Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2019, № 3, стр. 45-48

Формирование микронеоднородностей в эпитаксиальных пленках нестехиометричных феррогранатов

М. Ф. Булатов 12*, Д. В. Чуриков 1345**

1 Научно-технологический центр уникального приборостроения РАН
117342 Москва, Россия

2 МИРЭА – Российский технологический университет
119454 Москва, Россия

3 Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
125009 Москва, Россия

4 Московский физико-технический институт (государственный университет)
141701 Долгопрудный, Россия

5 Российский новый университет
105005 Москва, Россия

* E-mail: bulatov_agu@mail.ru
** E-mail: cdv@ntcup.ru

Поступила в редакцию 06.07.2018
После доработки 06.07.2018
Принята к публикации 06.07.2018

Полный текст (PDF)

Аннотация

Рассмотрены механизмы формирования микронеоднородностей в эпитаксиальных пленках с отрицательной ($\varepsilon < 0$) и положительной ($\varepsilon > 0$) величиной несоответствия периодов решетки пленки и подложки. Показано, что при температурах отжига до 1100°С параметр решетки практически не меняется, а на границе включений имеются обогащенные катионными и анионными вакансиями области. Установлено, что доля объема, занимаемого микронеоднородностями, определяется параметром нестехиометрии $\gamma ,$ который может быть распределен неравномерно. Показано, что образование дефектов в процессе окисления проходит активней, чем при восстановлении. Установлена возможность существования градиента концентрации ионов Fe4+ по толщине пленок. Обоснована эффективность нарушения когерентности сопряжения дефектной области с матрицей и снятия напряжений с помощью диффузии вакансий к поверхности раздела.

Ключевые слова: феррогранат, эпитаксиальная пленка, микронеоднородность, дефекты нестехиометрии, катионные и анионные вакансии, недислокационные ямки, оксидные системы.

ВВЕДЕНИЕ

Оксидные ферримагнетики со структурой граната нашли широкое применение в микроэлектронике, магнитооптических приборах, интегральной оптике и СВЧ-технике. Новые материалы со структурой граната имеют, как правило, сложный состав и представляют собой твердые растворы соответствующих компонентов. В зависимости от условий получения ферритообразующих твердых растворов в них могут существенно изменяться катионный состав, содержание кислорода, валентное соотношение и распределение ионов по решеткам, концентрация точечных дефектов и их взаимодействие, приводящее к образованию ассоциатов, кластеров, протяженных несовершенств [1, 2]. В эпитаксиальных кристаллах термические макронапряжения и рассогласование периодов решеток пленки и подложки могут способствовать или препятствовать возникновению указанных неоднородностей, стимулировать спинодальный распад с образованием модулированных структур [3]. Решение задач повышения качества эпитаксиальных пленок и создания новых совершенных монокристаллических материалов затруднено слабой изученностью процессов формирования в многокомпонентных оксидных системах (в частности феррогранатах) микронеоднородностей, являющихся сложными комплексами точечных дефектов нестехиометрии [4, 5].

Ниже рассмотрены механизмы формирования микронеоднородностей, связанных с дефектами нестехиометрии, в эпитаксиальных пленках феррогранатов.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ОБРАЗЦЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

Объектами исследования служили образцы пленок феррогранатов, описываемых формулой Y3–C1–C2–XSmC1LuC2CaXFe5–ZGeZO12–γ, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках из Gd3Ga5O12 ориентации (111). Изучали две группы составов: с положительной и отрицательной ($\varepsilon < 0$) и положительной ($\varepsilon > 0$) величиной несоответствия периодов решетки пленки (${{a}_{f}}$) и подложки (${{a}_{S}}$). Величина соответствия определялась соотношением $\varepsilon = 2{{\left( {{{a}_{S}}\quad - \quad{{a}_{f}}} \right)} \mathord{\left/ {\vphantom {{\left( {{{a}_{S}}\quad - \quad{{a}_{f}}} \right)} {\left( {{{a}_{S}} + {{a}_{f}}} \right)}}} \right. \kern-0em} {\left( {{{a}_{S}} + {{a}_{f}}} \right)}}.$

Для исследований дефектов неоднородностей кристаллической структуры и состава экспериментальных образцов использовали систему растровой электронной микроскопии и электронно-зондового микроанализа “Камебакс”. Наблюдение структуры поверхности осуществляли в отраженных и вторичных электронах при различных углах падения первичного пучка, что позволяло получить информацию о рельефе поверхности и микронеоднородностях химического и фазового состава. Для исключения артефактов образцы очищали по следующей технологии: протирка обезжиренными батистовыми салфетками, смоченными этиловым спиртом; кипячение в толуоле, затем в изопропиловом спирте квалификации о. с. ч. (время кипячения в каждом растворе 10 мин); сушка в парах изопропилового спирта.

Исследовали как необработанные поверхности, так и травленые образцы пленок. Травление осуществляли в 85%-ной ортофосфорной кислоте при температуре 185°С в течение от 1 до 10 мин.

Для интеграции данных о неоднородностях изучали так же изменения периода кристаллической решетки $a$ на дифрактометре ДРОН-3 с погрешностью не более 0.0001 нм.

Для выяснения природы и изменения концентрации дефектов нестехиометрии использовали отжиг пленок [6] при температурах от 400 до 1200°С в течение 4 ч отжиг проводили в трубчатой муфельной печи в воздушной среде. Температуру поддерживали с точностью ±7 K автоматическим электронным мостом с термопарой в качестве датчика температуры. Подъем температуры печи осуществляли при выведенных образцах, время изотермической выдержки составляло 1–5 ч, затем образцы извлекали из печи и закаливали на воздухе.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

Характеристики исследованных пленок с $\varepsilon > 0,$ выращенных при одинаковых условиях, но отличающихся содержанием элементов, приведены в табл. 1. Наиболее сильно пленки отличаются по содержанию Ge и Cа, причем у всех образцов $X > Z.$ Значение периода кристаллической решетки, измеренных в направлении нормали к поверхности образцов, находятся в интервале от 1.2368 до 1.2373 нм; период решетки подложки составляет 1.2382 нм. Состав и параметры кристаллической решетки феррогранатовых пленок приведен в табл. 1.

Таблица 1.  

Состав и параметры кристаллической решетки феррогранатовых пленок

№ образца Состав, ат. доли a, нм
C1 C2 X Z
1 0.18 0.19 0.92 0.85 1.2371
2 0.16 0.18 0.93 0.84 1.2370
3 0.16 0.18 0.89 0.84 1.2370
4 0.17 0.19 0.88 0.82 1.2369
5 0.16 0.18 0.94 0.88 1.2370
6 0.16 0.18 0.90 0.84 1.2371
7 0.16 0.17 0.91 0.86 1.2370
8 0.18 0.20 0.93 0.86 1.2369
9 0.16 0.18 0.93 0.85 1.2369
10 0.15 0.17 0.95 0.88 1.2368
11 0.16 0.18 0.89 0.84 1.2370
12 0.18 0.17 0.92 0.84 1.2373

Поскольку параметр решетки пленок меньше, чем подложек ($\varepsilon > 0$), существует упругая энергия, связанная с деформацией растяжения пленок, что стимулирует процессы, приводящие к увеличению ${{a}_{f}}.$ В частности, подобным процессом может быть сток вакансий к границам макроскопических дефектов из объема матрицы. На сравнительно большие расстояния к таким дефектам диффундируют преимущественно анионные вакансии, обладающие большой подвижностью. В местах повышенной концентрации ионов Са2+ при недостатке ионов Ge4+ должны возникать сегрегации ионов Fe4+ и вакансии железа в октаэдрической подрешетке [711], которые могут заполняться ионами Lu3+.

Фигуры травления образцов с $\varepsilon > 0$ имели круглую, трех- или шестигранную форму с плоским или остроконечным дном.

Ограненные фигуры небольших размеров соответствовали единичным дислокациям, а больших размеров – либо скоплениям дислокаций, либо инородным включениям с полями напряжений. При увеличении времени травления недислокационные ямки растравливались, сохраняя плоскую форму, а дислокационные – углублялись. Скопления дислокаций формировались вблизи включений на поверхности подложки [12].

Сопоставление фигур травления пленок в исходном состоянии и после окислительного отжига показало, что количество и размеры круглых мелких неоднородностей возрастают в результате окисления. По-видимому, образование этих микронеоднородностей связано с возникновением в твердых феррогранатовых растворах катионных вакансий и сопутствующих ионов Fe4+. Параметры решетки пленок с $\varepsilon < 0$ после отжига на воздухе приведены в табл. 2.

Таблица 2.  

Параметры решетки пленок с ε < 0 после отжига на воздухе

Температура отжига, °С Параметры решетки, нм
До отжига 1.2394
400 1.2394
600 1.2395
800 1.2393
1000 1.2393
1100 1.2391
1200 1.2390

Как видно из приведенных данных, при температурах отжига до 1100°С, параметр решетки пленок практически не меняется, а затем начинает уменьшаться. Одновременно в растровом электронном микроскопе наблюдали изменение дефектности поверхности. После отжига при 1100°С и более высоких температурах в пленках наблюдали выделения, а в пленках с $\varepsilon > 0$ при тех же условиях выделения такого же вида не обнаружены. Микроанализ показал (рис. 1), что включения обогащены железом, а по характеру изменения концентрации Са, Ge, Fe и других элементов можно заключить, что на границе включений имеются области, обогащенные катионными и анионными вакансиями. Действительно, в области минимального содержания железа существенно понижены также концентрации лютеция и германия, а содержание остальных элементов (в частности кальция) практически не отличается от матричного. Зарядовая компенсация недостатка ионов железа и Ge4+ должна обеспечиваться возникновением ионов Fe4+ и кислородных вакансий [13, 14].

Рис. 1.

Распределение интенсивности линий характеристического излучения элементов состава феррогранатовой пленки вдоль траектории электронного зонда, пересекающей выделения.

Как известно, возникновение кислородных вакансий в ферритах при достаточно большом отклонении концентрации кислорода от стехиометрической приводит к фазовому распаду. Объем однородного твердого раствора, в котором возможно фазовое превращение, определяется параметром нестехиометрии $\gamma .$ Повышенному значению $\gamma $ в выделении должна соответствовать более высокая концентрация ионов Fe2+. Поскольку суммарный объем фаз, образующихся в результате диссоциации феррит-граната, меньше объема исходного продукта, то упругая энергия сжимающих напряжений несоответствия в эпитаксиальной структуре пленка–подложка приводит к усилению стимула к распаду. Твердый раствор, в котором могут наблюдаться устойчивые мельчайшие сегрегации состава (частицы новой фазы), должен находиться в однофазной области когерентной диаграммы равновесия, но в двухфазной области некогерентной диаграммы. С учетом этого закономерности формирования естественных неоднородностей в пленках с $\varepsilon < 0$ могут быть объяснены следующим образом. Поскольку пленки находятся в сжатом состоянии из-за весьма большого рассогласования с подложкой, уменьшение их периода решетки является энергетически выгодным [15]. Так как при окислении отрицательное приращение периода гораздо больше по абсолютной величине, чем при восстановлении, то и градиент напряжений, определяющий процесс восходящей диффузии компонентов к микронеоднородностям, оказывается более высоким. Поэтому образование дефектов в процессе окисления происходит более активно, чем в процессе восстановления. Кроме того, возможно существование градиента концентрации ионов Fe4+ по толщине пленок, направленных в сторону подложки, поэтому на свободной поверхности процесс восстановления может быть менее эффективным в отношении снижения параметра решетки.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Формирование микронеоднородностей в феррогранатовых структурах, связанных с отклонениями от стехиометрии, зависит от внутренних напряжений в эпитаксиальных структурах. Величина напряжений определяется разностью периодов кристаллической решетки матрицы и дефектной области, а также несоответствием периодов пленки и подложки. Эффективным механизмом нарушения когерентности сопряжения дефектов области с матрицей и снятия напряжений является диффузия вакансий к поверхности раздела.

Доля объема, занимаемого микронеоднородностями, обусловлена параметром нестехиометрии, которым может быть распределен неравномерно и оценка которого является самостоятельной задачей. Поскольку суммарный объем фаз, образующихся при диссоциации, меньше объема стехиометрического феррита, упругая энергия сжимающих напряжений несоответствия в эпитаксиальной структуре пленка–подложка стимулирует распад, а в случае растягивания напряжений образование сегрегаций должно быть затруднено. Этим объясняются закономерности формирования выделений в пленках с $\varepsilon < 0$ и отсутствие в них в пленках с $\varepsilon > 0.$

БЛАГОДАРНОСТИ

Работа выполнена при поддержке Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (Соглашение № 075-02-2018-155 “Оборудование и цифровые технологии изготовления элементов наноградиентной оптики и из метаматериалов для приборов индивидуализированной медицины, технологий здоровьесбережения и космической фотоники” в рамках Федеральной целевой программы. Уникальный идентификатор RFMEFI60718X0206).

Список литературы

  1. Karpasyuk V.K., Bulatov M.F. // Physics of the Solid State. 1999. V. 41. № 11. P. 1850. doi 10.1134/1.1131112

  2. Karpasyuk V.K., Bulatov M.F. // IEEE Transactions on Magnetics. 1994. V. 30. № 6. P. 4344. doi 10.1109/20.334082

  3. Lagomarsino S., Tucciarone A. // Thin Solid. Films. 1984. V. 114 № 1–2. P. 45. doi 10.1016/0040-6090(84)90336-5

  4. Karpasyuk V.K., Bulatov M.F. // Physics of the Solid State. 1999. 41. № 11. P. 1850. doi 10.1134/1.1131112

  5. Bulatov M.F., Rybakov A.V., Bulatova A.N., Ilyasov F.K. // J. Nanoelectron. Optoelectron. 2009. V. 4. № 3. P. 321. doi 10.1166/jno.2009.1047

  6. Lagomarsino S., Tucciaro A. // Thin Solid Films. 1984. V. 114. № 1–2. P. 45. doi 10.1016/0040-6090(84)90336-5

  7. Bulatov M.F., Parkhomenko Yu.N. // Semiconductors. 2006. V. 40. № 2. P. 169. doi 10.1134/S1063782606020102

  8. Bulatov M.F., Pitch U., Ilyasov F.K. // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2014. V. 78. № 2. P. 92. doi 10.3103/S1062873814020099

  9. Nassau K.A // J. Crystal Growth. 1968. V. 2. № 4. P. 215. doi 10.1016/0022-0248(68)90004-3

  10. Antonini B., Blank S.L., Lagomarsino S., Paoletti A., Paroli P., Tucciarone A. // J. Appl. Phys. 1982. V. 53. № 3. P. 2495. doi 10.1063/1.330848

  11. Bulatov M.F. // Tsvetnye Metally. 2005. № 8. P. 80.

  12. Miller D.C. // J. Electrochem. Soc. 1973. V. 210. № 5. P. 678. doi 10.1149/1.2403533

  13. Hsia L.C., Wigen P.E., De Gasperis P., Borghese C. // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. № 3. P. 2261. doi 10.1063/1.328899

  14. Metselaar R., Larsen P.K. // J. Phys. Chem. Solids. 1976. V. 37. № 6. P. 599. doi 10.1016/0022-3697(76)90109-8

  15. De Roode W.H., Van De Pavert C.A.P.W. // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. № 8. P. 3115. doi 10.1063/1.333309

Дополнительные материалы отсутствуют.