измерение концентрационного профиля образцов проводили методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (ЭДС) в электронном сканирующем микроскопе JSM 7401F. Рентгеноструктурный анализ наноструктур Te проводили с помощью дифрактометра Miniflex 600 (Rigaku, Япония) с использованием CuKα-излучения, λ = = 1.54056 Å. Расшифровку дифрактограмм выполняли с помощью программы HighScore Plus с кристаллографической базой данных ICSD. С помощью метода интеллектуального анализа изображений изучали особенности формирования наноструктур Те.
РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
Испарение расплава Te в атмосфере высокочистого аргона в течение 10, 20 и 30 с обеспечило формирование частиц Te размером от 17 до 600 нм. Отметим, что при конденсации в течение 10 с наблюдались сферические нано- и микрочастицы Те (рис. 1а). В этих условиях конденсации микрочастицы состояли из нескольких сферических наночастиц. Одновременно со сферическими наночастицами в этих условиях формировались нанопроволоки Те длиной до 200 нм. Однако при времени конденсации 20 с наблюдалось формирование нанопроволок Те диаметром до 90 нм и длиной до 400 нм, а также крупных частиц размером ∼1 мкм, состоящих из объединившихся сферических нано- и микрочастиц Те (рис. 1б). Увеличение времени конденсации до 30 с способствовало увеличению количества и размеров нанопроволок и сферических микрочастиц Те с формированием “цветочного” изображения (рис. 1в), ранее установленного при получении микрочастиц Те методом низкотемпературной двухфазной сольвотермической реакции [14]. При времени осаждения Те 30 с наблюдались микрочастицы гексагональной формы, подобной элементарной ячейки Те размером до 650 нм (рис. 1в–1д).
Методом рентгеновской дифракции удалось выявить Те (карточка ICDD 01–085–0559) только на образце со временем конденсации 30 с (рис. 1в) вследствие высокой аморфности стеклоуглеродной подложки и малого содержания наноструктур Те на ее поверхности. Дифракционная картина этого образца (рис. 2) имеет пять пиков при 2θ = 24°, 26°, 43.8°, 54° и 77.8°, которые соответствуют индексам (100), (002), (101), (004) и (110) кристаллической структуры теллура и графита. Причем только первый пик Те превысил дифракционное отражение графита, что может свидетельствовать о преимущественной ориентации (100) структур теллура при их различной ориентации, показанной на рис. 1. Однако высокая степень аморфности подложки из стеклоуглерода и малая концентрация наночастиц, а также близкие углы отражения стеклоугрерода с углами Те не позволили выявить другие кристаллографические ориентации, которые были обнаружены при измерениях на подложках из мусковита и сапфира [9], а также в специальном полимерном растворителе [16]. В [18] полагают, что в структуре стеклоуглерода атомы углерода образуют перекрестные связывающие графитоподобные слои различной ориентации. Значительная ширина пиков графита на рис. 2 свидетельствует о графитоподобной (карточки ICDD 03–065–6212) структуре стеклоуглерода, близкой к аморфной.
Результаты измерения концентрации элементов на поверхности стеклоуглеродной подложки при времени конденсации 30 с методом ЭДС свидетельствуют о наличии Те с концентрацией ∼0.54 ат. % (рис. 1е).
Для определения характерных особенностей формообразования конденсированных частиц Те применили компьютерную обработку изображений. Предварительно проведены адаптивное удаление шума и повышение контрастности микрофотографий. Адаптивное снижение цифрового шума выполняли с применением медианного фильтра и размытия по Гауссу. Это позволило получить контрастные границы частиц Te на обработанных таким образом микрофотографиях (рис. 3б). Размер и плотность частиц Te определяли по их количеству на микрофотографиях каждого образца.
Компьютерная обработка микрофотографий позволила определить количественные параметры полученных нано- и микроструктур Те. При времени конденсации 10 с на стеклоуглеродных подложках формировались нано- и микрочастицы Te в основном сферической формы размером 10–400 нм (рис. 4а, 4б). В этих условиях конденсации плотность нано- и микрочастиц Те сферической формы составила Sn = 32.8 × 107 см–2 и Sm = 14.1 × 107 см–2 соответственно. Наряду со сферическими частицами при времени конденсации 10 с была определена плотность нанопроволок Snw = 1.4 × 107 см–2 при их диаметре от 20 и до 100 нм и длине до 400 нм (табл. 1).
Таблица 1.
Время конденсации, с | Сферические частицы | Проволоки | ||
---|---|---|---|---|
Наночастицы Sn, 107 см–2 |
Микрочастицы Sm, 107 см–2 |
Нанопроволоки Snw, 107 см–2 |
Микропроволоки Smw, 107 см–2 |
|
10 | 32.8 | 14.1 | 1.4 | |
20 | 23.0 | 25.3 | 255.1 | 6.9 |
30 | 36.4 | 68.0 | 685.1 | 11.5 |
Увеличение времени конденсации Те до 20 с обеспечило возрастание количества сферических частиц и крупных микрочастиц различной формы размером до 4 мкм. Между сферическими частицами формировались нано- и микропроволоки различной ориентации длиной до 400 нм диаметром около 80 и 110 нм соответственно. При этом наблюдалось уменьшение плотности наночастиц на 30% при увеличении в 2 раза плотности микрочастиц (рис. 4в, 4г). При данном времени конденсации Те увеличилось количество нанопроволок в 180 раз и образовались микропроволоки.
Дальнейшее увеличение времени конденсации Те до 30 с способствовало значительному увеличению количества сферических нано- и микрочастиц, а также нано- и микропроволок (рис. 4д, 4е). Причем размеры нанопроволок незначительно отличались от их размеров, полученных при времени конденсации 20 с. Вероятно, формирование одновременно сферических наночастиц и нанопроволок может быть результатом особенности физико-химического взаимодействия осевших на стеклоуглеродную подложку атомов Те, что определяет их форму.
Отметим, что увеличение времени конденсации до 30 с способствовало увеличению количества и размеров частиц Те: сферических микрочастиц в 5 раз при незначительном (11%) увеличении наночастиц; нанопроволок в 500 раз, а микропроволок – в 2 раза.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Нано- и микроструктуры Те размером от 10 до 600 нм получены методом термического испарения в атмосфере аргона. Показано, что при конденсации Те в течение 10–30 с на стеклоуглеродных подложках формируются нано- и микрочастицы Те сферической формы и в виде нанопроволок. Методом рентгеновской дифракции выявлена преимущественная ориентация (100) частиц Te на стеклоуглеродной подложке. Структура стеклоуглеродной подложки близка к аморфной. Компьютерная обработка электронных микрофотографий позволила установить, что при времени конденсации 10 с на стеклоуглеродных подложках формировались нано- и микрочастицы Te сферической формы размером 10–400 нм, а также нанопроволоки длиной до 400 нм. Увеличение времени конденсации Те до 20 с обеспечило возрастание в 2 раза количества сферических микрочастиц размером до 4 мкм и нанопроволок в 180 раз. При этом времени конденсации наблюдалось также уменьшение плотности наночастиц на 30% при увеличении в 2 раза плотности микрочастиц. Время конденсации Те 30 с способствовало увеличению количества сферических наночастиц на 11%, микрочастиц в 5 раз, нанопроволок в 500 раз, а микропроволок в 2 раза. Результаты данной работы продемонстрировали возможность получения методом термического испарения в атмосфере аргона на стеклоуглеродных подложках наноструктур теллура сферической формы и в виде нанопроволок.
Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках выполнения работ по Государственному заданию ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН с использованием оборудования ЦКП ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН при поддержке Министерства образования и науки России (проект RFMEFI62119X0035).
Список литературы
Глазов В.М., Чижевская С.Н., Глаголева Н.Н. Жидкие полупроводники. М.: Наука, 1967. 244 с.
Tanaka Sh. // Oyo Buturi. 1971. V. 40. P. 594.
Лебедь А.Б., Набойченко C.С., Шунин В.А. Производство селена и теллура на ОАО “Уралэлектромедь”: учеб. пособие. Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2015. 112 с.
Gromnitskaya E.L., Yagafarov O.F., Stalgorova O.V. et al. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 98. P. 165503.
Voloshina E., Rosciszewski K., Paulus B. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. P. 045113.
Anzin V.B., Eremets M.I., Kosichkin Y.V. et al. // Phys. Status Solidi. A. 1977. V. 42. P. 385.
Junginger H.-G. // Solid State Commun. 1967. V. 5. P. 509.
Михайлов В.И., Буташин А.В., Каневский В.М. и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исследования. 2011. № 6. С. 97.
Муслимов А.Э., Буташин А.В., Михайлов В.И. и др. // Кристаллография. 2015. Т. 60. № 4. С. 616.
Qian H.-Sh., Yu Sh.-H., Gong J.-Y. et al. // Langmuir. 2006. V. 22. P. 3830.
Lan W.-J., Yu Sh.-H., Qian H.-Sh. et al. // Langmuir. 2007. V. 23. P. 3409.
Geng B.Y., Lin Y., Peng X.S. et al. // Nanotechnology. 2003. V. 14. P. 983.
Ma Ch., Yan J., Huang Y. et al. // Sci. Adv. 2018. V. 4. P. 9894.
Mo M.S., Zeng J.H., Liu X.M. et al. // Adv. Mater. 2002. V. 14. P. 1658.
Kurimella V.R., Kumar K.R., Sanasi P.D. // Int. J. Nanosci. Nanotechnol. 2013. V. 4. P. 209.
Wang S., Guan W., Ma D. et al. // Cryst. Eng. Commun. 2009. V. 12. P. 166.
Hirayama M., Okugawa R., Ishibashi Sh. et al. // Phys. Rev. Lett. 2015. V. 114. P. 206401.
Noda T., Inagaki M. // Bull. Chem. Soc. Jpn. 1964. V. 37. № 10. P. 1534.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Кристаллография