1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Радиотехника и электроника
  4. T. 68, № 5, 2023

Радиотехника и электроника, 2023, T. 68, № 5, стр. 461-469

Особенности образования и роста тонких пленок золота на поверхности арсенида галлия при термическом испарении в вакууме

Т. А. Брянцева a, *, В. Е. Любченко a, Д. В. Любченко b, И. А. Марков a, Ю. А. Тен a

a Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
141120 Фрязино, Московской обл., пл. Введенского, 1, Российская Федерация

b Department of Micro and Nanosystems, KTH Royal Institute of Technology
SE-100 44 Stockholm, Malvinas väg 10, Sweden

* E-mail: bryantseva44@mail.ru

Поступила в редакцию 07.04.2022
После доработки 14.06.2022
Принята к публикации 25.06.2022

Аннотация

Проведены исследования изменения морфологии и структуры поверхности GaAs при осаждении пленки Au путем термического испарения в вакууме. Обнаружено, что осаждение пленки Au с участием потока частиц и света от разогретого испарителя вызывает возникновение фотоэффектов в приповерхностных слоях GaAs, включая дифракцию света на поверхностных акустических волнах, рост вискеров и эмиссию электронов, что приводит к образованию микротрещин на поверхности GaAs и росту кристаллитов GaAs. Показано, что структура и состав границ пленки Au и поверхности GaAs зависят от концентрации электронов в арсениде галлия, что в конечном итоге определяет свойства электрофизических параметров контактов Au – GaAs.

Список литературы

  1. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. М.: Высш. шк., 1987.

  2. Гладков С.О. Физика композитов. Термодинамические и диссипативные свойства, М.: Наука, 1999.

  3. Брянцева Т.А., Любченко Д.В., Марков И.А., Тен Ю.А. // Журн. радиоэлектроники. 2019. № 6. http://jre.cplire.ru/jre/jun19/9/text.pdf.

  4. Брянцева Т.А., Любченко Д.В., Любченко В.Е. и др. // ФТП. 2014. Т. 48. № 2. С. 196.

  5. Брянцева Т.А., Любченко В.Е., Любченко Д.В. и др. // РЭ. 2009. Т. 54. № 5. С. 621.

  6. Lioubtchenko D.V., Briantseva T.A., Lebedeva Z.M. et al. // Defect and Diffusion Forum. 2001. V. 194–199. P. 745.

  7. Брянцева Т.А., Марков И.А., Тен Ю.А. // РЭ. 2021. Т. 66. № 5. С. 490.

  8. Физический энциклопедический словарь. М.: Сов. энциклопедия, 1983.

  9. Laser Annealing of Semiconductors / Eds. by J.M. Poate, J.W. Mayer. N. Y.: Academic, 1982.

  10. Арсенид галлия в микроэлектронике / Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988.

  11. Брянцева T.А., Любченко В.Е., Юневич Е.О. // РЭ. 1987. Т. 10. № 11. С. 2231.

  12. Физические величины. Справочник. Под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова М.: Энергоатомиздат,1991.

  13. Кристи Р., Питти А. Строение вещества: введение в современную физику. М.: Наука, 1969.

  14. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.

  15. Фролов Ю.Г. Курс коллоидной химии. Поверхностные явления и дисперсные системы. М.: Химия, 1982.

  16. Тонких А.А., Цырлин Г.Э., Самсоненко Ю.Г. и др. // ФТП. 2004. Т. 38. № 10. С. 1260.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Радиотехника и электроника

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал