Неорганические материалы, 2022, T. 58, № 9, стр. 1024-1032
Аналитическое сопровождение процесса получения теллура Т 000
О. В. Лундовская 1, А. Р. Цыганкова 1, 2, *, Н. А. Орлов 2, Ф. В. Яцунов 3
1 Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО Российской
академии наук
630090 Новосибирск, пр. Академика Лаврентьева, 3, Россия
2 Новосибирский национальный исследовательский государственный
университет
630090 Новосибирск, ул. Пирогова, 2, Россия
3 ООО “СибХимТехнологии”
633004 Бердск, ул. Химзаводская, 11/26, Россия
* E-mail: alphiya@yandex.ru
Поступила в редакцию 14.12.2021
После доработки 24.06.2022
Принята к публикации 27.06.2022
- EDN: YPCVKZ
- DOI: 10.31857/S0002337X2209010X
Полные тексты статей выпуска доступны в ознакомительном режиме только авторизованным пользователям.
Аннотация
Исследование посвящено разработке унифицированной методики АЭС-ИСП, позволяющей оценить чистоту металлического теллура и примесный состав полупродуктов технологии получения теллура марки Т 000. Процесс получения состоит из двух последовательных стадий: гидрометаллургической переработки концентрата пылей электрофильтров, основанной на классической гидрометаллургической схеме переработки анодных шламов медного производства, и электролитического выделения теллура с последующей восстановительно-рафинирующей плавкой для получения металлического теллура. Для оперативного аналитического контроля технологии получения теллура марки Т 000 разработана атомно-эмиссионная спектральная методика. Выбраны аналитические линии, мощность индуктивно-связанной плазмы, оптимально-компромиссная концентрация матричного компонента и оценена правильность разработанной методики. В литературе отсутствуют экспрессные универсальные методики химического анализа металлического теллура, промежуточных продуктов разной степени чистоты и исходного сырья. Предложенная методика позволяет определять до 61 примеси с пределами обнаружения в интервале от n × 10–7 до n × 10–4 мас. % и внутрилабораторной прецизионностью не более 25%. Информация о содержании аналитов, полученная согласно предложенной методике, позволяет оптимизировать параметры технологического процесса, делать заключения о качестве исходного сырья и соответствии конечной продукции – металлического теллура – указанной марке Т 000. Полученные данные о химическом составе конечного продукта, промежуточных продуктов и сырья наглядно демонстрируют эффективность каждого этапа в предложенной схеме получения чистого теллура.
Полные тексты статей выпуска доступны в ознакомительном режиме только авторизованным пользователям.
Список литературы
Makuei F.M., Senanayake G. Extraction of Tellurium from Lead and Copper Bearing Feed Materials and Interim Metallurgical Products – A short review // Miner. Eng. 2018. V. 115. P. 79–87. https://doi.org/10.1016/j.mineng.2017.10.013
Bureau B. et al. Tellurium Based Glasses: a Ruthless Glass to Crystal Competition // Solid State Sci. 2008. V. 10. № 4. P. 427–433. https://doi.org/10.1016/j.solidstatesciences.2007.12.017
Zaiour A. et al. Electrical Properties Study of Three Highly Purified CdTe Ingots // Phys. Procedia. 2014. V. 55. P. 470–475. https://doi.org/10.1016/j.phpro.2014.07.068
Zaiour A., Hamié A., Hage-Ali M. Segregation Study of Some Impurities in Three Purification Process of CdTe Ingots // Phys. Procedia. 2014. V. 55. P. 464–469. https://doi.org/10.1016/j.phpro.2014.07.067
Del Sordo S. et al. Progress in the Development of CdTe and CdZnTe Semiconductor Radiation Detectors for Astrophysical and Medical Applications // Sens. Mol. Diversity Preservation Int. 2009. V. 9. № 5. P. 3491–3526. https://doi.org/10.3390/s90503491
Liu H. et al. Purification of Cd0.9Zn0.1Te by Physical Vapor Transport Method // Mater. Lett. 2005. V. 59. № 29–30. P. 3837–3840. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2005.06.059
Wang T. et al. Study on the Behaviors of Impurities in Cadmium Zinc Telluride // J. Cryst. Growth. 2007. V. 304. № 2. P. 313–316. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2007.03.013
Horn W., Földvari I., Denz C. Holographic Data Storage in Photorefractive Bismuth Tellurite // J. Phys. D: Appl. Phys. 2008. V. 41. № 22. P. 1–9. https://doi.org/10.1088/0022-3727/41/22/224006
Földvári I. et al. Bismuth Tellurite – a New Material for Holographic Memory // Opt. Commun. 2000. V. 177. № 1. P. 105–109. https://doi.org/10.1016/S0030-4018(00)00560-5
Koudelka L. et al. The Structural Role of Tellurium Dioxide in Lead Borophosphate Glasses // J. Non.-Cryst. Solids. 2014. V. 401. P. 124–128. https://doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2014.01.044
Pujari N. et al. Effect of Li2O Content on Structural and Optical Properties of Li2O–TeO2–As2O3–B2O3 Glasses // J. Phys. Chem. Solids. 2021. V. 148. P. 124–128. https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2020.109627
Кудрявцев А.А. Химия и технология селена и теллура. М.: Высш. шк., 1961. 286 c.
Чижиков Д.М., Счастливый В.П. Теллур и теллуриды. М.: Наука, 1966. 286 c.
ГОСТ 17614-2018. Теллур технический. Технические условия (с Поправкой). М.: Изд. стандартов, 2018. 12 с.
ГОСТ 24977.2-81. Теллур высокой чистоты. Спектральный метод определения примесей. М.: Изд. стандартов, 1981. С. 18–27.
Заксас Н.П., Комиссарова Л.Н., Шелпакова И.Р. Атомно-эмиссионный спектральный анализ высокочистого диоксида теллура с возбуждением спектров в двухструйном дуговом плазмотроне // Аналитика и контроль. 2005. Т. 9. № 3. С. 240–244.
Shaverina A.V., Tsygankova A.R., Saprykin A.I. A Procedure of ICP-AES Analysis of Silicon Using Microwave Digestion and Preconcentration // J. Anal. Chem. 2015. V. 7. № 1. P. 28–31. https://doi.org/10.1134/S1061934815010153
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Неорганические материалы