1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
  4. № 4, 2022

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2022, № 4, стр. 3-10

Влияние ионов C60 высоких энергий на структуру и связи углеродных покрытий

А. А. Бельмесов a, *, Г. В. Нечаев a, В. Е. Пуха a, Е. Н. Кабачков a, И. И. Ходос b, П. А. Карасев c

a Институт проблем химической физики РАН
142432 Черноголовка, Россия

b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
142432 Черноголовка, Россия

c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
195251 Санкт-Петербург, Россия

* E-mail: belmesovaa@mail.ru

Поступила в редакцию 14.06.2021
После доработки 19.08.2021
Принята к публикации 28.08.2021

Полный текст (PDF)

Аннотация

Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы углеродные пленки, полученные при осаждении ускоренных ионов C60. Показано, что при энергии пучка ионов 7 кэВ и температуре подложки 100–200°C формируются аморфные углеродные пленки. Повышение температуры подложки до 300°C приводит к формированию нанокомпозитных пленок, содержащих нанокристаллы графита и аморфную углеродную матрицу. Присутствие в пучке двух- и трехзарядных ионов с энергией 14 и 21 кэВ, соответственно, приводит к снижению температуры формирования нанокомпозитов до 200°C. В результате анализа данных, собранных методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и оже-электронной спектроскопии с разной информационной глубины, установлено, что соотношение sp3/sp2 в поверхностных слоях выше, чем в глубинных слоях, как в случае пучка с энергией 7 кэВ, так и при наличии в пучке многозарядных ионов высоких энергий. Если в пучке присутствуют высокоэнергетические ионы, то соотношение sp3/sp2 больше и сложным образом зависит от температуры осаждения. Максимальное количество sp3-связей в поверхностных слоях обнаружено при температуре осаждения 350°C и составляет 88%. Угол смачивания для этой пленки 96°, что близко к углу смачивания алмазной поверхности.

Ключевые слова: углеродные пленки, ускоренные ионы С60, углеродные нанокомпозиты, нанокристаллы графита, алмазоподобная матрица, просвечивающая электронная микроскопия, sp3- и sp2-связи, деконволюция спектра C1s, оже-спектры, смачивание.

ВВЕДЕНИЕ

Свойства пленок аморфного углерода и, следовательно, область их применения во многом определяются соотношением sp3- и sp2-гибридизированных связей. Сверхтвердые покрытия на основе углерода, в том числе гидрогенизированные, получили общее название аморфный алмазоподобный углерод – некристаллический углеродный материал с высокой долей алмазоподобных (sp3-гибридизированных) связей. Аморфные пленки, состоящие только из атомов углерода с высоким содержанием sp3-связей, обозначаются как ta-C [1]. Обычно такие сверхтвердые пленки получаются при осаждении частиц плазменных и ионных пучков, главным компонентом которых являются ионизированные атомы углерода с энергией от десятков до сотен эВ.

Пленки алмазоподобного углерода, и в частности ta-C, благодаря высокой твердости, низкому коэффициенту трения и химической пассивности находят все большее применение в промышленности в качестве защитных и упрочняющих покрытий [1–4]. Они не вызывают коагуляцию крови и могут служить эффективным барьером, предотвращающим диффузию ионов металлов из имплантатов в окружающие ткани, что обеспечивает биосовместимость и возможность использования в медицине [5]. Кроме того, известна способность углеродных материалов быстро срастаться с окружающими тканями, а также стимулировать остеогенез [6, 7].

Помимо соотношения sp3/sp2-связей, на механические, трибологические и оптические свойства влияют другие структурные особенности углеродных пленок. В частности, это упорядочение sp2-гибридизированных связей в кластеры и их ориентация по поверхности, наличие слоистых структур и так далее [8, 9]. В результате повышенного содержания sp2-фракции появляются нанокристаллы графита, которые обычно наблюдаются при высоких температурах подложки (Ts). Это обычно увеличивает на несколько порядков проводимость углеродных пленок, но сильно ухудшает механические и трибологические свойства.

Наличие двух фаз, одна из которых (матрица) охватывает другую (наночастицы) [10], приводит к образованию пленок с нанокомпозитной структурой. Такие композиты с матрицей из аморфного алмазоподобного углерода и наночастицами в виде кристаллов графита получены в определенных условиях при осаждении ускоренных ионов С60 [11]. В частности, использование молекулярных ионов фуллерена C60 с энергией в диапазоне кэВ при осаждении углеродных пленок позволяет получать сверхтвердые углеродные пленки нового типа, которые практически не изменяют механические свойства при переходе от аморфного состояния к нанокомпозитному [11–14]. Следует отметить, что соотношение sp3/sp2 в этом случае остается практически неизменным, а твердость как аморфных пленок (полученных при Ts менее 300°C), так и нанокомпозитных (Ts ~ 300–400°C) составляет ~50 ГПа [12]. Электропроводность углеродных нанокомпозитов увеличивается на шесть порядков по сравнению с аморфными пленками и составляет ~103 См · м–1 [13–15].

Существенное отличие структуры и свойств сверхтвердых углеродных пленок, полученных при осаждении ускоренных ионов C60, по сравнению с пленками аморфного алмазоподобного углерода, полученными при осаждении атомарных ионов, в первую очередь связано с процессами, происходящими при передаче энергии от многоатомной молекулы к поверхности растущей пленки. Если атомарный ион углерода передает энергию поверхностным слоям в парных столкновениях с атомами пленки (глубина пробега при энергии иона 100 эВ составляет 1–1.5 нм [16]), то ускоренные кластеры и большие молекулы передают свою энергию более тонким поверхностным слоям. При их попадании возникают коллективные взаимодействия, в результате которых в ограниченной области возникают высокие давление и температура, а также возможно появление ударной волны, которая распространяется вглубь вещества [17].

Осаждение углеродных пленок под действием пучка ускоренных ионов фуллерена можно рассматривать в две стадии. Первую стадию формирования структуры можно описать как процессы на поверхности, включающие в себя развал молекулы фуллерена с частичной передачей кинетической энергии иона поверхностным атомам углерода с распылением или испарением растущей пленки, возникновение на поверхности перегретой зоны высокого давления и формирование ударной волны [18]. Окончательное формирование структуры пленок под действием ускоренных ионов C60 происходит не только на поверхности роста, но и затрагивает подповерхностные слои, глубина которых зависит от энергии иона. В [19] показано, что в результате удара иона C60 с энергией в диапазоне кэВ возникает ударная волна и так называемый “тепловой пик”, которые подвергают уже сформированную структуру углеродной пленки нижележащих слоев барическому и тепловому воздействию. Причем давление в десятки ГПа и температуры в несколько тысяч градусов по расчетам, приведенным в [19], испытывают слои, лежащие на глубине несколько нанометров (при энергии иона C60 5 кэВ на глубине 6 нм давление при прохождении ударной волны составит порядка 40 ГПа). Эти явления позволяют предположить, что структура и химические связи могут меняться по глубине пленки, причем эти изменения связаны как с энергией основной доли ионов, формирующих пленку, так и с присутствием в пучке некоторой доли двух- и трехзарядных ионов, имеющих более высокую энергию.

Авторы [11–15] исследовали связь между энергией ионов C60, Ts и структурой покрытий, а также их механическими, оптическими и электрическими свойствами. Покрытия изготавливали с использованием моноэнергетических масс-сепарированных пучков ионов С60. Однако большинство плазменных ионных источников, которые могут найти применение для формирования мощных пучков ионов C60, кроме однозарядных ионов генерируют двух- и трехзарядные ионы, энергия которых, соответственно, в два и три раза больше, чем однозарядных. Так, по данным [20], при использовании источника с седловидным электрическим полем количество ионов ${\text{С}}_{{60}}^{{2 + }}$ составляет 22%. Влияние этих ионов при осаждении на структуру пленок и химические связи между атомами углерода систематически не исследовано.

В настоящей работе углеродные пленки наносили как из масс-сепарированного пучка C60 с энергией 7 кэВ, так и пучка ионов, полученного без применения энерго-масс-сепаратора, в котором кроме ионов с энергией 7 кэВ присутствовали ионы с энергией 14 и 21 кэВ (смешанный пучок). Было исследовано влияние этих ионов на кристаллическую структуру пленок и химические связи между атомами углерода. В частности, изучено соотношение sp3/sp2 в поверхностных и глубинных слоях покрытия как в случае пучка с энергией 7 кэВ, так и в случае присутствия в пучке многозарядных ионов.

МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

Материалы

В качестве исходного материала для осаждения углеродных нанокомпозитных покрытий был использован порошок фуллерена C60 (чистота 99.5%, НПК “НеоТехПродукт”, Санкт-Петербург, Россия). Углеродные покрытия были нанесены на подложки из титана ВТ1-0 (основные компоненты Ti 99%, Fe 0.25%). Выбор материала подложки обусловлен тем, что титан и его сплавы широко используются в авиационной и космической технике, в химической промышленности и медицине [21, 22]. Сплавы на основе титана являются в настоящее время основными материалами для медицинских имплантатов в ортопедии, травматологии и стоматологии. Углеродные аморфные алмазоподобные и нанокомпозитные покрытия титана могут расширить его функциональные возможности при изготовлении изделий медицинского назначения, в частности прецизионных пар трения, например, при формировании искусственных суставов, электродных систем для измерения биопотенциалов либо управления бионическими протезами [23, 24].

Осаждение покрытий

Пучок ионов генерировали с использованием источника с седловидным электрическим полем. Пары фуллерена из двух эффузионных ячеек подавали через отверстия в аноде непосредственно в седловидную область электрического поля. На электроды ионного источника подавали ускоряющее напряжение 8 кВ. В парах фуллерена при подаче высокого напряжения на электроды источника возникал электрический разряд, из которого формировались два противоположно направленных пучка ионов. Один использовался для мониторинга разряда и тока пучка, а второй – для осаждения покрытия. Из ионного источника пучок направляли через систему электростатических линз в магнитный энерго-масс-сепаратор и далее на подложку. Для осаждения в случае смешанного пучка после электростатических линз пучок вместо масс-сепаратора направляли на электростатическое зеркало, где отсеивался нейтральный компонент, затем на подложку. Более подробно характеристики ионного источника описаны в [12, 20]. Рабочее давление в камере во время осаждения составляло ~10–4 Па. Осаждение покрытий проводили в оригинальной вакуумной установке с гетероионной безмасляной откачкой и базовым давлением 5 × 10–6 Па. Нагрев подложек осуществляли с помощью галогеновых ламп. Покрытия формировались при Ts в интервале 100–400°C. Контроль температуры подложек осуществляли с помощью хромель-алюмелевых термопар, приваренных непосредственно к титановым подложкам точечной сваркой. Для одновременного измерения ионного тока на подложку и термоэдс показания термопар фиксировали с помощью мультиметра СЕМ DT-9969 с батарейным питанием и передачей данных по Bluetooth каналу.

Энергетическое распределение ионов и состав пучка для источника с седловидным полем этого типа приведены в [20]. Ионный пучок в этом случае состоит в основном из однозарядных, двухзарядных и трехзарядных ионов C60 со средними значениями энергии 7, 14 и 21 кэВ соответственно. Количество ионов ${\text{С}}_{{60}}^{{2 + }}$ составляет около 22%, ионов ${\text{С}}_{{60}}^{{3 + }}$ – около 1.5%. Кроме того, в пучке присутствуют однозарядные димеры ${\text{2С}}_{{60}}^{ + }$. Параметры осаждения сведены в табл. 1.

Таблица 1.  

Параметры осаждения углеродных покрытий под действием ионного пучка C60

Серии образцов Сепарированный пучок Смешанный пучок
Рабочее давление, Па (1–1.5) × 10–4 (1–1.5) × 10–4
Ток пучка ионов C60, мкА 20 20
Состав пучка, заряд ионов 100% ${\text{C}}_{{60}}^{ + }$ 71.8% ${\text{C}}_{{60}}^{ + }$ , 22% ${\text{C}}_{{60}}^{{2 + }}$, 1.5% ${\text{C}}_{{60}}^{{3 + }}$, 4.7% $({{{\text{C}}}_{{60}}})_{2}^{ + }$
Энергия на молекулу C60, кэВ 7 7, 14, 21, 7/2
Ускоряющее напряжение, кВ 8 8
Скорость осаждения, нм/с ~0.1 ~0.1
Температура подложки (Ts), °C 100, 200, 300, 400 100, 200, 250, 300, 350, 400
Толщина покрытия, нм 80 80

Методы исследования покрытий

Структуру полученных покрытий исследовали методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) с использованием микроскопа JEM-2100. Подложку удаляли путем химического травления в смеси кислот HF : HNO3 = 1 : 10. Затем свободные пленки промывали в деионизированной воде и помещали на медную электронно-микроскопическую сеточку. Химические связи в покрытии определяли методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) на рентгеновском фотоэлектронном спектрометре для химического анализа Specs PHOIBOS 150 MCD (MgKα-излучение, энергия 1253.6 эВ). Мощность источника составляла 225 Вт. При регистрации спектров вакуум в камере спектрометра составлял 3 × 10–10 Торр. Спектры регистрировали в режиме постоянной энергии пропускания (40 эВ для обзорного спектра и 10 эВ для отдельных линий). Обзорный спектр записывали с шагом 1 эВ, спектры отдельных линий – с шагом 0.03 эВ.

Для определения угла смачивания использовали метод лежащей капли. Угол смачивания θ для дистиллированной воды измеряли на воздухе при комнатной температуре с помощью горизонтального микроскопа с десятикратным увеличением. Диаметр капли составлял 0.5–1 мм. Средние значения углов контакта были определены в пяти независимых экспериментах для одного образца (каждый раз на новой поверхности) с точностью ±3°.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

ПЭМ-исследования

Исследование методом ПЭМ продемонстрировало, что структура покрытия зависит не только от температуры подложки Ts, но и от присутствия в пучке многозарядных ионов. При энергии ионов 7 кэВ и Ts = 100 и 200°C для покрытий характерна аморфная структура (рис. 1а). На ПЭМ-изображениях визуализируется типичный контраст аморфных пленок. На картине микродифракции наблюдается гало с максимумами, характерными для аморфного углерода и соответствующими межплоскостным расстояниям 0.112 и 0.207 нм [25].

Рис. 1.

ПЭМ-изображения углеродных пленок, полученных при Ts = 200°C в результате облучения подложки моноэнергетическим (7 кэВ, с использованием масс-сепарации) (a) и смешанным пучком ионов C60 (без использования масс-сепарации, энергия ионов в пучке 7, 14 и 21 кэВ) (б). На вставках показаны соответствующие картины микродифракции.

При Ts = 300°С (рис. 2а) на картине микродифракции хорошо различается отражение в виде размытого кольца, соответствующее межплоскостному расстоянию ~0.33 нм, которое близко к межплоскостному расстоянию в графите d002 = = 0.338 нм. Дальнейшее повышение Ts до 400°C приводит к формированию на картине микродифракции ярких тонких колец, соответствующих отражениям 002 и 004 графита, т.е. в пленке формируются более крупные и совершенные нанокристаллы графита. Тем не менее при Ts = 400°C гало от аморфного углерода также присутствует на картине микродифракции.

Рис. 2.

Микродифракция в углеродных пленках, полученных под действием пучка ионов C60 с энергией 7 кэВ при температуре подложки: а – 300; б – 400°C.

Использование смешанного пучка приводит к формированию нанокристаллов графита уже при Ts = 200°C (рис. 1б). На ПЭМ-изображениях появляются характерные полосчатые структуры, которые связаны с нанокристаллами графита (на рисунке показаны стрелками). На картине микродифракции хорошо различается отражение в виде размытого кольца, соответствующего межплоскостному расстоянию ~0.33 нм, которое появляется в случае пучка с энергией 7 кэВ только вблизи Ts = 300°C. Дальнейшее повышение Ts, так же как и в случае моноэнергетического пучка, ведет к проявлению на картине микродифракции признаков роста размеров и совершенства структуры нанокристаллов (рис. 3). Вместо гало видно кольцо, соответствующее отражениям 002 графита. На электронограмме различимо и отражение второго порядка 004.

Рис. 3.

ПЭМ-изображение и картина микродифракции от углеродной пленки, полученной при Ts = = 350°C под действием смешанного пучка (без использования энерго-масс-сепарации), энергия ионов C60 в пучке 7, 14 и 21 кэВ.

Кроме того, на рис. 3 наблюдаются два текстурных максимума. Как показано в [26], в нанокомпозитных пленках, полученных при осаждении частиц под действием пучка ускоренных ионов C60, существует специфическая текстура: нормаль к плоскостям (001) нанокристаллов графита параллельна плоскости подложки, небольшой наклон пленки в колонне микроскопа вызывает появление новых текстурных максимумов. Такая же ориентация плоскостей (001) наблюдается в углеродных пленках, осажденных при термическом разложении углеродсодержащих газов [27].

В покрытиях, выращенных при Ts в интервале 300–400°C, как в случае моноэнергетического, так и смешенного пучков, формируется структура, в которой присутствуют нанокристаллы графита и аморфная составляющая, т.е. проявляется нанокомпозитное строение пленки.

Структура химических связей (РФЭС)

Известно, что на свойства аморфного углерода существенно влияет гибридизация атомных орбиталей. В частности, проводимость, твердость и модуль Юнга углеродного покрытия во многом определяется концентрацией sp3-связей. Для определения соотношения sp2- и sp3-гибридизированных связей использовали РФЭС. Структуру химических связей традиционно определяют путем деконволюции пика C1s гауссовыми кривыми. В случае углеродных материалов он обычно состоит из двух основных пиков, один из которых расположен вблизи 284.5 эВ, обусловлен связями sp2, а второй, при 285.5 эВ, – связями sp3. Меньшие боковые пики с энергией связи около 286.5 и 288 эВ возникают из-за наличия связей C–O и C=O соответственно [28].

Альтернативой деконволюции спектров C1s для определения соотношения sp3/sp2 является анализ формы оже-спектра KLL (KVV) [29]. Форма оже-спектра KLL углеродных наноструктур (CKLL) отражает плотность электронных состояний и содержит вклады гибридизированных связей sp2 (графит) и/или sp3 (алмаз). РФЭС является методом исследования поверхностных слоев, который позволяет определить толщину слоя – информационную глубину, с которой регистрируют сигнал – выход (P) электронов. Эта величина определяется по длине свободного пробега электронов с определенной кинетической энергией при неупругом взаимодействии. Из-за меньшей кинетической энергии оже-электронов CKLL, чем фотоэлектронов C1s, таким методом исследуют близкие к поверхности слои.

При использовании рентгеновского излучения MgKα и углеродной мишени, по данным [28], для регистрации пика C1s и оже-спектра CKLL информационная глубина (P = 99%) будет равна 8.2 и 3.3 нм соответственно. В случае спектра CKLL содержание sp2- и sp3-связей оценивают по параметру D, который определяется как разность значений энергии между максимумом и минимумом первой производной спектра, где зависимость параметра D от отношения sp3/sp2-связей считают линейной между значениями для графита и алмаза.

Сравнение соотношения sp3/sp2 для компонент пиков C1s и полученного по параметру D показало, что количество sp3-связей уменьшается с глубиной покрытия как в случае пучка с энергией 7 кэВ, так и смешанного пучка. В поверхностном слое покрытия (параметр D), полученного при осаждении частиц под действием пучка ионов C60 с энергией 7 кэВ количество sp3-связей повышается с ростом Ts до максимума (~62%) при Ts = = 300°C, а затем понижается до 58% при Ts = = 400°C. В более глубоких слоях деконволюция пика C1s показывает, что количество sp3-связей равномерно понижается от ~42% при 100°C до 33% при 400°C.

При осаждении в случае смешанного пучка, несмотря на появление нанокристаллов графита уже при температуре 200°C, количество sp3-связей в поверхностном слое и в глубине пленки больше, чем в случае сепарированного пучка с энергией 7 кэВ. Количество sp3-связей, определенное по параметру D, повышается с ростом Ts и достигает 88% при 350°C (рис. 4), а затем снижается до ~86%. Деконволюция спектра C1s пленок показала, что количество sp3-связей также имеет максимум при Ts = 350°C, когда количество sp3-связей достигает 62%. Данные о количестве sp3-связей для всех полученных пленок представлены на рис. 5.

Рис. 4.

Деконволюция пика C1s образца, полученного при осаждении ионов смешанного пучка при Ts = = 350°C (а), и первая производная оже-спектра CKLL этого же образца (б).

Рис. 5.

Зависимость процентного содержания sp3-связей от Ts для образцов, полученных под действием масс-сепарированного (7 кэВ) (открытые символы) и смешанного пучка (закрашенные символы). Расчет содержания проведен по D-параметру (кружки) и деконволюции спектра C1s (квадраты).

Контактный угол смачивания

Исследование поверхностных слоев методом РФЭС показало, что максимальное количество sp3-связей в поверхностных слоях наблюдается при получении пленок под действием смешанного пучка. Это подтверждено характеристиками смачивания. Так, угол смачивания всех пленок, полученных в случае смешанного пучка, равен приблизительно 96° (рис. 6). Высокий угол смачивания характерен для граней алмаза и алмазоподобных структур с высоким содержанием sp3-связей [30]. Для пленок, полученных под действием пучка с энергией ионов 7 кэВ, угол смачивания также почти не зависит от Ts и равен 90°.

Рис. 6.

Зависимость угла смачивания от температуры осаждения Ts для пленок, полученных под действием масс-сепарированного (7 кэВ) (квадраты) и смешанного пучка (кружки) и капля дистиллированной воды на поверхности углеродной пленки, полученной в случае смешанного пучка при Ts = 350°C.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

При использовании просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии исследованы углеродные пленки, полученные под действием фильтрованного пучка ускоренных ионов C60 со средней энергией 7 кэВ и смешанного пучка, непосредственно генерируемого ионным источником и содержащего ионы C60 с энергией 7, 14 и 21 кэВ. Обнаружено, что присутствие в пучке ионов высокой энергии приводит к формированию нанокомпозитной структуры при более низких температурах. Признаки нанокомпозитной структуры – нанокристаллы графита – методами ПЭМ обнаруживаются уже при температуре осаждения 200°C и выше (в случае пучка с энергией 7 кэВ нанокомпозитная структура проявляется в температурном интервале Ts ~ 300–400°C). Исследование методом РФЭС показало, что во всех пленках, полученных под действием смешанного пучка, содержание sp3-связей выше и достигает 88% в поверхностных слоях при Ts = 350°C. Максимальное содержание sp3-связей в случае моноэнергетического пучка (7 кэВ) составляет 62% и наблюдается в поверхностных слоях при Ts = = 300°C. Следует отметить, что количество sp3-связей в обоих случаях уменьшается с глубиной исследуемых слоев углеродной пленки и имеет сложную зависимость от Ts с максимумом в районе 300–350°C. Причины появления максимума концентрации sp3-связей в углеродных пленках при повышенных температурах пока не вполне ясны. Этот вопрос требует дополнительных исследований.

Список литературы

  1. Robertson J. // Mater. Sci. Eng. R. 2002. V. 37. P. 129. https://doi.org/10.1016/S0927-796X(02)00005-0

  2. Donnet C., Erdemir A. Tribology of Diamond-Like Carbon Films. Fundamentals and Applications. New York: Springer, 2008. 664 p.

  3. Love C.A., Cook R.B., Harvey T.J., Dearnley P.A., Wood R.J.K. // Tribology Int. 2013. V. 63. P. 141. https://doi.org/10.1016/j.triboint.2012.09.006

  4. Shi W.L. // Appl. Mechan. Mater. 2017. V. 864. P. 14. Doi: 10.4028/www.scientific.net/AMM.864.14

  5. Bewilogua K., Bräuer G., Dietz A., Gäbler J., Goch G., Karpuschewski B., Szyszka B. // CIRP Ann. 2009. V. 58. Iss. 2. P. 608. https://doi.org/10.1016/j.cirp.2009.09.001

  6. Derakhshandeh M.R., Eshraghi M.J., Javaheri M., Khamseh S., Sari M.G., Zarrintaj P., Mozafari M. // Surf. Innovations. 2018. V. 6. Iss. 4–5. P. 266. https://doi.org/10.1680/jsuin.18.00002

  7. Narayan R. Diamond-Based Materials for Biomedical Applications. Elsevier, 2013. 296 p.

  8. Carey J.D., Silva S.R. // Phys. Rev. 2004. V. 70. P. 235417. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.70.235417

  9. Carey J.D. // Thin Solid Films. 2006. V. 515. P. 996. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2006.07.078

  10. Cho N.H., Veirs D.K., Ager J.W., Rubin M.D., Hopper C.B., Bogy D.B. // J. Appl. Phys. 1992. V. 71. P. 2243. https://doi.org/10.1063/1.351122

  11. Pukha V.E., Zubarev E.N., Drozdov A.N., Pugachov A.T., Jeong S.H., Nam S.C. // J. Phys. D. 2012. V. 45. P. 335302. https://doi.org/10.1088/0022-3727/45/33/335302

  12. Penkov O.V., Pukha V.E., Zubarev E.N., Yoo S.S., Kim D.E. // Tribol. Int. 2013, V. 60. P. 127. https://doi.org/10.1016/j.triboint.2012.11.011

  13. Pukha V., Popova J., Khadem M., Kim D.-E., Khodos I., Shakhmin A., Mishin M., Krainov K., Titov A., Karaseov P. // Springer Proceed. Phys. 2021. V. 255. P. 131. https://doi.org/10.1007/978-3-030-58868-7_15

  14. Pukha V.E. // Mater. Res. Express. 2014. V. 1. № 3. P. 035049. https://doi.org/10.1088/2053-1591/1/3/035049

  15. Pukha V.E. // J. Phys. D. 2013. V. 46. № 48. P. 485305. https://doi.org/10.1088/0022-3727/46/48/485305

  16. Lifshitz Y. // Phys. Rev. B. 1990. V. 41. № 15. P. 10468. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.41.10468

  17. Popok V.N. // Surf. Sci. Rep. 2011. V. 66. № 10. P. 347. https://doi.org/10.1016/j.surfrep.2011.05.002

  18. Postawa Z. // J. Phys. Chem. B. 2004. V. 108. № 23. P. 7831. https://doi.org/10.1021/jp049936a

  19. Pukha V.E. // J. Nanosci. Nanotechnol. 2007. V. 7. № 4–5. P. 1370. https://doi.org/10.1166/jnn.2007.458

  20. Малеев М.В., Зубарев Е.Н., Пуха В.Е., Дроздов А.Н., Вус А.С. // Металлофизика и новейшие технологии. 2015. Т. 37. № 6. С. 777. http://dspace.nbuv. gov.ua/handle/123456789/112255

  21. Chatterjee B., Bhowmik S. // Sustainable Engineering Products and Manufacturing Technologies. Academic Press, 2019. P. 199. https://doi.org/10.1016/B978-0-12-816564-5.00009-8

  22. Kaur M., Singh K. // Mater. Sci. Eng. C. 2019. V. 102. P. 844. https://doi.org/10.1016/j.msec.2019.04.064

  23. Kaivosoja E., Sainio S., Lyytinen J., Palomäki T., Laurila T., Kim S.I., Koskinen J. // Surf. Coat. Technol. 2014. V. 259. P. 33. https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2014.07.056

  24. Thompson C.H. // J. Neural Eng. 2020. V. 17. № 2. P. 021001. https://doi.org/10.1088/1741-2552/ab7030

  25. Dawson J.C., Adkins C.J. // J. Phys.: Condens. Matter. 1995. V. 7. P. 6297. https://doi.org/10.1088/0953-8984/7/31/013

  26. Pukha V.E., Pugachov A.T., Churakova N.P., Zubarev E.N., Vinogradov V.E., Nam S.C. // J. Nanosci. Nanotechnol. 2012. V. 12. Iss. 6. P. 4762. https://doi.org/10.1166/jnn.2012.4925

  27. Matveev V.N., Volkov V.T., Levashov V.I., Khodos I.I. // Inorgan. Mater. 2018. V. 54. № 3. P. 229. https://doi.org/10.1134/S002016851803010X

  28. Chen X., Wang X., Fang D. // Fuller. Nanotub. Carbon Nanostructures. 2020. V. 28. № 12. P. 1048. https://doi.org/10.1080/1536383X.2020.1794851

  29. Lesiak B. //Appl. Surf. Sci. 2018. V. 452. P. 223. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2018.04.269

  30. Ostrovskaya L.Y. // J. Nanosci. Nanotechnol. 2009. V. 9. № 6. P. 3665. https://doi.org/10.1166/jnn.2009.NS48

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска содержание выпуска

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал