Радиотехника и электроника, 2023, T. 68, № 10, стр. 998-1002

Структура пленок алюминия для создания туннельных переходов

М. В. Стрелков ab*, А. М. Чекушкин a, А. А. Ломов c, С. В. Краевский d, М. Ю. Фоминский a, М. А. Тарасов a

a Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
125009 Москва, ул. Моховая, 11, стр. 7, Российская Федерация

b Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)
141701 Долгопрудный, Московской обл., Институтский пер., 9, Российская Федерация

c Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН
117218 Москва, Нахимовский просп. 36, корп. 1, Российская Федерация

d Научно-исследовательский институт биомедицинской химии им. В.Н. Ореховича
119121 Москва, ул. Погодинская, 10, стр. 8, Российская Федерация

* E-mail: strelkov.mv@phystech.edu

Поступила в редакцию 17.05.2023
После доработки 01.08.2023
Принята к публикации 03.08.2023

Аннотация

Проведен цикл исследований структуры пленок алюминия, напыленных на монокристаллические подложки кремния в разных температурных режимах. Микроскопом атомных сил исследована шероховатость и размер зерна пленок зародышей толщиной 20 нм, напыленных при повышенных температурах, а также допыленных поверх слоя зародыша при комнатной температуре до толщины 150 нм. Измерен профиль пленок в электронном микроскопе. Найдено, что пленки на горячем подслое оказываются более гладкими, более жесткими (менее рыхлыми) и позволяют рассчитывать на создание переходов сверхпроводник–изолятор–сверхпроводник и сверхпроводник–изолятор–нормальный металл соответственно с более высокой плотностью тока и меньшей емкостью.

Список литературы

  1. Rodionov I., Baburin A., Gabidullin A., et al. // Sci. Rep. 2019. V. 9. Article No. 12232.

  2. Greibe T., Stenberg M., Wilson C. et al. // Phys. Rev. Lett. 2011. V. 106. № 9. Article No. 097001.

Дополнительные материалы отсутствуют.