Приборы и техника эксперимента, 2021, № 2, стр. 88-92

ИЗМЕРЕНИЕ ПРОФИЛЯ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ГРАНИЧНЫХ ЧАСТОТ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ПО ПЛОЩАДИ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

И. В. Фролов ab, В. А. Сергеев ab*, О. А. Радаев a

a Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
432071 Ульяновск, ул. Гончарова, 48/2, Россия

b Ульяновский государственный технический университет
432027 Ульяновск, ул. Северный венец, 32, Россия

* E-mail: sva@ulstu.ru

Поступила в редакцию 26.08.2020
После доработки 16.09.2020
Принята к публикации 17.09.2020

Аннотация

Описан аппаратно-программный комплекс, не имеющий аналогов в России и за рубежом, предназначенный для измерения распределения граничной частоты электролюминесценции по площади светоизлучающей гетеростуктуры (с.г.с.). Комплекс обеспечивает пространственное разрешение 0.65 мкм, верхний предел измерений 40 МГц и относительную погрешность 2%. Граничная частота электролюминесценции в локальных областях с.г.с. определяется по спаду в 1.19 раза яркости пикселей изображений с.г.с., полученных с помощью цифровой КМОП-камеры при пошаговом повышении частоты следования импульсов питающего с.г.с. тока со скважностью 2. Комплекс и способ измерения апробированы на коммерческих светодиодах зеленого свечения. Результаты измерения распределения граничной частоты могут быть использованы для оценки однородности с.г.с.

DOI: 10.31857/S0032816221010262

Список литературы

  1. Tian P., Edwards P.R., Wallace M.J., Martin R.W., McKendry J.J.D., Gu E., Dawson M.D., Qiu Z.-J., Jia C., Chen Z., Zhang G., Zheng L., Liu R. // Journal of Physics D: Applied Physics. 2017. V. 50. P. 075101. https://doi.org/10.1088/1361-6463/50/7/075101

  2. Gelžinytė K., Ivanov R., Marcinkevičius S., Zhao Y., Becerra D.L., Nakamura S., DenBaars S.P., Speck J.S. // Journal of Applied Physics. 2015. V. 117. P. 023111. https://doi.org/10.1063/1.4905854

  3. Peng Z., Lu Y., Gao Y., Chen G., Zheng J., Guo Z., Lin Y., Chen Z. // IEEE Photonics Journal. 2018. V. 10. P. 8201908. https://doi.org/10.1109/JPHOT.2018.2880319

  4. Li Y., Tang W., Zhang Y., Guo M., Li Q., Su X., Li A., Yun F. // Nanomaterials. 2019. V. 9. P. 633. https://doi.org/10.3390/nano9040633

  5. Jeong H., Jeong M.S. // Journal of Alloys and Compounds. 2016. V. 660. P. 480. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2015.11.151

  6. Lin Y., Tu Y., Wu T., Xiao Y., Peng Z., Lu Y., Chen Z. // Proc. SPIE 10554. Light-Emitting Diodes: Materials, Devices, and Applications for Solid State Lighting XXII. P. 1055416 (14 February 2018). https://doi.org/10.1117/12.2281120

  7. Meng X., Wang L., Hao Z., Luo Y., Sun C., Han Y., Xiong B., Wang J., Li H. // Appl. Phys. Letters. 2016. V. 108. P. 013501. https://doi.org/10.1063/1.4939593

  8. Шуберт Ф. Светодиоды / Под ред. А.Э. Юновича, М.: Физматлит, 2008.

  9. Monavarian M., Rashidi A., Aragon A.A., Nami M., Oh S.H., DenBaars S.P., Feezell D. // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 112. P. 191102. https://doi.org/10.1063/1.5032115

  10. David A., Grundmann M.J. // Appl. Phys. Letters. 2010. V. 96. P. 103504. https://doi.org/10.1063/1.3330870

  11. ГОСТ 18986.14–85. Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений. М.: ИПК Изд-во стандартов, 2004

  12. Сергеев В.А., Фролов И.В. Патент на изобретение № 2725613 РФ. // Бюл. № 19. Опубл. 03.07.2020.

  13. Zhao L.X., Zhu S.C., Wu C.H., Yang C., Yu Z.G., Yang H., Liu L. // Sci. China-Phys. Mech. Astron. 2016. V. 59. P. 107301. https://doi.org/10.1063/1.4993230

Дополнительные материалы отсутствуют.