1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
  4. № 8, 2021

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2021, № 8, стр. 62-70

Исследование приповерхностного слоя кварца, последовательно имплантированного цинком и фтором

В. В. Привезенцев a, *, А. А. Фирсов a, О. С. Зилова b, Д. А. Киселев c

a Федеральный научный центр “Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук”
117218 Moсква, Россия

b Национальный исследовательский университет “Московский энергетический институт (МЭИ)”
111250 Москва, Россия

c Национальный исследовательский технологический университет “Московский институт стали и сплавов (МИСиС)”
119049 Москва, Россия

* E-mail: v.privezentsev@mail.ru

Поступила в редакцию 22.11.2020
После доработки 25.01.2021
Принята к публикации 30.01.2021

Полный текст (PDF)

Аннотация

В работе представлено исследование структуры и состава кварца, последовательно имплантированного Zn и F и отожженного в инертной среде Ar. Пластины плавленого кварца с размером 10 × 10 мм были имплантированы с дозой 5 × 1016 cм–2 сначала ионами 64Zn+ с энергией 50 кэВ, а затем ионами 19F+ с энергией 17 кэВ. При имплантации плотность ионного тока не превышала 0.5 мкА/см2, что бы перегрев пластин по сравнению с комнатной температурой не превышал 50°С. Далее образцы отжигались при температурах 400, 600, 700 и 800°С в среде Аr в течение одного часа. Обнаружено, что после Zn/F-имплантации на поверхности кварца формируются Zn-содержащие наночастицы размером в пределах 30–70 нм. Наличие фазы Zn цинка подтверждается ЭДС-спектром для ZnLα1,2-лини. После Zn/F имплантации параметры шероховатости поверхности кварца составляют: среднее значение Ra = 0.14 нм, а среднеквадратичное Rms = 0.11 нм. После отжига при температуре 700°С шероховатость увеличивается: Ra = 0.45 нм, а Rms = 0.36 нм. После отжига при T = 700°С максимум концентрации атомов Zn в кварцевой подложке составляет 5.5 ат. % и соответствует глубине 25 нм, а максимум концентрации атомов F – 1.6 ат. % и соответствует глубине 9 нм. После отжига при 700°С Zn находится в окисленном состоянии ZnOх как на поверхности кварца, так и в его объеме.

Ключевые слова: кварц, Zn/F имплантация, наночастицы, отжиг, ZnO, растровая электронная микроскопия, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия/оже-электронная спектроскопия.

ВВЕДЕНИЕ

В настоящее время наночастицы оксидов металлов в прозрачных матрицах широко изучаются из-за их возможного применения в микро- и оптоэлектронных устройствах [1]. Особый интерес представляют наночастицы оксида цинка, поскольку ZnО является прямозонным материалом с шириной запрещенной зоны 3.37эВ и имеет большую энергию связи электрона и дырки в экситоне (60 мэВ). Наночастицы оксида цинка, сформированные в различных матрицах, cмогут найти применение в современной оптоэлектронике, в частности, с их помощью можно получать УФ-излучение с длиной волны λ = 380 нм при температуре до 350°С. Поэтому матрицы с наночастиц из оксида цинка смогут найти широкое применение в таких современных оптоэлектронных устройствах, как УФ-лазеры и светодиоды [2], электролюминесцентные дисплеи [3]. Перспективно применение ZnO также в солнечных элементах [4], в сенсорных газовых устройствах [5], приборах памяти (мемристорах) [6], в приборах спинтроники, так как обнаружено, что ZnO в форме наночастиц обладает ферромагнетизмом уже при комнатной температуре [7], для медико-биологических целей и экологии [8–11] и т.п.

Обычно наночастицы оксида цинка в кварце создаются с помощью имплантации Zn и дальнейшего термического окисления подложки [12–15]. Этот метод позволяет получать концентрации цинка в кварце в максимуме нормального распределения до значения NZn = 1 × 1022/cм3 (25 ат. %), что гораздо больше значения их предельной равновесной растворимости, которая составляет, например, в кремнии $N_{{{\text{Zn}}}}^{{{\text{lim}}}}$ = 5 × 1016 см–3 [16] при температуре диффузии 1350°С. С другой стороны, можно проводить совместную имплантацию ионов Zn и O и последующей отжиг в нейтральной или инертной средах [17] или в вакууме.

В настоящей работе исследуются структура и химический состав кварца, последовательно имплантированный ионами Zn и F и отжигом в инертной среде. Оптические свойства этого материала были исследованы ранее [18].

ОБРАЗЦЫ И МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТА

Кварцевые пластины толщиной 200 нм были имплантированы с дозой 5 × 1016 см–2 сначала ионами 64Zn+ с энергией 50 кэВ, а затем ионами 19F+ с энергией 17 кэВ с той же дозой. Согласно SRIM вычислениям [19] проекционный пробег для обоих ионов при выбранных условиях имплантации составлял около 40 нм. При имплантации ионный ток не превышал 0.5 мкА/см2, чтобы перегрев пластин по сравнению с комнатной температурой был не более 50°С. Далее пластины резались на образцы размером 10 × 10 мм и отжигались при температурах 400, 600, 700 и 800°С в нейтральной среде Ar в течение 1 ч при каждой температуре.

Морфологию образцов исследовали с помощью растрового электронного микроскопа (РЭМ) MIRA3 (TESCAN) в режимах вторичной эмиссии (ВЭ) электронов и обратно рассеянных электронов (ОРЭ), а также была использована энерго-дисперсионная спектроскопия (ЭДС). Поскольку диэлектрический образец кварца может заряжаться электронным лучом при РЭМ-исследовании, то при пробоподготовке образца на поверхность образца напыляли слой углерода для стока заряда.

Визуализация поверхности образцов проводилась с помощью сканирующего зондового микроскопа MFP-3D (Asylum Research) в полуконтактной (AC Air Topography) моде с применением кантилевера марки HA_NC/Pt (Tipsnano, Россия) жесткостью 3.5 Н/м и резонансной частотой свободных колебаний 140 кГц. Обработка полученных изображений осуществлялась в программе Gwyddion [20].

Химическое состояние примесей и их концентрационные профили исследовали с помощью рентгеновского фотоэлектронного спектрометра (РФЭС) PHI5500Versa Probe II. Исследовались РФЭС-спектры и оже-электронные спектры (ОЭС). Для послойного анализа использовали травление образца ионами Ar+ с энергией 2 кэВ, растр травления имел размер 2 × 2 мм. Скорость травления в данном режиме, определенная на термическом оксиде кремния, составляла 9 ± 1 нм/мин.

При измерении РФЭС/ОЭС-спектров источником возбуждения было монохроматизированное AlLα-излучение (hν = 1486.6 эВ) с мощностью 50 Вт. Диаметр пучка был равен 200 мкм. Область анализа составляла 600 × 200 мкм при использовании нейтрализатора. Атомные концентрации определяли методом факторов относительной элементной чувствительности по обзорным спектрам. Концентрации определяли по измеренным интегральным интенсивностям следующих линий: С1s, O1s, Si2s, Zn2p3, F1s. Энергии связи Есв РФЭС-линий C1s, O1s, Si2p, F1s определяли по спектрам высокого разрешения, снятым при энергии пропускания анализатора 23.5 эВ и плотности сбора данных 0.2 эВ/шаг. Положение линий РФЭС цинка Zn2p3/2 (Есв) и линий оже-перехода цинка LM45M45 (Екин) определяли при энергии пропускания анализатора 29.35 эВ и плотности сбора данных 0.25 эВ/шаг. Аппроксимацию спектров выполняли методом наименьших квадратов с использованием функции Гаусса–Лоренца. Калибровку шкалы Есв, проводили по линиям Au4f – 84.0эВ и Cu2p3/2 – 932.6 эВ. Корректировку шкалы Есв при обработке настоящих данных проводили по спектру Si2p кварца – 103.3 эВ, при этом Есв для линии C1s адсорбированного углерода составляла 285.0 эВ. Погрешность определения энергии связи и кинетической энергии составляла ΔЕ = ±0.2 эВ.

РЕЗУЛЬТАТЫ ОБСУЖДЕНИЕ

Исследования поверхности методом растровой электронной микроскопии

На рис. 1 представлены два РЭМ-изображения поверхности кварца после Zn/F-имплантации: одно в режиме РЭМ-ВЭ (рис. 1а), а другое в режиме РЭМ-ОРЭ (рис. 1б) при одном и том увеличении и на одном кадре. На рис. 1а в режиме РЭМ-ВЭ (топологический контраст) на поверхности кварца видны яркие пятна с размером в пределах 30–70 нм, т.е. частицы на поверхности кремниевой подложки (бугорки). На рис. 1б в режиме РЭМ-ОРЭ (Z-контраст) частицы также хорошо контрастируют на общем фоне. Это свидетельствует о том, что в состав этих частиц входят элементы более тяжелые, чем Si и O. Иначе говоря, исходя из состава примесей, это Zn-cодержащие частицы (преимущественно Zn, так как температура имплантации была невелика по сравнению с комнатной). На рис. 2 представлен ЭДС-спектр, полученный с области, представленной на рис. 1, из которого следует, что в матрице кварца присутствуют несколькo элементов: имплантированные элементы Zn и F, а также C. Их численные значения приведены в табл. 1.

Рис. 1.

РЭМ-ВЭ (а) и РЭМ-ОРЭ (б) образца кварца после Zn/F-имплантации.

Рис. 2.

ЭДС-спектр образца кварца после Zn/F-имплантации, полученный с области, представленной на рис. 1.

Таблица 1.  

Элементный состав подложки после Zn/F имплантации

Элемент C O F Si Zn Сумма
ат. % 35.39 28.27 4.08 20.84 11.42 100.00
маcс. % 50.41 30.23 3.68 17.70   2.99 100.00

Из табл. 1 следует, что в образце кроме элементов матрицы кварца Si и О, имплантированных элементов Zn и F, также зафиксировано загрязнение углеводородами. Последнее связано с недостаточной очисткой атмосферы вакуумной камеры от паров масла, так как мы использовали масляную откачку. После всего изложенного становится ясно, что яркие частицы на рис. 1 являются Zn-содержащими частицами. Это могут быть как частицы самого Zn, так и его оксида ZnO, что менее вероятно, так как температура внедрения была небольшая. Возможно также, что наблюдаемая частица представляет их смесь, т.е. Zn и ZnO.

В табл. 1 представлен состав имплантированного слоя по данным ЭДС-спектроскопии, соответствующий спектру, представленному на рис. 2. Из таблицы следует, что содержание имплантированных элементов, а именно Zn и F, соответственно составляет 11.42 и 4.08 ат. %. Иначе говоря, на поверхности кварца нами визуализированы НЧ, которые состоят преимущественно из металлического Zn.

На рис. 3 приведены РЭМ-ВЭ (рис. 3а) и РЭМ-ОРЭ (рис. 3б) изображения поверхности имплантированной Zn/F кварцевой подложки после отжига в вакууме при температуре 700°С. Из рис. 3а следует, что в режиме топологического контраста на изображении наблюдаются в основном светлые пятна с небольшим контрастом, т.е. невысокие бугорки на поверхности подложки. На рис. 3б представлено изображение той же площади, но уже в режиме Z-контраста. На этом рисунке наблюдаются в основном те же самые, что и на рис. 3а, светлые со слабым контрастом пятна – бугорки на поверхности подложки. По-прежнему, на поверхности кварца наблюдаются Zn-содержащие частицы. Поскольку их контраст стал меньше, то можно сделать заключение, что содержание самого тяжелого из присутствующих элементов, т.е. Zn, в этих бугорках уменьшилось. Отсюда следует, что, по всей видимости, эти бугорки состоят преимущественно из оксида цинка ZnO. Из анализа изображения на рис. 3 следует, что размеры НЧ составляют менее 50 нм.

Рис. 3.

РЭМ-ВЭ (а) и РЭМ-ОРЭ (б) изображения поверхности образца кварца после отжига в Ar при температуре 700°C в течение 1 часа.

На рис. 4 представлен ЭДС-спектр, полученный в результате анализа области, показанной на рис. 3. Из рис. 4 следует, что ЭДС-спектр ожидаемо состоит из нескольких элементов: Si и O – элементов матрицы, имплантированных элементов Zn и F, а также имеет место загрязнение углеводородами C. Элементный состав приведен в табл. 2.

Рис. 4.

ЭДС-спектр образца кварца после отжига в Ar при температуре 700°С, полученный с области, представленной на рис. 3.

Таблица 2.  

Элементный состав подложки после отжига при Т = 700°С

Элемент C O F Si Zn Сумма
ат. % 46.86 35.12 2.10 15.37 2.54 100.00
маcс. % 32.98 35.93 2.34 22.01 9.75 100.00

Из анализа данных табл. 2 следует, что содержание имплантированных элементов (Zn и F) соответственно составляет 2.54 и 2.10 ат. %. Отсюда становится ясно, что визуализированные на рис. 3. на поверхности кварца светлые со слабым контрастом пятна являются Zn-содержащими НЧ, преимущественно состоящими из оксида цинка ZnO.

Анализ топологии поверхности на атомно-силовом микроскопе

На рис. 5 представлены 2D- и 3D-изображения поверхности кремния после имплантации Zn/F. В этом случае поверхность характеризуется следующими параметрами: Ra = 0.14 нм, а Rms = 0.11 нм. Она более гладкая по сравнению с поверхностью исходной кварцевой подложки из-за явления распыления верхнего слоя, что хорошо известного из литературы.

Рис. 5.

2D (а) и 3D (б) АСМ-изображение поверхности кварца после Zn/F-имплантации.

На рис. 6 представлены 2D (рис. 6а) и 3D (рис. 6б) АСМ-изображения поверхности имплантированного кварцевого образца после после отжига при температуре 800°С в течение 1 часа в среде Ar. Поверхность характеризуется следующими параметрами: среднее значения неоднородности поверхности составляют Ra = 0.45 нм, а Rms = 0.36 нм. Из сравнения данных рис. 5, 6 следует, что шероховатость поверхности кварцевого образца несколько увеличилась после отжига от ее состояния сразу после Zn/F имплантации.

Рис. 6.

2D (а) и 3D (б) АСМ-изображения поверхности образца кварца после отжига при 600°С в течение 1 ч в Ar.

На рис. 7 представлены зависимости высоты шероховатости после Zn/F-имплантации (1) и после отжига в Ar при температурах 600°С (2) и 800°С (3). Как следует из рисунка, после имплантации максимум высоты шероховатости находится при 0.5 нм, причем распределение высот достаточно узкое. После отжига при 600°С максимум распределения высот увеличился до значения 16 нм, при этом распределение высот достаточно уширено. А после отжига при 800°С максимум распределения высот уменьшается до 1.5 нм, а форма распределения сужается.

Рис. 7.

Шероховатости поверохности после Zn/F-имплантации (1) и после отжига в течение 1 часа в Ar: 2 – 600°С, 3 – 800°С.

Относительно размеров неоднородностей поверхности в плоскости можно отметить, что они тоже увеличились, т.е. поверхность структурируется. Такое структурирование поверхности в плоскости мы связываем с образованием латентных областей внутри кварцевой матрицы после отжига, который сопровождаются формированием НЧ оксида цинка. При этом возможна диффузия Zn к поверхности образца, образованием его скоплений вблизи поверхности, создающих неровности на самой поверхности. Также возможен вылет цинка в окружающую атмосферу с образованием поверхностных пор (кратеров) небольших размеров (около 10 нм).

РФЭС/ОЭС анализ элементного и фазового состава

На рис. 8 представлены профили концентраций в образце после Zn/O-имплантации для кремния, кислорода, цинка и загрязняющей примеси углерода, а также фтора. Их измерения были остановлены после прохождения максимума концентрации имплантированного цинка. На поверхности кварца были обнаружены кремний, кислород, цинк и примесь углерода (табл. 1), а также другие элементы в незначительной концентрации. Установлено, что на концентрационных профилях для этого образца максимум концентрации атомов Zn составляет 5.5 ат. % и расположен на глубине 25 нм, а максимум концентрации атомов F – 1.6 ат. % и находится на глубине 9 нм.

Рис. 8.

Профили концентраций элементов образца по глубине после отжига в течение 1 часа в Ar при температуре 600°С: 1 – С, 2 – О, 3 – F, 4 – Si, 5 – Zn.

После отжига при 600°С на поверхности кварца были обнаружены кремний, кислород, цинк и примесь углерода (табл. 1), а также другие элементы в незначительной концентрации. Примеси фтора F на поверхности образца обнаружено не было. На глубине 31.5 нм произошло значительное уменьшение содержания углерода, увеличение концентрации кислорода и кремния, а также цинка. Следует отметить, что на этой глубине зафиксирована и примесь фтора. На рис. 9. представлены обзорные РФЭС-спектры образца после отжига в Ar при температуре 600°С: глубина d = 0 нм – поверхность (рис. 1а), d = 31.5 нм (рис. 1б).

Рис. 9.

РФЭС обзорные спектры образца после отжига в Ar при температуре 600°С; глубина d, нм: а – 0 нм (поверхность), б – 31.5.

Химическое состояние Zn определяли по РФЭС-спектрам для линии Zn2p3/2 (рис. 10а) и оже-спектрам Zn LMM (рис. 10б). На рис. 11 представлены РФЭС-спектры для линии Zn2p3/2 (рис. 11а) и оже-спектры для перехода Zn L3M45M45 (рис. 11б) с профилированием по глубине; глубина d, нм: 1 – 0, 2 – 2.25, 3 – 9, 4 – 18. 5 – 27.5 и 6 – 31.5. Был определен оже-параметр α′ для Zn (сумма Екин для перехода Zn L3M45M45 и Есв для Zn2p3/2), который составил 2009.2 эВ на поверхности и 2009.5 эВ на глубине 31.5 нм. Согласно данным NIST [21], в случае оксида цинка оже-параметр для Zn α′ = = 2009.5–2011.0 эВ, а в случае металлического Zn он составляет α′ = 2013.5–2014.2 эВ. Учитывая погрешности измерения Есв и Екин (±0.2 эВ), можно с уверенностью говорить о том, что как на поверхности, так и в объеме кремния цинк находится в окисленном состоянии (ZnOx).

Рис. 10.

Спектры высокого разрешения для образца после отжига в Ar при температуре 600°С: РФЭС-спектры для Zn2p3/2 (а) и оже-спектры для перехода Zn L3M45M45 (б), глубина d, нм: 1 – 0 (поверхность) и 2 – 31.5.

Рис. 11.

РФЭС-спектры для линии Zn2p3/2 (а) и оже-спектры для перехода Zn L3M45M45 (б) с профилированием по глубине, глубина d, нм: 1 – 0,. 2 – 2.25, 3 – 9, 4 – 18, 5 – 27.5 и 6 – 31.5.

На рис. 12 представлены РФЭС-спектры высокого разрешения для образца кварца после отжига при Т = 600°С для Si2p (рис. 12а) и O1s (рис. 12б). При этом Есв для кремния составляет 103.3 эВ, а для кислорода – 532.6 эВ (как на поверхности, так и на глубине 31.5 нм). Эти два значения энергии связи (как для кремния, так и для кислорода) соответствует фазе SiO2. Более широкий РФЭС-спектр для O1s на поверхности кварца обусловлен наличием здесь неструктурных форм кислорода.

Рис. 12.

РФЭС-спектры высокого разрешения для образца после отжига в Ar при температуре 600°С для Si2p3/2 (а) и для O1s (б), глубина d, нм: 1 – 0 (поверхность), 2 – 31.5.

Таблица 3.  

Концентрации элементов в образце после отжига при Т = 600°С

Глубина, нм Концентрации элементов, ат. %
Элементы C O Si Zn F
0   57.1 29.1   7.0 2.9 0
31.5     0.6 63.2 31.7 4.0 0.5

Химическое состояние фтора определили по РФЭС-спектру высокого разрешения для F1s на глубине 31.5 нм (рис. 13). Максимум РФЭС-спектра в этом случае расположен при энергии связи Есв = 687.2 эВ, что характерно для связей C–F или Si–F [21]. Анализ спектров F1s низкого разрешения, полученных при послойном анализе, также показывает область энергий для максимума РФЭС-спектра для фтора при Есв = 687–688 эВ. Иначе говоря, в объеме образца фтор также связан с углеродом или кремнием (для фторидов характерно Есв ≈ 685 эВ).

Рис. 13.

РФЭС-спектр для F1s образца после отжига в Ar при температуре 600°С на глубине d = 31.5 нм.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Из анализа РЭМ-изображений следует, что после Zn/F-имплантации на поверхности обнаружены Zn-содержащие наночастицы с размером 20–50 нм. Наличие фазы Zn цинка подтверждается ЭДС-спектром для ZnLα1,2-линии.

После Zn/F имплантации по данным АСМ параметры шероховатости составляют: Ra = 0.14 нм, а Rms = 0.11 нм.

После отжига при 800°С шероховатость поверхности увеличивается и характеризуется следующими параметрами: среднее значение шероховатости составляет Ra = 0.45нм, а Rms = 0.36 нм.

После отжига при 700°С в Si-подложке максимальное содержание Zn составляет 5.5 ат. % и соответствует глубине 25 нм, а максимальное содержание фтора – 1.6 ат. % и соответствует глубине 9 нм.

Поскольку оже-параметр для Zn составил α' = = 2009.2 эВ на поверхности и 2009.5 эВ на глубине 31.5 нм, то отсюда следует, что Zn находится в окисленном состоянии ZnOх и на поверхности, и в объеме.

Максимум РФЭС-спектра для F1s высокого разрешения, соответствующий глубине 31.5 нм, находится при Есв = 687.2 эВ, что характерно для связей C–F или Si–F.

Максимумы РФЭС-спектров для Si2p и O1s находятся при Есв для кремния 103.3 эВ и кислорода 532.6 эВ как на поверхности, так и на глубине 31.5 нм, что соответствует фазе SiO2.

Список литературы

  1. Litton C.W., Collins T.C., Reynolds D.S. Zinc Oxide Materials for Electronic and Optoelectronic Device Application. Wiley: Chichester, 2011. 386 p.

  2. Jiang C.Y., X.W. Sun X.W, Lo G.Q., Kwong D.L., Wang J.X. // Appl. Phys. Lett. 2007. V. 90. P. 263501.

  3. Li C., Yang Y., Sun X.W., Lei W., Zhang X.B., Wang B.P., Wang J.X., Tay B.K., Ye J.D., Lo G.Q., Kwong D.L. // Nanotechnology. 2007 V. 18. P. 135604.

  4. Smestad G.P., Gratzel M. // J. Chem. Educ. 1998. V. 75. P. 752.

  5. Chu S., Olmedo M., Yang Zh., Kong J., Liu J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. P. 181106.

  6. Straumal B.B., Mazilkin A.A., Protasova S.G., Myatiev A.A., Straumal P.B., Schütz G., van Aken P.A., Goering E., Baretzky B. // Phys. Rev. B. 2009. V. 79. P. 205206.

  7. Dodds1 J. S., Meyers F.N., Loh K.J. // Smart Structures and Systems. 2013. V. 12. P. 055.

  8. Bagnall D.M., Chen Y.F., Shen M.Y., Zhu Z., Goto T., Yao T. // J. Cryst. Growth. 1998. V. 184/185. P. 605.

  9. Chang H., Park H.D., Sohn K.S., Lee J.D. // J. Korean Phys. Soc. 1999. V. 34. P. 545.

  10. Yusof M.M., Ani M.H., Suryanto M.T. // Advanced Mater. Res. 2013. V. 701. P. 172.

  11. Son Dong-Ick, Park Dong-Hee, Choi Won Kook, Cho Sung-Hwan, Kim Won-Tae, Kim Tae Whan. // Nanotechnology. 2009. V. 20. P. 195203.

  12. Amekura H., Takeda Y., Kishimoto N. // Mater. Lett. 2011. V. 222. P. 96.

  13. Umeda N., Amekura H., Kishimoto N. // Vacuum. 2009. V. 83. P. 645.

  14. Shen Y.Y, Zhang X.D., Zhang D.C., Xue Y.H., Zhang L.H., Liu C.L. // Mater. Lett. 2011. V. 65. P. 2966.

  15. Privezentsev V., Kulikauskas V., Steinman E., Bazhenov A. // Phys. Stat. Sol. C. 2013. V. 10. P. 48.

  16. Milnes A.G. Deer Impurities in Semiconductors. Wiley: NY, 1973. 563 p.

  17. Privezentsev V.V., Makunin A.V., Batrakov A.A., Ksenich S.V., Goryachev A.V. // Semiconductors. 2018. V. 52. P. 645.

  18. Privezentsev V.V., Makunin A.V., Kolesnikov N.N., Steinman E.A., Terechshenko A.N. // Cryst. Peps. 2019. V. 10. P. 48.

  19. Ziegler J.F., Biersack J.P. 2013. SRIM. http://www.srim.org

  20. Department of Nanometrology, Czech Metrology Institute. http://www.gwyddion.com.

  21. The NIST X-ray Photoelectron Spectroscopy Database. Version 4.1. http://srdata.nist.gov/xps

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал