Кристаллография, 2022, T. 67, № 3, стр. 473-478

Получение наноструктур теллура методом термического испарения

Г. Н. Кожемякин 1*, Ю. С. Белов 2, В. В. Артемов 1, М. К. Труфанова 3, И. С. Волчков 1

1 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
Москва, Россия

2 Калужский филиал МГТУ им. Н.Э. Баумана
Калуга, Россия

3 Луганский государственный университет им. Владимира Даля
Луганск, Украина

* E-mail: genakozhemyakin@mail.ru

Поступила в редакцию 08.12.2021
После доработки 08.12.2021
Принята к публикации 10.12.2021

Полный текст (PDF)

Аннотация

Наноструктуры теллура получены на стеклоуглеродных подложках методом термического испарения в атмосфере аргона. Компьютерная обработка электронных микрофотографий позволила определить размеры и форму частиц Те. Установлено, что конденсация Те в течение 10, 20 и 30 с на стеклоуглеродных подложках обеспечила формирование частиц двух типов: сферической формы и в виде нанопроволок размером от 10 до 600 нм. Увеличение времени конденсации Те до 30 с способствовало увеличению количества нанопроволок в 500 раз и сферических микрочастиц в 5 раз.

ВВЕДЕНИЕ

Оригинальные свойства теллура стимулируют интерес к изучению его получения и поведения его нанообъектов. Известно, что Те кристаллизуется в гексагональной кристаллической структуре [1, 2]. В твердом состоянии Те состоит из длинных спиральных параллельных цепочечных молекул [35]. Связь между атомами в цепочках ковалентная, а между цепочками – Ван-дер-Ваальсова. Это способствует анизотропии кристаллов Те и их легкой раскалываемости параллельно осям цепочек. Те является полупроводником p-типа с шириной запрещенной зоны 0.35 эВ при комнатной температуре [6, 7].

Практический интерес к Те как к материалу для фотоники способствовал разработке методов получения его наноструктур. Следует отметить химические методы, обеспечивающие получение микро- и наночастиц Те различной конфигурации. Пленки Te со сформированными на их поверхности микропроволоками получали из газовой фазы в условиях термохимической активации и молекулярно-лучевой эпитаксии [8, 9]. Селективным синтезом гидротермального процесса в присутствии поливинилпирролидона в течение 4 ч были получены монокристаллические нанопроволоки Те диаметром 4–9 нм, продемонстрировавшие люминесценцию в области голубой и фиолетовой длин волн [10, 11]. Увеличение времени такого синтеза до 24 ч обеспечило получение микролент шириной до 800 нм и длиной несколько десятков микрометров. Методами химического осаждения из паровой фазы синтезированы наноленты Te шириной от 50 до 300 нм с использованием порошка теллурида алюминия и воды [12]. Испарением мишени Te чистотой 99.9% импульсным лазером с длиной волны 532 нм при мощности одного импульса 80 мДж были получены наночастицы Те размером от 10 до 300 мкм на подложке монокристаллического кремния [13]. Измерена фототермальная конверсия солнечного излучения наночастицами Те, достигающая 85%. Эти частицы проявляли также плазмонный эффект в диапазоне длин волн от ультрафиолетового до инфракрасного. Благодаря диспропорционированию теллурида натрия в водном аммиаке при температуре около 180°С формировали нанотрубки Tе [14]. Для получения наночастиц Te размером от 25 до 80 нм при комнатной температуре разработан химический метод с использованием теллурида натрия в смеси кислот при комнатной температуре [15]. Большинство наночастиц Те имели гексагональную структуру. В полученной смеси наночастиц кроме Те присутствовали частицы меди и углерода. Нанопроволоки Те игольчатого типа диаметром от десятков до сотен нанометров были получены синтезом низкотемпературной сольвотермальной реакции [16]. Увеличение длительности синтеза способствовало формированию из нанопроволок Те структур “цветочного” типа. В этих структурах Те обнаружена люминесценция в диапазоне голубого и фиолетового длин волн. Расчеты зонной структуры указывают на проявление у Те свойств топологических изоляторов при определенных условиях их формирования [17]. Изучение наноструктур Те свидетельствует о перспективности их применения для создания приборов фотоники. Однако известными методами получают наноструктуры Те с сопутствующими примесями, которые отрицательно влияют на фотоэлектрические свойства. В этой связи представляет интерес развитие методов получения наночастиц Те, обеспечивающих минимальное содержание неконтролируемых примесей.

В данной работе изучены условия формирования наноструктур Те термическим испарением в атмосфере аргона. Для определения размеров и формы наночастиц Те применяли метод компьютерного анализа микрофотографий, полученных под сканирующим электронным микроскопом.

МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

Наночастицы Te осаждали на стеклоуглеродные подложки методом термического испарения в среде высокочистого аргона. В кварцевый тигель, установленный в нагревателе вакуумной камеры, помещали поликристаллический Te чистотой 99.9999% массой ∼1 г. Вследствие летучести Те при температурах ниже температуры его плавления 449.5°C и нормальном давлении его нагрев проводили в атмосфере высокочистого аргона при избыточном давлении 1.2 × 105 Па. После достижения температуры плавления Те испарение проводили при более низком давлении 0.7 × 105 Па. Для получения наночастиц Те на нескольких подложках при идентичных температурных условиях испарения кварцевый тигель с расплавом был закрыт танталовой крышкой, имеющей одно отверстие диаметром 5 мм на расстоянии 15 мм от его центра. Это позволило обеспечить направленный поток атомов Те диаметром ∼5 мм. На вращающемся штоке был закреплен танталовый диск с четырьмя отверстиями диаметром 5 мм, который устанавливался на расстоянии 20 мм выше танталовой крышки. Над каждым отверстием на верхней поверхности диска фиксировали три подложки из стеклоуглерода марки СУ 2000 и одну кварцевую. Поворот диска на 90° обеспечивал установку каждой подложки над отверстием с испаряющимся Те. Температура подложек составляла ∼95°С. Начало испарения Те определяли по изменению прозрачности кварцевой подложки, которая фиксировалась первой над отверстием в танталовой крышке тигля.

На трех стеклоуглеродных подложках в течение 10, 20 и 30 с проводили конденсацию частиц Te. Область формирования наночастиц на подложке имела форму круга диаметром 5 мм. После этого образцы с частицами Te на стеклоуглеродных подложках охлаждали до комнатной температуры.

Распределение нано- и микрочастиц Te на стеклоуглеродных подложках и измерение концентрационного профиля образцов проводили методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (ЭДС) в электронном сканирующем микроскопе JSM 7401F. Рентгеноструктурный анализ наноструктур Te проводили с помощью дифрактометра Miniflex 600 (Rigaku, Япония) с использованием CuKα-излучения, λ = = 1.54056 Å. Расшифровку дифрактограмм выполняли с помощью программы HighScore Plus с кристаллографической базой данных ICSD. С помощью метода интеллектуального анализа изображений изучали особенности формирования наноструктур Те.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

Испарение расплава Te в атмосфере высокочистого аргона в течение 10, 20 и 30 с обеспечило формирование частиц Te размером от 17 до 600 нм. Отметим, что при конденсации в течение 10 с наблюдались сферические нано- и микрочастицы Те (рис. 1а). В этих условиях конденсации микрочастицы состояли из нескольких сферических наночастиц. Одновременно со сферическими наночастицами в этих условиях формировались нанопроволоки Те длиной до 200 нм. Однако при времени конденсации 20 с наблюдалось формирование нанопроволок Те диаметром до 90 нм и длиной до 400 нм, а также крупных частиц размером ∼1 мкм, состоящих из объединившихся сферических нано- и микрочастиц Те (рис. 1б). Увеличение времени конденсации до 30 с способствовало увеличению количества и размеров нанопроволок и сферических микрочастиц Те с формированием “цветочного” изображения (рис. 1в), ранее установленного при получении микрочастиц Те методом низкотемпературной двухфазной сольвотермической реакции [14]. При времени осаждения Те 30 с наблюдались микрочастицы гексагональной формы, подобной элементарной ячейки Те размером до 650 нм (рис. 1в–1д).

Рис. 1.

Изображения частиц Te на стеклоуглеродной подложке, полученные при времени конденсации: а – 10, б – 20, в – 30 с, г – гексагональная структура частицы Те, д – изображение элементарной ячейки Te, е – ЭДС-спектр распределения элементов. Над пиками указаны линии излучения химических элементов.

Методом рентгеновской дифракции удалось выявить Те (карточка ICDD 01–085–0559) только на образце со временем конденсации 30 с (рис. 1в) вследствие высокой аморфности стеклоуглеродной подложки и малого содержания наноструктур Те на ее поверхности. Дифракционная картина этого образца (рис. 2) имеет пять пиков при 2θ = 24°, 26°, 43.8°, 54° и 77.8°, которые соответствуют индексам (100), (002), (101), (004) и (110) кристаллической структуры теллура и графита. Причем только первый пик Те превысил дифракционное отражение графита, что может свидетельствовать о преимущественной ориентации (100) структур теллура при их различной ориентации, показанной на рис. 1. Однако высокая степень аморфности подложки из стеклоуглерода и малая концентрация наночастиц, а также близкие углы отражения стеклоугрерода с углами Те не позволили выявить другие кристаллографические ориентации, которые были обнаружены при измерениях на подложках из мусковита и сапфира [9], а также в специальном полимерном растворителе [16]. В [18] полагают, что в структуре стеклоуглерода атомы углерода образуют перекрестные связывающие графитоподобные слои различной ориентации. Значительная ширина пиков графита на рис. 2 свидетельствует о графитоподобной (карточки ICDD 03–065–6212) структуре стеклоуглерода, близкой к аморфной.

Рис. 2.

Дифрактограмма микро- и нанокристаллов Те на подложке стеклоуглерода, полученных при времени конденсации 30 с.

Результаты измерения концентрации элементов на поверхности стеклоуглеродной подложки при времени конденсации 30 с методом ЭДС свидетельствуют о наличии Те с концентрацией ∼0.54 ат. % (рис. 1е).

Для определения характерных особенностей формообразования конденсированных частиц Те применили компьютерную обработку изображений. Предварительно проведены адаптивное удаление шума и повышение контрастности микрофотографий. Адаптивное снижение цифрового шума выполняли с применением медианного фильтра и размытия по Гауссу. Это позволило получить контрастные границы частиц Te на обработанных таким образом микрофотографиях (рис. 3б). Размер и плотность частиц Te определяли по их количеству на микрофотографиях каждого образца.

Рис. 3.

Изображения частиц Te на стеклоуглеродной подложке, полученные при времени конденсации 20 с: а – СЭМ-изображения частиц Te, б – изображение частиц Te после удаления шума, повышения контрастности и выделения участков с характерными микрочастицами.

Компьютерная обработка микрофотографий позволила определить количественные параметры полученных нано- и микроструктур Те. При времени конденсации 10 с на стеклоуглеродных подложках формировались нано- и микрочастицы Te в основном сферической формы размером 10–400 нм (рис. 4а, 4б). В этих условиях конденсации плотность нано- и микрочастиц Те сферической формы составила Sn = 32.8 × 107 см–2 и Sm = 14.1 × 107 см–2 соответственно. Наряду со сферическими частицами при времени конденсации 10 с была определена плотность нанопроволок Snw = 1.4 × 107 см–2 при их диаметре от 20 и до 100 нм и длине до 400 нм (табл. 1).

Рис. 4.

СЭМ-изображение частиц Те, полученных при времени конденсации 10 с (а). Зависимости количества частиц Te (N) от их размеров (R) на микрофотографиях с учетом плотности распределения наночастиц (Sn) и микрочастиц (Sm) при времени конденсации: б – 10, в, г – 20, д, е – 30 с.

Таблица 1.  

Плотность нано- и микрочастиц Te, осажденных на стеклоуглеродных подложках

Время конденсации, с Сферические частицы Проволоки
Наночастицы
Sn, 107 см–2
Микрочастицы
Sm, 107 см–2
Нанопроволоки
Snw, 107 см–2
Микропроволоки
Smw, 107 см–2
10 32.8 14.1 1.4  
20 23.0 25.3 255.1 6.9
30 36.4 68.0 685.1 11.5

Увеличение времени конденсации Те до 20 с обеспечило возрастание количества сферических частиц и крупных микрочастиц различной формы размером до 4 мкм. Между сферическими частицами формировались нано- и микропроволоки различной ориентации длиной до 400 нм диаметром около 80 и 110 нм соответственно. При этом наблюдалось уменьшение плотности наночастиц на 30% при увеличении в 2 раза плотности микрочастиц (рис. 4в, 4г). При данном времени конденсации Те увеличилось количество нанопроволок в 180 раз и образовались микропроволоки.

Дальнейшее увеличение времени конденсации Те до 30 с способствовало значительному увеличению количества сферических нано- и микрочастиц, а также нано- и микропроволок (рис. 4д, 4е). Причем размеры нанопроволок незначительно отличались от их размеров, полученных при времени конденсации 20 с. Вероятно, формирование одновременно сферических наночастиц и нанопроволок может быть результатом особенности физико-химического взаимодействия осевших на стеклоуглеродную подложку атомов Те, что определяет их форму.

Отметим, что увеличение времени конденсации до 30 с способствовало увеличению количества и размеров частиц Те: сферических микрочастиц в 5 раз при незначительном (11%) увеличении наночастиц; нанопроволок в 500 раз, а микропроволок – в 2 раза.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Нано- и микроструктуры Те размером от 10 до 600 нм получены методом термического испарения в атмосфере аргона. Показано, что при конденсации Те в течение 10–30 с на стеклоуглеродных подложках формируются нано- и микрочастицы Те сферической формы и в виде нанопроволок. Методом рентгеновской дифракции выявлена преимущественная ориентация (100) частиц Te на стеклоуглеродной подложке. Структура стеклоуглеродной подложки близка к аморфной. Компьютерная обработка электронных микрофотографий позволила установить, что при времени конденсации 10 с на стеклоуглеродных подложках формировались нано- и микрочастицы Te сферической формы размером 10–400 нм, а также нанопроволоки длиной до 400 нм. Увеличение времени конденсации Те до 20 с обеспечило возрастание в 2 раза количества сферических микрочастиц размером до 4 мкм и нанопроволок в 180 раз. При этом времени конденсации наблюдалось также уменьшение плотности наночастиц на 30% при увеличении в 2 раза плотности микрочастиц. Время конденсации Те 30 с способствовало увеличению количества сферических наночастиц на 11%, микрочастиц в 5 раз, нанопроволок в 500 раз, а микропроволок в 2 раза. Результаты данной работы продемонстрировали возможность получения методом термического испарения в атмосфере аргона на стеклоуглеродных подложках наноструктур теллура сферической формы и в виде нанопроволок.

Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования РФ в рамках выполнения работ по Государственному заданию ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН с использованием оборудования ЦКП ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН при поддержке Министерства образования и науки России (проект RFMEFI62119X0035).

Список литературы

  1. Глазов В.М., Чижевская С.Н., Глаголева Н.Н. Жидкие полупроводники. М.: Наука, 1967. 244 с.

  2. Tanaka Sh. // Oyo Buturi. 1971. V. 40. P. 594.

  3. Лебедь А.Б., Набойченко C.С., Шунин В.А. Производство селена и теллура на ОАО “Уралэлектромедь”: учеб. пособие. Екатеринбург: Изд-во Урал. ун-та, 2015. 112 с.

  4. Gromnitskaya E.L., Yagafarov O.F., Stalgorova O.V. et al. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 98. P. 165503.

  5. Voloshina E., Rosciszewski K., Paulus B. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. P. 045113.

  6. Anzin V.B., Eremets M.I., Kosichkin Y.V. et al. // Phys. Status Solidi. A. 1977. V. 42. P. 385.

  7. Junginger H.-G. // Solid State Commun. 1967. V. 5. P. 509.

  8. Михайлов В.И., Буташин А.В., Каневский В.М. и др. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтр. исследования. 2011. № 6. С. 97.

  9. Муслимов А.Э., Буташин А.В., Михайлов В.И. и др. // Кристаллография. 2015. Т. 60. № 4. С. 616.

  10. Qian H.-Sh., Yu Sh.-H., Gong J.-Y. et al. // Langmuir. 2006. V. 22. P. 3830.

  11. Lan W.-J., Yu Sh.-H., Qian H.-Sh. et al. // Langmuir. 2007. V. 23. P. 3409.

  12. Geng B.Y., Lin Y., Peng X.S. et al. // Nanotechnology. 2003. V. 14. P. 983.

  13. Ma Ch., Yan J., Huang Y. et al. // Sci. Adv. 2018. V. 4. P. 9894.

  14. Mo M.S., Zeng J.H., Liu X.M. et al. // Adv. Mater. 2002. V. 14. P. 1658.

  15. Kurimella V.R., Kumar K.R., Sanasi P.D. // Int. J. Nanosci. Nanotechnol. 2013. V. 4. P. 209.

  16. Wang S., Guan W., Ma D. et al. // Cryst. Eng. Commun. 2009. V. 12. P. 166.

  17. Hirayama M., Okugawa R., Ishibashi Sh. et al. // Phys. Rev. Lett. 2015. V. 114. P. 206401.

  18. Noda T., Inagaki M. // Bull. Chem. Soc. Jpn. 1964. V. 37. № 10. P. 1534.

Дополнительные материалы отсутствуют.