Приборы и техника эксперимента, 2022, № 1, стр. 92-96
РАЗРАБОТКА ЗОНДОВОЙ СИСТЕМЫ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПЛАЗМЫ И РЕГИСТРАЦИИ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧНОЙ ЧАСТИ ФУНКЦИИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ
А. И. Сайфутдинов a, *, С. С. Сысоев b
a Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева – КАИ
42011 Казань, ул. Карла Маркса, 10, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет
199034 Санкт-Петербург, Университетская наб., 7/9, Россия
* E-mail: as.uav@bk.ru
Поступила в редакцию 19.07.2021
После доработки 22.08.2021
Принята к публикации 06.09.2021
- EDN: PKHEYR
- DOI: 10.31857/S0032816222010219
Аннотация
Разработана на основе внешнего модуля а.ц.п./ц.а.п. (а.ц.п. – аналого-цифровой преобразователь, ц.а.п. – цифроаналоговый преобразователь) зондовая система, которая позволяет определять все основные параметры плазмы постоянных и импульсных газовых разрядов. Ее управление осуществляется в операционной среде Windows с помощью программы, разработанной на языке С++. Зондовая система может быть использована для диагностики плазменных устройств, а также быть составной частью современных микроплазменных анализаторов газовых смесей.
ВВЕДЕНИЕ
Локальная диагностика неравновесной газоразрядной плазмы, позволяющая определять потенциал плазмы, концентрацию электронов, их температуру, а также функцию распределения электронов, является важнейшим экспериментальным этапом физики плазмы [1–11]. Она позволяет судить о правильности понимания процессов, протекающих в газоразрядной плазме, и прогнозировать свойства разрабатываемых генераторов плазмы и приборов на ее основе. Наиболее простым и надежным инструментом локальной диагностики плазмы является зонд Ленгмюра, представляющий собой небольшой металлический электрод, погруженный в плазму [1–6]. Зонд соединяется с источником питания, позволяющим поддерживать на нем различные потенциалы, как положительные, так и отрицательные. Измеряя ток, идущий при этом на зонд, мы получаем так называемую зондовую характеристику, дающую сведения о параметрах плазмы [1–6].
Необходимо отметить, что идеи зондовой диагностики плазмы, а именно измерение высокоэнергетичной части нелокальной функции распределения в плазменной области отрицательного свечения тлеющего разряда в буферном инертном газе с примесями, нашли применение и в основе разработки микроплазменных анализаторов газовых смесей [11–14].
На сегодняшний день существуют различные коммерческие зондовые системы, например система MFPA фирмы Plasma Sensors [15, 16], система Impedans [17] одноименной фирмы или система Hiden ESPION фирмы Hiden Analytical Ltd [18]. Они позволяют в режиме реального времени измерять зондовые характеристики и определять из них все основные параметры плазмы. Отметим, что системы Impedans и ESPION чувствительны к шумам при определении высокоэнергетичной части функции распределения электронов (ф.р.э.), что требует изготовления специальных фильтров, усилителей при комплексной диагностике газоразрядной плазмы [15, 19]. Кроме того, главным минусом всех вышеперечисленных систем являются чрезвычайная дороговизна и достаточно большие размеры, что исключает возможность их использования в качестве составных частей в микроплазменных газоанализаторах [10–14].
В связи с вышесказанным в работе была поставлена следующая цель – разработать компактную зондовую систему, позволяющую измерять зондовые характеристики и определять основные параметры плазмы, включая ф.р.э., в постоянных и импульсных газовых разрядах.
ОПИСАНИЕ ЗОНДОВОЙ СИСТЕМЫ
Зондовая система регистрации была разработана на основе внешнего модуля а.ц.п./ц.а.п. E14-140M компании L-CARD (а.ц.п. – аналого-цифровой преобразователь, ц.а.п. – цифроаналоговый преобразователь). Основные параметры этого модуля: а.ц.п. 14 бит до 200 кГц, 16/32 канала коммутации, поддиапазоны ±10 В, ±2.5 В, ±0.6 В, ±0.15 В для асинхронного и синхронного режимов сбора данных; ц.а.п. 16 бит, 2 канала ±5 В, до ±10 мА, до 200 кГц по каждому каналу; обеспечивается непрерывный сбор–выдача аналоговых данных а.ц.п.–ц.а.п.; асинхронный цифровой ввод 16 бит, вывод 16 бит данных. Блок-схема зондовой системы изображена на рис. 1. Источник зондового смещения использовал батарейное питание, гальваническая развязка осуществлялась посредством аналогового оптрона с высокой линейностью HCNR-200, на который напряжение поступало с одного из ц.а.п. Зондовый ток преобразовывался в напряжение с помощью операционного усилителя, чувствительность могла меняться программным образом во время измерений. Полученное напряжение поступало на вход одного из каналов а.ц.п.
Для работы в стационарном режиме в управляющей программе был использован метод накопления сигнала. Для этого в управляющем окне можно было установить время интегрирования. Все зондовые характеристики, измеренные во время интегрирования, усреднялись для получения одной результирующей зондовой вольт-амперной характеристики.
Для работы в импульсном режиме в схеме был задействован микроконтроллер ATmega 8535. Он задавал период импульсного разряда, длительность активной фазы, время открытия электронного коммутатора и время измерения в нужной фазе послесвечения. Все эти параметры устанавливались с персонального компьютера через цифровые выходы E14-140M.
Модуль E14-140M подключался к персональному компьютеру через USB-порт. Для данной системы регистрации была написана управляющая программа для операционной системы Windows на языке Си++. Она позволяла задавать параметры зондовой схемы и отображать вольт-амперную характеристику (в.а.х.), первую и вторую производные во время измерений и записывать результаты в текстовый файл. Первая и вторая производные определялись с помощью численного дифференцирования.
Разработанная программа позволяла определять все основные параметры плазмы. Так, на рис. 2 представлено окно управляющей программы, в режиме измерения в.а.х., ее первой и второй производной в плазме положительного столба тлеющего разряда в гелии в режиме послесвечения. Представлено нахождение температуры электронов, которая определялась по линейному участку зависимости логарифма первой производной зондового тока от потенциала зонда по формуле [1–5]
В случае измерения высокоэнергетичной части ф.р.э. в плазме послесвечения, а также в стационарной плазме отрицательного свечения тлеющего разряда в чистых инертных газах или с примесями возможно формирование узких пиков (максимумов) от электронов, рожденных в реакциях пеннинговской ионизации и ударов второго рода с участием метастабильных атомов инертного газа [1, 10]:
где ${{E}_{p}}$ и ${{E}_{f}}$ – энергии рождения быстрых электронов.Если рождающиеся в этих реакциях быстрые электроны не успевают изменить свою энергию за счет электрон-атомных и электрон-электронных столкновений и уходят на стенки в режиме свободной диффузии [20], то количество быстрых электронов, которое можно получить интегрированием ф.р.э., можно легко связать с концентрацией метастабильных атомов. Характерное время свободной диффузии электронов в случае цилиндрической геометрии разрядной трубки определяется выражением
(4)
$\tau _{{df}}^{{ - 1}} = {{D}_{e}}\left( {{{{\left( {\frac{{2.4}}{R}} \right)}}^{2}} + {{{\left( {\frac{\pi }{L}} \right)}}^{2}}} \right),$(6)
$f_{e}^{{}}(\varepsilon ) = \frac{{2\sqrt 2 }}{{S{{e}^{2}}}}\sqrt {\frac{m}{e}} \sqrt U \frac{{{{d}^{2}}{{i}_{e}}}}{{d{{U}^{2}}}}.$В данном выражении ${{i}_{e}}$ – электронный ток на зонд, U – потенциал зонда относительно потенциала плазмы, $S$ – площадь зонда, ${{f}_{e}}(\varepsilon )$ нормирована на концентрацию электронов. Таким образом, измерив ф.р.э., можно найти концентрацию метастабильных атомов и концентрацию электронов. Управляющая программа позволяет осуществлять данный расчет автоматически во время эксперимента, что иллюстрирует рис. 3.
На рис. 3 отображаются результаты регистрации пиков на высокоэнергетичной части ф.р.э. в тлеющем разряде в гелии при давлении 4.8 Торр, разрядном токе 8 мА, а также вычисленные значения концентрации метастабильных атомов гелия и концентрации электронов.
Далее приведем результаты сравнения вторых производных зондовых в.а.х., полученных в результате измерений, выполненных с помощью разработанной зондовой системы и системы MFPA фирмы Plasma Sensors [14, 15]. Так, на рис. 4 представлены зондовые в.а.х. и их вторые производные, полученные численным методом с помощью двух зондовых систем в тлеющем разряде в гелии с примесями воздуха.
В обоих случаях зарегистрированы пики от быстрых электронов на высокоэнергетичной части ф.р.э. Так, наблюдаются пики в диапазоне 19.8–20 эВ, что соответствует электронам, возникающим в суперупругих реакциях:
Кроме того, в обоих случаях хорошо выражены пики в областях 3.1 эВ, 4.2 эВ и 6.2 эВ. Они связаны с электронами, образующимися в реакциях пеннинговской ионизации молекул примеси метастабильными атомами гелия [13]:
(9)
$He({{2}^{3}}{{S}_{1}}) + {{N}_{2}} \to He + {{N}_{2}}{{(}^{2}}{{\Pi }^{ + }}) + e\{ 3.1\,эВ\} ,$(10)
$He({{2}^{3}}{{S}_{1}}) + {{N}_{2}} \to He + N_{2}^{ + }{{(}^{2}}{{\Sigma }^{ + }}) + e\{ 4.24\,эВ\} ,$(13)
$He({{2}^{3}}{{S}_{1}}) + {{O}_{2}} \to He + O_{2}^{ + }({{{v}}_{n}}) + e\{ 6.2{\kern 1pt} - {\kern 1pt} 7.0\,эВ\} .$Видно, что результаты практически совпадают, что свидетельствует о надежности разработанной зондовой системы.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Таким образом, разработана и реализована зондовая система, позволяющая в автоматическом режиме измерять все основные параметры плазмы, концентрации заряженных частиц, температуру электронов, а также ф.р.э. и по своей функциональности не уступающая коммерческим аналогам. При этом зондовая система является компактной, что важно для создания миниатюрных микроплазменных газоаналитических систем на ее основе.
Список литературы
Демидов В.И., Колоколов Н.Б., Кудрявцев А.А. Зондовые методы исследования низкотемпературной плазмы. М.: Энергоатомиздат, 1996.
Иванов Ю.А., Лебедев Ю.А., Полак Л.С. Методы контактной диагностики в неравновесной плазмохимии. М.: Наука, 1981.
Каган Ю.М., Перель В.И. // УФН. 1973. Т. 81. С. 409.
Чен Ф. Электрические зонды // Диагностика плазмы / Под ред. Р. Хаддлстоуна, С. Леонарда. М.: Мир, 1967.
Лебедев Ю.А. Введение в зондовую диагностику плазмы пониженного давления. М.: МИФИ, 2003.
Chen F.F. Langmuir probe analysis for high density plasmas. University of California, Los Angeles, LTP-006. 2000.
Горшунов Н.М., Потанин Е.П. // ПТЭ. 2018. № 4. С. 75. https://doi.org/10.1134/S0032816218040067
Кожухов С.А., Иванов В.Н., Шапошников А.Н., Котельников Д.В., Балугин Н.В., Перемежко Т.М. // ПТЭ. 2017. № 4. С. 130. https://doi.org/10.7868/S0032816217030211
Yuan C., Kudryavtsev A.A., Saifutdinov A.I., Sysoev S.S., Yao J., Zhou Zh. // Plasma Sources Science and Technology. 2019. V. 28 (6). P. 067001. https://doi.org/10.1088/1361-6595/ab2401
Руденко К.В., Мяконьких А.В., Орликовский А.А. // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 3. С. 206.
Колоколов Н.Б., Благоев А.Б. // УФН. 1993. Т. 163. С. 55.
Kudryavtsev A., Pramatarov P., Stefanova M., Khromov N. // JINST. 2012. V. 7. P. 07002. https://doi.org/10.1088/1748-0221/7/07/P07002
Yuan C., Kudryavtsev A.A., Saifutdinov A.I., Sysoev S.S., Stefanova M.S., Pramatarov P.M., Zhou Z. // Physics of Plasmas. 2018. V. 25. P. 104501. https://doi.org/10.1063/1.5026214
Saifutdinov A.I., Sysoev S.S. // Plasma Sources Science and Technology. 2021. V. 30 (1). P. 017001. https://doi.org/10.1088/1361-6595/abd61d
Godyak V.A., Alexandrovich B.M. // J. Appl. Phys. 2015. V. 118. P. 233302. https://doi.org/10.1063/1.4937446
http://www.plasmasensors.com/products.html#mfpa
Impedans Langmuir Probe Measurement System, Exploitation Manual, accessed on Aug. 26, 2016.
hidenanalytical.com/wp-content/uploads/2020/05/ESPion-pdf.pdf
Рябый В.А., Обухов В.А. // Прикладная физика. 2012. № 5. С. 46.
Tsendin L.D. // Plasma Sources Science and Technology. 1995. V. 4. P. 200. https://doi.org/10.1088/0963-0252/4/2/004
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Приборы и техника эксперимента