1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
  4. № 10, 2019

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2019, № 10, стр. 94-101

Особенности формирования изображений в РЭМ в режиме вторичных медленных электронов. 2. Структуры с трапециевидным профилем и малыми углами наклона боковых стенок

Ю. А. Новиков *

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН
119991 Москва, Россия

* E-mail: nya@kapella.gpi.ru

Поступила в редакцию 14.01.2019
После доработки 20.02.2019
Принята к публикации 23.02.2019

Полный текст (PDF)

Аннотация

Проведено исследование формирования изображений кремниевых микроструктур в растровом электронном микроскопе, работающем в режимах сбора вторичных медленных электронов (ВМЭ) и обратно рассеянных электронов (ОРЭ). В качестве исследуемого объекта использовались канавки в электронном кремнии с трапециевидным профилем и малыми углами наклона боковых стенок с номинальной шириной 1 мкм и глубиной 300 нм. Показано, что из четырех механизмов формирования ОРЭ-изображений, известных в настоящее время, вклад в формирование ВМЭ-изображений дают только два механизма, учитывающие формирование изображения зондом первичных электронов и многократно рассеянными первичными и вторичными электронами, выходящими из поверхности твердого тела. Многократно рассеянные вторичные электроны, двигающиеся по направлению движения электронов зонда, дающие основной вклад в формирование ОРЭ-изображения, вклад в формирование ВМЭ-изображения не дают.

Ключевые слова: тест-объект, рельефные структуры, растровый электронный микроскоп, РЭМ, вторичные медленные электроны, обратно рассеянные электроны, механизмы формирования изображения.

ВВЕДЕНИЕ

Растровая электронная микроскопия является одним из самых распространенных методов диагностики нанообъектов и наноструктур. Это обусловлено тем, что растровый электронный микроскоп (РЭМ) определяет основные характеристики наноструктур и наноматериалов: форму и размеры элементов рельефа поверхности [1–7]. Для измерения этих характеристик разработаны тест-объекты [8–13] для калибровки РЭМ и методы калибровки РЭМ [8, 14–16], доведенные до российских национальных стандартов (ГОСТ Р) [17, 18]. Были созданы методы измерения линейных размеров [8, 11, 19–25] в микрометровом (1–1000 мкм) и нанометровом (1–1000 нм) диапазонах, обеспеченные прослеживаемостью измерений от Первичного эталона длины – метра, до измеряемого размера [24, 25]. Кроме того, современная промышленность выпускает высококачественные растровые электронные микроскопы высокого разрешения [26, 27], на которых реализовано большое количество [1, 6, 7] современных методов нанодиагностики.

Растровые электронные микроскопы могут работать в нескольких диапазонах энергий электронов зонда: низковольтном (НВ) – энергия электронов E ≤ 2 кэВ, и двух высоковольтных (E > > 2 кэВ) при регистрации вторичных медленных электронов (ВМЭ) и обратно рассеянных электронов (ОРЭ). Однако только два из них получили широкое распространение: низковольтный режим и высоковольтный режим при регистрации ВМЭ [8–27]. Это обусловлено тем, что для этих режимов разработаны методы калибровки РЭМ [8, 14–16] и измерения на нем линейных размеров микро- и наноструктур [8, 11, 19–25]. Режим регистрации обратно рассеянных электронов не получил широкого распространения из-за слабой изученности механизмов формирования изображения в режиме ОРЭ [28–30].

Недавно удалось решить трудности режима ОРЭ и создать хорошо работающую модель формирования РЭМ-изображений в режиме сбора обратно рассеянных электронов [31–35]. Однако, это поставило новые вопросы уже для режима регистрации вторичных медленных электронов [36].

Настоящая работа является продолжением работы [36] и посвящена особенностям формирования ВМЭ-изображений рельефных трапециевидных структур с малыми углами наклона боковых стенок, которые обусловлены результатами работ [31–35], и связи этих особенностей с моделями формирования изображения, изложенными в работах [1, 36].

ФОРМИРОВАНИЕ ВМЭ-ИЗОБРАЖЕНИЯ

Спектр электронов, испущенных назад по отношению к направлению движения первичных электронов, можно представить схемой, изображенной на рис. 1 [37]. Область спектра, обозначенная 1, соответствует однократному упругому рассеянию назад первичных электронов. Область 2 представляет электроны (первичные и вторичные), испытавшие многократное упругое и неупругое рассеяние. В область 3 попадают медленные электроны, которые образованы в тонком поверхностном слое исследуемого образца, толщина которого определяется [37] формулой

(1)
${{z}_{{\text{S}}}} = 1.9{{A{{Z}^{{ - 0.6}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{A{{Z}^{{ - 0.6}}}} \rho }} \right. \kern-0em} \rho },$
где A – атомный вес, а Z – атомный номер химических элементов, из которых состоит вещество, ρ – плотность вещества. Если ρ задается в г/см3, то zS выражается в нанометрах. Для кремния формула (1) дает

${{z}_{{\text{S}}}}({\text{Si}}) = 4.7{\text{ нм}}.$
Рис. 1.

Схема распределения по энергиям электронов, испущенных назад по отношению к первичным электронам.

В область 3 попадают также электроны, испущенные из поверхностных электронных состояний [38] под действием первичных электронов. Этот эффект назван “стряхиванием” [38] поверхностных электронов. Он обладает удивительным свойством – анизотропией относительно движения налетающих электронов. Стряхивание поверхностных электронов осуществляется только в том случае, если первичный электрон пересекает поверхность из вакуума в твердое тело. В противном случае стряхивание электронов не происходит. Подробнее с этим эффектом и его свойствами можно ознакомиться в работе [38].

В растровом электронном микроскопе спектральный анализ электронов не производится. Детекторы РЭМ регистрируют электроны двух типов. К первому типу, названному обратно рассеянные электроны, относятся электроны, входящие в области 1 и 2 (рис. 1). Ко второму типу, названному вторичные медленные электроны, принадлежат электроны, попадающие в область 3 (рис. 1). Отметим, что в низковольтном режиме работы РЭМ регистрирует электроны из области 3. Каждый тип электронов регистрируется своим особым детектором [1, 6]. Необходимо отметить, что в силу конструкции современных детекторов ОРЭ они регистрируют электроны с энергиями более 2 кэВ. Поэтому часть диапазона ОРЭ (от 50 эВ до 2 кэВ) не участвует в формировании РЭМ-изображений.

На рис. 2 приведены схемы, поясняющие образование вторичных медленных электронов. Тонкий приповерхностный слой, толщиной zS, пересекают первичные электроны 1 и обратно рассеянные электроны 2. Они генерируют в этом слое вторичные медленные электроны 3. Кроме того, первичные электроны 1 облучают поверхность образца и стряхивают поверхностные электроны 4, которые тоже дают вклад во вторичные медленные электроны. Необходимо отметить, что обратно рассеянные электроны 2 (рис. 2) не осуществляют стряхивание поверхностных электронов. Более подробно описание формирования вторичных медленных электронов с помощью этих эффектов приведено в работе [38].

Рис. 2.

Схема формирования вторичных медленных электронов первичными электронами 1 и обратно рассеянными электронами 2 за счет образования медленных электронов 3 в тонком приповерхностном слое и электронов 4 за счет эффекта стряхивания поверхностных электронов.

Таким образом, ВМЭ-сигнал VSSE должен формироваться двумя сигналами: сигналом VBSE, полученным в результате регистрации обратно рассеянных электронов, и сигналом VLE, полученным в низковольтном режиме работы РЭМ,

(2)
${{V}_{{{\text{SSE}}}}}\left( t \right) = {{A}_{{{\text{BSE}}}}}{{V}_{{{\text{BSE}}}}}\left( t \right) + {{A}_{{{\text{LE}}}}}{{V}_{{{\text{LE}}}}}\left( t \right),$
где ABSE и ALE – вклады соответствующих сигналов. Необходимо отметить, что результат, аналогичный (2), был описан еще в работе [1].

Правильность формулы (2) было подтверждено в работе [36], в которой исследовались особенности формирования ВМЭ-изображений рельефных структур с трапециевидным профилем и большими углами наклона боковых стенок. Однако, в отличие от работы [1], величины вкладов обратно рассеянных электронов и электронов низковольтного режима РЭМ различны [36] для рельефной и безрельефной поверхностей.

МОДЕЛИ ФОРМИРОВАНИЯ РЭМ-ИЗОБРАЖЕНИЙ

В работах [34, 35] описана модель формирования изображения в режиме регистрации обратно рассеянных электронов. Согласно этой модели, вклад в ОРЭ-сигнал дают 4 механизма формирования изображения:

(3)
${{V}_{{{\text{BSE}}}}}\left( t \right) = {{A}_{1}}{{V}_{1}}\left( t \right) + {{A}_{2}}{{V}_{2}}\left( t \right) + {{A}_{3}}{{V}_{3}}\left( t \right) - {{A}_{4}}{{V}_{4}}\left( t \right),$
где параметры A1–A4 (положительные величины) определяют вклады соответствующих механизмов в формирование ОРЭ-сигнала, а V1(t)–V4(t) описывают 4 механизма формирования изображения, которые можно описать выражением

(4)
${{V}_{i}}\left( t \right) = \int {S\left( {x,y} \right){{F}_{i}}\left( {x,y,t} \right)dxdy} .$

Здесь i = 1, 2, 3, 4 – номер механизма, S(x, y) – функция, описывающая рельеф поверхности, t – координата сканирования электронным зондом РЭМ, Fi(x, y, t) – характеризует плотность распределения электронов в зонде, который формирует изображение данного механизма. В модели принята гауссовская форма зондов:

(5)
${{F}_{i}}\left( {x,y,t} \right) = \frac{1}{{d_{i}^{{\text{2}}}}}\exp \left( { - \frac{{{{{\left( {x - t} \right)}}^{2}} + {{y}^{2}}}}{{{{d_{i}^{{\text{2}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{d_{i}^{{\text{2}}}} \pi }} \right. \kern-0em} \pi }}}} \right),$
где di – эффективные диаметры [39, 40] (далее диаметры) соответствующих электронных зондов.

Для структур с трапециевидным профилем и малыми углами наклона боковых стенок [33, 35], выполненных из электронного кремния, вклад в ОРЭ-сигнал дают только первый, третий и четвертый механизмы [33, 35]:

(6)
${{V}_{{{\text{BSE}}}}}\left( t \right) = {{A}_{1}}{{V}_{1}}\left( t \right) + {{A}_{3}}{{V}_{3}}\left( t \right) - {{A}_{4}}{{V}_{4}}\left( t \right).$

Причина отсутствия второго механизма будет приведена ниже.

Сигнал низковольтного РЭМ согласно работам [41, 42] можно описать выражением

(7)
${{V}_{{{\text{LE}}}}}\left( t \right) = \int {\left| {gradS\left( {x,y} \right)} \right|F\left( {x,y,t} \right)dxdy} ,$

где F(x, y, t) – плотность распределения электронов в зонде РЭМ. Необходимо отметить, что плотность распределения электронов в зонде низковольтного РЭМ F(x, y, t) совпадает с плотностью F1(x, y, t) и описывается [43] одним гауссом в фокусе или несколькими гауссами, сдвинутыми относительно друг друга, при дефокусировке. При моделировании будем считать, что зонд сфокусирован.

Таким образом, все основные механизмы формирования изображения в РЭМ в режиме сбора вторичных медленных электронов в настоящее время достаточно хорошо изучены экспериментально и описаны теоретическими моделями.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ АППАРАТУРА И ИССЛЕДУЕМЫЕ ОБЪЕКТЫ

На рис. 3 приведена схема канавки с трапециевидным профилем и обозначены параметры, определяющие ее форму. Малыми углами φ наклона боковых стенок являются углы, удовлетворяющие условию [9, 44, 45]:

(8)
${{{{\varphi }_{{\text{d}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{\varphi }_{{\text{d}}}}} 2}} \right. \kern-0em} 2} < \varphi \leqslant arctg\left( {{d \mathord{\left/ {\vphantom {d h}} \right. \kern-0em} h}} \right),$
где d – диаметр электронного зонда РЭМ [39, 40], h – глубина канавки, φd – угол сходимости-расходимости электронного зонда РЭМ [9, 32, 36, 46]. Схема профиля электронного зонда в области фокусировки с его параметрами приведена на рис. 4.

Рис. 3.

Схема канавки с трапециевидным профилем и параметрами, определяющими ее форму.

Рис. 4.

Схема вертикального профиля электронного зонда РЭМ в области фокусировки с углом сходимости-расходимости φd, глубиной фокусировки hf, диаметром зонда в фокусе df (минимальный диаметр зонда) и действующим диаметром зонда d (диаметр зонда на уровне плоскости исследуемого образца).

Более удобно верхнюю границу угла φ в выражении (8) представить в виде следующего выражения:

(9)
$s = htg\varphi \leqslant d,$
которое указывает на то, что для трапециевидной структуры с малыми углами наклона боковых стенок электронный зонд может полностью накрыть боковую стенку структуры. Таким образом, малость угла наклона является характеристикой не только самой структуры, но и характеристикой РЭМ (определяется диаметром электронного зонда).

В качестве структур с малыми углами наклона в данной работе используются канавки, сделанные в электронном кремнии [21, 33, 35], с номинальными шириной 1 мкм и глубиной 300 нм. На рис. 5 приведены изображения канавки в режиме сбора ОРЭ (рис. 5а) и ВМЭ (рис. 5б) при энергии электронов зонда 25 кэВ. Формы сигналов, из которых состоят изображения на рис. 5, показаны на рис. 6 в режиме регистрации ОРЭ (сигнал 1) и ВМЭ (сигнал 2).

Рис. 5.

РЭМ-изображения трапециевидной канавки с номинальной шириной 1 мкм и глубиной 300 нм в режимах сбора ОРЭ (а) и ВМЭ (б).

Рис. 6.

Формы сигналов, полученных при сканировании трапециевидной канавки с номинальной шириной 1 мкм и глубиной 300 нм в режиме регистрации ОРЭ (сигнал 1) и ВМЭ (сигнал 2).

Профиль канавок был измерен в специальных экспериментах [21] на РЭМ в режиме сбора ВМЭ. При этом были получены размер верхнего основания u = 1017 ± 7 нм, размер нижнего основания b = 903 ± 5 нм, проекция боковой наклонной стенки s = 57 нм, углы наклона боковых стенок φ = 10.8°. На рис. 7 показан измеренный профиль канавок. Видно, что номинальное значение ширины канавки соответствует верхнему основанию трапециевидной формы канавки. Такой профиль характерен для технологии микроэлектроники, с помощью которой были сделаны исследуемые структуры.

Рис. 7.

Форма профиля трапециевидной канавки с номинальной шириной 1 мкм и глубиной 0.3 мкм. Штриховые вертикальные линии соответствуют номинальным границам рельефной структуры.

Эксперименты проводились на РЭМ CamScan CS-44 при энергии электронов зонда 25 кэВ. Более подробно с экспериментами можно ознакомиться в работе [21]. Калибровка РЭМ (определение размера пикселя m и диаметра зонда d) осуществлялась с помощью рельефных прямоугольных структур в кремнии [9, 47, 48 ] по методу, изложенному в работах [14, 48 ] . Результаты калибровки составили:

$m = 6.38 \pm 0.10{\text{ }}{{{\text{нм}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{\text{нм}}} {{\text{pix,}}}}} \right. \kern-0em} {{\text{pix,}}}}\,\,\,\,d = 130 \pm 6{\text{ нм}}.$

Сравнивая величину проекции боковой наклонной стенки канавки, приведенную выше, с диаметром электронного зонда, видим, что условие (9) – малость угла наклона боковых стенок трапециевидной канавки, хорошо выполняется.

ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ

РЭМ-изображения трапециевидной канавки с номинальной шириной 1 мкм в режимах сбора ОРЭ и ВМЭ приведены на рис. 5а и 5б соответственно. Сигналы, из которых состоят эти изображения, показаны на рис. 6. Хорошо видно, что ОРЭ и ВМЭ-сигналы различаются принципиально. ОРЭ-сигнал имеет треугольную форму дна сигнала, которая определяется многократным рассеянием вторичных электронов – электронов проводимости [32, 33, 35]. В то же время ВМЭ-сигнал имеет плоское дно.

Моделирование ВМЭ-сигналов осуществлялось с помощью выражений (2), (6) и (7). Вклады соответствующих механизмов приведены в табл. 1. Результаты моделирования показаны на рис. 8. Сигнал 1 демонстрирует, что, если использовать предположение об одинаковом ОРЭ и НВ-вкладе в ВМЭ-сигнал, то получим, что модельный сигнал 1 имеет форму, которая полностью противоречит экспериментальному сигналу 2 на рис. 6. Если использовать предположение о 100-кратном превышении НВ-вклада над ОРЭ, то получим сигнал 2 на рис. 8, который достаточно сильно отличается от реального сигнала 2 на рис. 6 вне канавки.

Рис. 8.

Модельные ВМЭ-сигналы, полученные для канавки с номинальной шириной 1 мкм глубиной 300 нм при разных параметрах моделирования.

Таким образом, становится ясно, что ОРЭ-сигнал, описываемый выражением (6), нельзя использовать для генерации ВМЭ-сигнала с помощью выражений (2), (6) и (7): невозможно превратить треугольную форму дна ОРЭ-сигнала в плоскую форму дна ВМЭ-сигнала.

Сделаем другое предположение: из четырех механизмов формирования изображения в режиме регистрации ОРЭ [33, 35] не все механизмы дают вклад в формирование ВМЭ-изображения.

Отсутствие вклада второго механизма формирования ОРЭ-сигнала в формирование ВМЭ (и ОРЭ)-изображения легко объяснимо [33, 35]. Зонд первичных многократно рассеянных электронов, ответственный за это формирование, не задевает канавку (рис. 9а) с глубиной 300 нм, которая используется в данном эксперименте. Если бы канавка была глубиной 500 нм, то вклад 2-го механизма был бы (рис. 9б). Более подробно об этом изложено в работах [33, 35].

Рис. 9.

Схемы взаимодействия зонда многократно рассеянных первичных электронов с трапециевидными канавками с малыми углами наклона боковых стенок с номинальной шириной 1 мкм и глубинами 300 нм (а) и 500 нм (б).

Если из формулы (6) убрать третий механизм формирования ОРЭ-сигнала, то получим для ОРЭ-сигнала, входящего в формирование ВМЭ-изображения, описываемого формулой (2), следующее выражение:

(10)
${{V}_{{{\text{BSE}}}}}\left( t \right) = {{A}_{1}}{{V}_{1}}\left( t \right) - {{A}_{4}}{{V}_{4}}\left( t \right).$
Сигнал 3 на рис. 8 демонстрирует именно этот случай – моделирование ВМЭ-сигнала было осуществлено с помощью выражений (2), (7) и (10). Параметры моделирования приведены в табл. 1. Для доказательства правильности использования выражения (10) отнормируем этот сигнал и наложим его на реальный ВМЭ-сигнал (рис. 10а). Хорошо видно полное совпадение модельного и реального ВМЭ-сигналов.

Рис. 10.

Реальные ОРЭ (а) и ВМЭ (б) сигналы, полученные при сканировании канавки с номинальной шириной 1 мкм и глубиной 300 нм, и модельные сигналы, описывающие реальные сигналы, наложенные на реальные сигналы.

Однако, для ОРЭ-изображений требуется [33, 35] использовать выражение (6). На рис. 10б на реальный ОРЭ-сигнал наложен отнормированный по амплитуде модельный сигнал, созданный с использованием выражения (6) и наиболее хорошо описывающий экспериментальный сигнал (параметры моделирования приведены в табл. 1). Более подробно об этом можно прочитать в работах [33, 35]. Видно очень хорошее совпадение модельного и экспериментального ОРЭ-сигналов.

Отсутствие вклада третьего механизма формирования ОРЭ-сигнала, за который отвечают вторичные электроны [33, 35], в формирование ВМЭ-сигнала непонятно. Необходимо отметить, что вклад третьего механизма формирования ОРЭ-сигнала [33, 35] в создание ОРЭ-изображения в 80 раз превышает вклад первого механизма, а в формирование ВМЭ-сигнала третий механизм вклада не дает.

Подчеркнем особенность формирования ВМЭ-сигнала трапециевидных структур с малыми углами наклона боковых стенок, выполненных из электронного кремния. В формирование ОРЭ-изображения дают вклад 3 механизма (выражение (6)) формирования ОРЭ-сигнала. В то же время в формирование ВМЭ-изображения дают вклад только 2 механизма (выражение (10)) формирования ОРЭ-сигнала и сигнал (7) низковольтного РЭМ. Причем вклад четвертого механизма формирования ОРЭ-сигнала при формировании ВМЭ-сигнала резко (в 20 раз) уменьшился.

Все это указывает на то, что выражение (2) в чистом виде не работает: не все механизмы формирования ОРЭ изображения дают вклад в формирование ВМЭ-изображения. Для объяснения наблюдаемых явлений необходимы дополнительные исследования.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Представлены результаты исследования формирования изображений канавок в кремнии, имеющих трапециевидный профиль и малые углы наклона боковых стенок, в РЭМ, работающем в режимах сбора вторичных медленных и обратно рассеянных электронов. Показано, что из четырех механизмов формирования ОРЭ-изображений, известных в настоящее время, вклад в формирование ВМЭ-изображений дают только два механизма – первый и четвертый.

Таким образом, формирование ВМЭ-сигналов имеeт особенности как для трапециевидных структур с большими углами наклона боковых стенок [36], так и для структур с малыми углами наклона боковых стенок. Это указывает на недостаточную изученность взаимодействия электронов с рельефной поверхностью.

Таблица 1.

Величины модельных параметров ОРЭ и ВМЭ-сигналов

Параметрымодели ОРЭсигнал ВМЭ-сигналы (рис. 8)
сигнал 1 сигнал 2 сигнал 3
d1, нм 130 130 130 130
A1 1 1 1 1
d3, нм 1500 1500 1500 –
A3 80 80 80 –
d4, нм 5000 5000 5000 5000
A4 20 20 20 1
ABSE – 1 1 1
ALE – 1 100 1

В следующей работе этого цикла будут рассмотрены особенности формирования ВМЭ-изображений структур с прямоугольным профилем.

БЛАГОДАРНОСТИ

Выражаю благодарность А.В. Ракову и М.Н. Филиппову за участие в экспериментах и полезные обсуждения.

Список литературы

  1. Reimer L. Scanning Electron Microscopy: Physics of Image Formation and Microanalysis. / Ed. Springer-Verlag. Berlin, Heidelberg, N.Y., 1998.

  2. Marchman H.M., Griffith J.E., Guo J.Z.Y., Frackoviak J., Celler G.K. // J. Vac. Sci. Technol. 1994. V. B12. № 6. P. 3585.

  3. Новиков Ю.А., Раков А.В. // Микроэлектроника. 1996. Т. 25. № 6. С. 417.

  4. Новиков Ю.А., Раков А.В. // Измерительная техника. 1999. № 1. С. 14.

  5. Postek M.T., Vladar A.E. Handbook of Silicon Semiconductor Metrology / Ed. Diebold A.C. N.Y.–Basel: Marcel Dekker Inc., 2001. P. 295.

  6. Криштал М.М., Ясников И.С., Полунин В.И., Филатов А.М., Ульяненков А.Г. Сканирующая электронная микроскопия и рентгеноспектральный микроанализ в примерах практического применения. М.: Техносфера, 2009. 208 с.

  7. Растровая электронная микроскопия для нанотехнологий. Методы и применение / Под ред. У. Жу и Ж.Л. Уанга. Пер. с англ. М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2013. 582 с.

  8. Волк Ч.П., Горнев Е.С., Новиков Ю.А., Озерин Ю.В., Плотников Ю.И., Прохоров А.М., Раков А.В. // Микроэлектроника. 2002. Т. 31. № 4. С. 243.

  9. Novikov Yu.A., Gavrilenko V.P., Rakov A.V., Todua P.A. // Proc. SPIE. 2008. V. 7042. P. 704208. https://doi.org/10.1117/12.794834

  10. Gavrilenko V.P., Mityukhlyaev V.B., Novikov Yu.A., Ozerin Yu.V., Rakov A.V., Todua P.A. // Measurement Science and Technology. 2009. V. 20. P. 20. https://doi.org/10.1088/0957-0233/20/8/084022

  11. Frase C.G., Hassler-Grohne W., Dai G., Bosse H., Novikov Yu.A., Rakov A.V. // Measurement Science and Technology. 2007. V. 18. P. 439. https://doi.org/10.1088/0957-0233/18/2/S16

  12. Новиков Ю.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2017. Т. 46. № 11. С. 77. https://doi.org/10.7868/S0207352817110105

  13. Новиков Ю.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2018. № 12. С. 86. https://doi.org/10.1134/S0207352818120144

  14. Новиков Ю.А., Стеколин И.Ю. // Труды ИОФАН. 1995. Т. 49. С. 41.

  15. Волк Ч.П., Горнев Е.С., Новиков Ю.А., Озерин Ю.В., Плотников Ю.И., Раков А.В. // Микроэлектроника. 2004. Т. 33. № 6. С. 419.

  16. Gavrilenko V.P., Novikov Yu.A., Rakov A.V., Todua P.A., Volk Ch.P. // Proc. SPIE. 2009. V. 7272. P. 72720Z. https://doi.org/10.1117/12.813514

  17. Гавриленко В.П., Лесновский Е.Н., Новиков Ю.А., Раков А.В., Тодуа П.А., Филиппов М.Н. // Известия РАН. Серия Физическая. 2009. Т. 73. № 4. С. 454.

  18. Gavrilenko V.P., Filippov M.N., Novikov Yu.A., Rakov A.V., Todua P.A. // Proc. SPIE. 2009. V. 7378. P. 737812. https://doi.org/10.1117/12.821760

  19. Gavrilenko V.P., Kalnov V.A., Novikov Yu.A., Orlikovsky A.A., Rakov A.V., Todua P.A., Valiev K.A., Zhikharev E.N. // Proc. SPIE. 2009. V. 7272. P. 727227. https://doi.org/10.1117/12.814062

  20. Данилова М.А., Митюхляев В.Б., Новиков Ю.А., Озерин Ю.В., Раков А.В., Тодуа П.А. // Измерительная техника. 2008. № 8. С. 20.

  21. Новиков Ю.А., Раков А.В., Филиппов М.Н. // Известия РАН. Серия Физическая. 1998. Т. 62. № 3. С. 543.

  22. Filippov M.N., Novikov Yu.A., Rakov A.V., Todua P.A. // Proc. SPIE. 2010. V. 7521. P. 752116. https://doi.org/10.1117/12.854696

  23. Novikov Yu.A., Rakov A.V., Todua P.A. // Proc. SPIE. 2006. V. 6260. P. 626015. https://doi.org/10.1117/12.683401

  24. Гавриленко В., Новиков Ю., Раков А., Тодуа П. // Наноиндустрия. 2009. № 4. С. 36.

  25. Gavrilenko V.P., Novikov Yu.A., Rakov A.V., Todua P.A. // Proc. SPIE. 2009. V. 7405. P. 740504. https://doi.org/10.1117/12.826164

  26. Новиков Ю.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2013. № 5. С. 105. https://doi.org/10.7868/S0207352813050107

  27. Новиков Ю.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2013. № 8. С. 105. https://doi.org/10.7868/S0207352813080131

  28. Новиков Ю.А., Раков А.В., Филиппов М.Н. // Труды ИОФАН. 1998. Т. 55. С. 100.

  29. Новиков Ю.А., Раков А.В., Филиппов М.Н. // Известия вузов. Электроника. 1998. № 1. С. 91.

  30. Новиков Ю.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2011. № 10. С. 5.

  31. Новиков Ю.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2014. № 8. С. 46. https://doi.org/10.7868/S0207352814080101

  32. Новиков Ю.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2015. № 5. С. 78. https://doi.org/10.7868/S0207352815050091

  33. Новиков Ю.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2015. № 10. С. 59. https://doi.org/10.7868/S0207352815100170

  34. Новиков Ю.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2016. № 2. С. 66. https://doi.org/10.7868/S0207352816020086

  35. Новиков Ю.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2016. № 9. С. 12. https://doi.org/10.7868/S0207352816090110

  36. Новиков Ю.А. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 2019. № 8. (P. 64).

  37. Новиков Ю.А., Раков А.В. // Труды ИОФАН. 1998. Т. 55. С. 3.

  38. Новиков Ю.А., Раков А.В. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. 1999. № 8. С. 24.

  39. Волк Ч.П., Горнев Е.С., Новиков Ю.А., Плотников Ю.И., Раков А.В., Тодуа П.А. // Труды ИОФАН. 2006. Т. 62. С. 77.

  40. Gavrilenko V.P., Novikov Yu.A., Rakov A.V., Todua P.A. // Proc. SPIE. 2008. V. 7042. P. 70420C. https://doi.org/10.1117/12.794891

  41. Новиков Ю.А. // Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 4. С. 263. https://doi.org/10.7868/S0544126914040073

  42. Новиков Ю.А. // Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 6. С. 456. https://doi.org/10.7868/S0544126914060076

  43. Новиков Ю.А. // Микроэлектроника. 2014. Т. 43. № 5. С. 373. https://doi.org/10.7868/S0544126914050068

  44. Новиков Ю.А., Раков А.В., Тодуа П.А. // Измерительная техника. 2009. № 2. С. 22.

  45. Gavrilenko V.P., Novikov Yu.A., Rakov A.V., Todua P.A. // Proc. SPIE. 2010. V. 7718. P. 77180Y. https://doi.org/10.1117/12.853892

  46. Новиков Ю.А., Раков А.В., Стеколин И.Ю. // Измерительная техника. 1996. № 12. С. 26.

  47. Новиков Ю.А., Пешехонов С.В., Стрижков И.Б. // Труды ИОФАН. 1995. Т. 49. С. 20.

  48. Новиков Ю.А., Пешехонов С.В., Раков А.В., Седов С.В., Симонов А.Н., Стеколин И.Ю., Стрижков И.Б. // Известия РАН. Серия Физическая. 1993. Т. 57. № 8. С. 84.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал