1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Химия высоких энергий
  4. T. 57, № 5, 2023

Химия высоких энергий, 2023, T. 57, № 5, стр. 390-395

Исследование процесса плазмохимического осаждения тонких пленок системы (ALxGA1 – x)2O3

Л. А. Мочалов a, М. А. Кудряшов a, И. О. Прохоров a, М. А. Вшивцев a, *, Ю. П. Кудряшова a, А. В. Князев a

a Университет Лобачевского
603950 г. Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23, Россия

* E-mail: mvshivtcev@mail.ru

Поступила в редакцию 03.03.2023
После доработки 16.05.2023
Принята к публикации 19.05.2023

Аннотация

Впервые был исследован процесс получения тонких пленок β-Ga2O3, легированных Al, состава (AlxGa1 – x)2O3 плазмохимическим осаждением из газовой фазы (PECVD). Металлический высокочистый галлий, йодид алюминия (AlI3), а также высокочистый кислород использовали в качестве прекурсоров. Низкотемпературная плазма при пониженном давлении (0.01 Торр) являлась инициатором химических превращений между исходными веществами. Процесс плазмохимического осаждения был исследован методом оптической эмиссионной спектроскопии (ОЭС) в диапазоне 180–1100 нм. Полученные тонкие пленки системы (AlxGa1 – x)2O3 с содержание фазы Al2O3 до 20% были исследованы различными аналитическими методами.

Ключевые слова: тонкие пленки, оксид галлия, оксид алюминия

Список литературы

  1. Ahmadi E., Oshima Y. // J. Appl. Phys. 2019. V. 126. № 16. P. 160901.

  2. Peelaers H., Lyons J.L., Varley J.B., Van de Walle C.G. // APL Mater. 2019. V. 7. № 2. P. 022519.

  3. Oshima T., Kato Y., Kawano N., Kuramata A., Yamakoshi S., Fujita S., Oishi T., Kasu M. // APEX. 2017. V. 10. № 3. P. 035701.

  4. Zhang Y., Neal A., Xia Z., Joishi C., Johnson J.M., Zheng Y., Bajaj S., Brenner M., Dorsey D., Chabak K., Jessen G., Hwang J., Mou S., Heremans J.P., Rajan S. // Appl. Phys. Lett. 2018. V. 112. № 17. P. 173502.

  5. Olivier J. and Poirier R. // Surf. Sci. 1981. V. 105. P. 347.

  6. Ishizawa N., Miyata T., Minato I., Marumo F., Iwai S. // Acta Crystallogr, B. 1980. V. 36. P. 228.

  7. Hill V.G., Roy R., Osborn E.F. // J. Am. Ceram. Soc. 1952. V. 35. P. 135.

  8. Jaromin A.L., Edwards D.D. // J. Am. Ceram. Soc. 2005. V. 88. P. 2573.

  9. Kaun S.W., Wu F., Speck J.S. // JVST A. 2015. V. 33. P. 041508.

  10. Horie R. // J. Alloys Compd. 2021. V. 851. P. 156927.

  11. Lee H., Liu J., Lee C. // IEEE Photon. Technol. Lett. 2018. V. 30. P. 549.

  12. Wang X., Chen Z., Zhang F., Saito K., Tanaka T., Nishio M., Guo Q. // AIP Advances. 2016. V. 6. P. 015111.

  13. Zhang F., Saito, K. Tanaka T., Nishio M., Arita M., Guo Q. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. P. 162107.

  14. Bhuiyan A F M A. U., Feng Z., Johnson J.M., Huang H.-L., Sarker J., Zhu M., Karim M.R., Mazumder B., Hwang J., Zhao H. // APL Mater. 2020. V. 8. P. 031104.

  15. Mochalov L.A., Logunov A.A., Kudryashov M.A. // Journal of Physics: Conference Series, 2021. V. 1967. № 1. P. 012037.

  16. Mochalov L., Logunov A., Gogova D., Letnianchik A., Vorotyntsev V. // Optical and Quantum Electronics. 2020. V. 52. P. 510.

  17. Mochalov L., Logunov A., Kudryashov M., Prokhorov I., Sazanova T., Yunin P., Pryakhina V., Vorotuntsev I., Malyshev V., Polyakov A., Pearton S.J. // J. Solid State Sci. Technol. 2021. V. 10. P. 073002.

  18. Logunov A., Mochalov L., Gogova D., Vorotyntsev V. // International Conference on Transparent Optical Networks. 2019.

  19. Mochalov L., Logunov A., Vorotyntsev V. // Sep. Purif. Technol. 2021. V. 258. P. 118001.

  20. Mochalov L., Logunov A., Kitnis A., Gogova D., Vorotyntsev V. // Sep. Purif. Technol. 2020. V. 238. P. 116446.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Химия высоких энергий

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал