Физикохимия поверхности и защита материалов, 2019, T. 55, № 4, стр. 339-345

Расчет поверхностной энергии металлов: согласование термодинамической вакансионной модели (TVM) с теорией из первых принципов (DFT)

Ю. Я. Андреев 1*, А. В. Терентьев 1

1 Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”
Москва, Ленинский проспект, 4, Россия

* E-mail: yuandr@rambler.ru

Поступила в редакцию 30.11.2018
После доработки 19.01.2019
Принята к публикации 07.02.2019

Полный текст (PDF)

Аннотация

Термодинамическая вакансионная модель (TVM) поверхностной энергии (ПЭ) приводит к формуле линейной зависимости минимальной величины ПЭ низкоиндексной грани ГЦК(111) и ОЦК(110) против 1/2 энергии образования вакансий или 1/6 энергии когезии металлов. Сравнение численных величин ПЭ рассчитанных методом TVM с расчетными DFT для тех же граней показывает отрицательные отклонения последних (от 2 до 17%). Используя величины этих отклонений рассчитана релаксация поверхностной энергии металлов с максимальной величиной для Au и Pt и минимальной – для Ag и Pd.

Ключевые слова: металлы, поверхностная энергия, энергия когезии, энергия образования вакансий, релаксация поверхностной энергии

1. ВВЕДЕНИЕ

Поверхностная энергия (ПЭ) металлов в твердом состоянии около 200 лет рассматривалась по аналогии с жидкостью как поверхностное натяжение. Для кристалла более приемлемо определение ПЭ как работы, необходимой для образования единицы площади новой поверхности обратимым способом путем расщепления кристалла при постоянных термодинамических параметрах Т и Р [1]. Это определение ПЭ как энергии образования поверхности путем раскалывания (cleavage) кристалла по выбранным кристаллографическим плоскостям (hkl) свойственно методам DFT (density functional theory) [25]. Однако это определение относится, в большей степени, к методу исследования ПЭ, так как сама поверхность вещества образуется самопроизвольно со свойствами, отличающимися от его объема. Гиббс [6] ввел понятие избытка основных термодинамических функций состояния для фазы поверхностного слоя (ПС) относительно объемной фазы, а именно избытка внутренней энергии ΔUS и избытка энтропии ΔSS, и тем самым определил избыток свободной энергии ΔGS образования ПС, в частности, при T, P = const как

(1.1)
${\Delta {{G}_{{\text{S}}}} = \Delta {{U}_{{\text{S}}}} - T\Delta {{S}_{{\text{S}}}} + P\Delta {{V}_{{\text{S}}}}},$
где величина ΔGS относится к одному молю вещества, содержащемуся в ПС. Исходя из толщины ПС в один атомный слой, площадь А поверхности грани (hkl) выражают как [м2/моль], а удельную поверхностную энергию σ = ΔGS/A как [Дж/м2]. В теоретической физике, переходя от энергии моля (атомов) вещества к энергии одного моля электронов, используют размерность ΔGS [эВ/атом].

Термодинамическая вакансионная модель (ТVМ) поверхностной энергии металлов [711] вводит представление о существовании избытка атомных вакансий в ПС металла по сравнению c его объемом, принимая, что мерой избытка поверхностной энергии металла является избыточная величина химического потенциала µV(S) вакансий в ПС относительно его величины µV(b) в объеме [9, 10]

(1.2)
${{\Delta }{{U}_{{\text{S}}}} = - \frac{{\left( {{{{\mu }}_{{A{\text{(S)}}}}} - {{{\mu }}_{{A{\text{(b)}}}}}} \right)}}{{{{N}_{{V{\text{(S)}}}}}}} = \left( {{{{\mu }}_{{V{\text{(S)}}}}} - {{{\mu }}_{{V{\text{(b)}}}}}} \right).}$

Эта формула указывает на существования такого равновесия между ПС и объемом металла, при котором химический потенциал атома µA(S) в ПС снижается относительно его величины µA(b) в объеме, но это снижение компенсируется повышением в ПС химического потенциала вакансий относительно его величины µV(b) в объеме.

Для сравнения, в методе FCD (full charge density) [4], основанном на принципах DFT, величина свободной избыточной энергии γ при T = 0 K (она соответствует обозначению ΔUS в (1.2)) рассчитывается как разность между общей энергией Na атомов плюс NV пустых сфер в поверхностной области (2D) относительно энергии, приходящейся на атом в объеме (3D) взятой Na раз:

(1.3)
${{\gamma } = E_{{{\text{2D}}}}^{{{\text{FCD}}}}{\text{(}}{{N}_{{\text{a}}}} + {{N}_{V}}{\text{)}} - {{N}_{{\text{a}}}}E_{{{\text{3D}}}}^{{{\text{FCD}}}}}.$

Феноменологические формулы (1.2) и (1.3) указывают на общность подходов в определении ПЭ как избытка энергии квазичастиц (атомов и электронных пустых сфер (вакансий) в методе DFT [4] и атомных вакансий в методе TVM [79] в поверхностном слое (ПС) относительно их энергии в объеме металла. Вместе с тем, применение методов DFT для расчета ПЭ металлов имеет тот существенный недостаток, что достоверность результатов расчета приходится определять их сравнением с экспериментальными величинами ПЭ, точность которых сильно зависит от метода измерения [12]. Кроме полезности анализа согласования указанных теорий, сравнение результатов расчета ПЭ металлов методами DFT и TVM позволило получить новые данные о различии в поверхностных свойствах отдельных металлов.

2. ПОВЕРХНОСТНАЯ ЭНЕРГИЯ ГЦК И ОЦК МЕТАЛЛОВ КАК ФУНКЦИЯ ЭНЕРГИИ КОГЕЗИИ АТОМОВ И ЭНЕРГИИ ОБРАЗОВАНИЯ ВАКАНСИЙ В ОБЪЕМЕ МЕТАЛЛА

В основе TVM лежит представление об определяющей роли энергии образования атомных вакансий в объеме металла $\Delta H_{{V({\text{S}})}}^{f}$ для поверхностной энергии US(hkl) низкоиндексной грани металла. Кроме того, что особенно важно, вводится понятие энергии образования вакансий в ПС металла с величиной $\Delta H_{{V({\text{S}})}}^{f}.$ Вопрос о методе расчета энергии образования атомных вакансий в металлах, несмотря на заметные успехи DFT [13, 14], остается открытым. Поэтому в некоторых работах DFT [5], так и в TVM [710] отдают предпочтение полуэмпирическим методам оценки энергии образования атомных вакансий в металлах.

Основной метод расчета ПЭ металла в работах TVM [7, 8] состоит в оценке величины энергии разрушенных (broken) атомных связей при образовании вакансий в объеме и в ПС кристалла. В последующем развитии TVM [9, 10] используется адсорбционный метод Гиббса [6]. При этом следует иметь в виду, что энергия Гиббса образования вакансии в объеме обычно рассчитывается из условия выхода атома на поверхность металла (вакансия как дефект Шоттки) [15]. Отсюда получают формулу энергии Гиббса образования вакансии

(2.1)
${{\Delta }{{G}_{V}} = {\Delta }H_{V}^{f} - T\left( {\Delta S_{{{\text{vib}}}}^{f} - \Delta S_{{{\text{con}}}}^{f}} \right)},$
где ${{\Delta }H_{V}^{f}},$ ${{\Delta }S_{{{\text{vib}}}}^{f}}$ и ${{\Delta }S_{{{\text{con}}}}^{f}}$ – изменение энтальпии образования, вибрационной и конфигурационной энтропии, соответственно.

Отметим, что в этом случае пренебрегают энергией связи атома с поверхностью. Если же рассматривать эту энергию как энергию адсорбции атома на поверхности, то переходим к случаю поверхностной энергии Гиббса образования межфазного слоя, в котором адсорбируются как атомы (А), так и вакансии (V) [9, 10]

(2.2)
${{\Delta \sigma } = - {{{\text{Г }}}_{А }}d{{{\mu }}_{A}} - {{{\text{Г }}}_{V}}d{{{\mu }}_{V}}}.$

Это уравнение стало исходным для вывода уравнения (1.2) в [9], а последнее используется для вывода расчетных формул TVM (ниже). В обоснование уравнения (2.2) отметим, что Гиббс выдвинул принцип статистического равновесия в системах (фазах), состоящих из молекул, с тенденцией возможного перехода различных сортов молекул из одной системы в другую [6]. Этот принцип был использован в [9, 10] при анализе равновесия между ПС и объемом металла. В качестве частиц, определяющих это межфазное равновесие, было предложено рассматривать атомы, которые переходят из объема (b) в ПС, образуя вакансии V(b) в объеме, а сами атомы становятся поверхностными атомами (адатомами) Me-ad. Этот подход согласуется с известной TLK моделью Kossel (1927) и Stranski (1928) структуры ПС металла, включающей террасы, кинки и адатомы.

По отношению к вакансиям в объеме металла их величину NV(S) в ПС мы определяем как положительную автоадсорбцию поверхностных вакансий (ПВ), которая согласуется с убылью химического потенциала атомов в ПС (правая часть уравнения (1.2)). Автоадсорбцию вакансий удобно рассмотреть в рамках закона распределения Больцмана, используя аналогию адсорбции молекул газа на поверхности металла. Мольная доля вакансий определяется приближенно (без учета энтропийного фактора) положительной величиной энтальпии их образования соответственно в объеме ${{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}$ и в ПС ${{\Delta }H_{{V{\text{(S)}}}}^{f}}$ металла как:

(2.3)
${{{N}_{{V{\text{(b)}}}}} = {\text{exp}}\left( { - \frac{{{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}}{{RT}}} \right)},$
(2.4)
${{{N}_{{V{\text{(S)}}}}} = {\text{exp}}\left( { - \frac{{{\Delta }H_{{V{\text{(S)}}}}^{f}}}{{RT}}} \right)}.$

Низкая концентрация вакансий в каждой фазе позволяет использовать выражения для химических потенциалов квазичастиц (вакансий) в идеальных растворах:

(2.5)
${{{{\mu }}_{{V{\text{(b)}}}}} = {\mu }_{V}^{{\text{0}}} + RT{\text{ln}}{{N}_{{V{\text{(b)}}}}}},$
(2.6)
${{{{\mu }}_{{V{\text{(S)}}}}} = {\mu }_{V}^{{\text{0}}} + RT{\text{ln}}{{N}_{{V{\text{(S)}}}}}}.$

Далее, используя (1.2) и (2.3)–(2.6), получим выражение:

(2.7)
${{\Delta }{{U}_{{\text{S}}}} = RT{\text{ln}}\frac{{{{N}_{{V{\text{(S)}}}}}}}{{{{N}_{{V{\text{(b)}}}}}}} = {\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f} - {\Delta }H_{{V{\text{(S)}}}}^{f}},$
которое в явной форме показывает, что величина поверхностной энергии ΔUS > 0 определяется избытком вакансий в ПС относительно их концентрации в объеме металла в виде NV(S) > NV(b). Для сравнения, в физике поверхностей металлов методом дифракции электронов с низкой энергией (LEED) фиксируют сближение положения атомов внутри ПС (явление поверхностной релаксации) [16, 17], что можно объяснить образованием избытка вакансий в ПС металла. Формулы (1.2) и (2.7) выражают суть термодинамической вакансионной модели (ТVМ) поверхностной энергии металлов [9, 10], но они не позволяют рассчитать величину ΔUS, т.к. единственной известной величиной в уравнении (2.7) является экспериментальная величина $\Delta H_{V}^{f}$ металлов [18].

Заметим, что в качестве меры термодинамической прочности межатомных связей в кристалле часто принимают величину стандартной энтальпии сублимации [12]. Например, в объеме ГЦК кристалла, где у каждого атома имеется 12 связей, однократный учет энергии когезии Ecoh атома дает величину энергии единичной связи атома со своими соседями:

(2.8)
${{{{\varepsilon }}_{{{\text{coh}}}}} = - \frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{\text{6}}} = \frac{{{\Delta }E_{{{\text{sub}}}}^{{\text{0}}}}}{{\text{6}}}}.$

Однако в ТVМ учитывается, что сублимация атома из решетки металла согласно Damask и Diens [19] является вместе с тем актом образования вакансии, в окрестности которой происходит релаксация энергии атомных связей с выигрышем в энергии релаксации за счет самопроизвольного перераспределения электронов и атомов вокруг образовавшейся вакансии. Отсюда в ТVМ принимается, что происходит снижение энергии образования вакансии относительно энергии сублимации атома (или энергии когезии), а мерой этого снижения является величина коэффициента релаксации энергии rMe разрушенных (broken) атомных связей в кристалле металла [7, 8]:

(2.9)
${{{r}_{{{\text{Me}}}}} = \frac{{{\Delta }H_{{{\text{sub}}}}^{{\text{0}}}}}{{{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}} = \frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}}}.$

Имея в виду, что в физике металлов расчеты величины энергии образования вакансий обычно относят к Т = 0 К, в уравнении (2.9) используется величина энергии когезии атома Есoh по модулю. Далее мы сравниваем cоотношение (2.9) с результатами компьютерных расчетов Medasani с соав. [5] того же соотношения для 34 металлов, полученного из сравнения теоретического расчета величин ${{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}$ (в обозначении авторов как Ef) и Ecoh посредством DFT c использованием ряда функционалов приближения типа LDA, GGA и ряда других. Ориентиром для сравнительного анализа служило известное соотношение экспериментальных величин [19]:

(2.10а)
${{{E}_{f}} = \frac{{\text{1}}}{{\text{3}}}{{E}_{{{\text{coh}}}}}}$
или в нашем обозначении как

(2.10b)
${{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f} = \frac{{\text{1}}}{{\text{3}}}{{E}_{{{\text{coh}}}}}}.$

Графики теоретических зависимостей Ef от Ecoh, представленные в работе [5] для металлов с ГЦК, ОЦК и ГПУ структурой, демонстрируют их линейный наклон от 0.31 до 0.38 для различных функционалов, что удовлетворяет эмпирическому соотношению (2.10).

Тогда в согласии с TVM и формулой (2.9) в качестве меры энергии разрушенной единичной атомной связи наряду с энергией когезии можно взять единичную энергию образования вакансии εV(b)в объеме металла с величиной коэффициента релаксации энергии rMe(b) = 3 для металлов с кубической структурой в виде

(2.11а)
${{{{\varepsilon }}_{{V{\text{(b)}}}}} = \frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{{{r}_{{{\text{Me(b)}}}}}{\text{(}}{{{{z}_{{\text{b}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{z}_{{\text{b}}}}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}{\text{)}}}} = \frac{{{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}}{{{{{{z}_{{\text{b}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{z}_{{\text{b}}}}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}}}}.$

Однако единичная энергия образования вакансии непосредственно в ПС металла может быть другой – со специфическим коэффициентом релаксации rMe(S), и тогда ее величину определим как

(2.11b)
${{{{\varepsilon }}_{{V{\text{(S)}}}}} = \frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{{{r}_{{{\text{Me(S)}}}}}{\text{(}}{{{{z}_{{\text{b}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{z}_{{\text{b}}}}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}{\text{)}}}}}.$

Вначале рассмотрим Приближение-1, где мы допускаем, что эта величина одинакова для атомных связей в объеме и в ПС металла, т.е.

(2.12)
${{{{\varepsilon }}_{{V{\text{(b)}}}}} = {{{\varepsilon }}_{{V{\text{(S)}}}}}}.$

Для принятой модели свободной поверхности монокристалла ГЦК-металла со структурными элементами TLК-модели энергия адсорбции адатома по Kaishev-Stranski определяется числом zad ближайших соседей адатома на низкоиндексных плоскостях (111), (100) и (110), равным соответственно 3, 4 и 5. Похожий подход моделирования энергии образования адатомов мы встречаем у Stoltze [21], но с использованием метода DFT. Заметим, что ПЭ как энергия адсорбции атома определяется затратами на разрушение (или на образование – с обратным знаком) его связи с поверхностью. Однако будет неправильно считать, что эта энергия является средней величиной энергий связи всех поверхностных атомов. Энергетически более вероятно, что разрушение идет через отрыв адатомов с наименьшим количеством связей с поверхностью.

Отсюда минимум избытка поверхностной энергии низкоиндексной грани ΔUS(hkl) принимается равным избыточной энергии образования адатомов ${{\Delta }H_{{{\text{ads}}}}^{f}{\text{(}}hkl{\text{)}}},$ взятой со знаком “минус”, а величина последней в свою очередь определяется величиной zad(hkl) адатома и величиной единичной энергии его связи εad с поверхностью, т.е. как

(2.13)
${{\Delta }{{U}_{{\text{S}}}}{\text{(}}hkl{\text{)}} = - {\Delta }H_{{{\text{ads}}}}^{f}{\text{(}}hkl{\text{)}} = {{z}_{{{\text{ad}}}}}{\text{(}}hkl{\text{)}}{{{\varepsilon }}_{{{\text{ad}}}}}}.$

Далее мы принимаем, что прочность этой связи определяется энергией парного взаимодействия между адатомом и поверхностной вакансией (ПВ) как

(2.14)
${{{{\varepsilon }}_{{{\text{ad}}}}} = - {{{\varepsilon }}_{{V{\text{(S)}}}}}}.$

С идеей существования некоторого эмпирического соотношения между энергией когезии атомов и “призрачной” (“ghost”) энергией связи EAV между атомом и вакансией и с его приближенным расчетом можно ознакомиться в работе Doyama и Koehler [22]. Кроме того, соотношение (2.14) признает существование по Тaylor [23] “активных центров” на поверхности твердого тела, связанное с дефектами кристаллической решетки – вакансиями. Тогда вместо адсорбции собственных атомов (self-adsorption) можно реально наблюдать адсорбцию “чужих” атомов, замещающих адатомы. Например, метод STM позволил прямое видение (direct view) диффузии атомов кобальта на поверхности Co/Cu(111), сопровождаемой коалесценцией островков вакансий (vacancy islands) [24]. Здесь, согласно равенству (2.14), избыточная энергия разрушенных связей (broken bonds) в форме энергии вакансий превращается в энергию адсорбции атомов.

Далее, не обладая знанием абсолютных величин εad или εV(S) будем придерживаться Приближения-1, т.е. учитывать равенство (2.12). Тогда используя уравнение (2.13) подстановкой εV(b) вместо εad получим

(2.15)
${{\Delta }{{U}_{{\text{S}}}}{\text{(}}hkl{\text{)}} = - {\Delta }H_{{{\text{ads}}}}^{f}{\text{(}}hkl{\text{)}} = {{z}_{{{\text{ad}}}}}{\text{(}}hkl{\text{)}}{{{\varepsilon }}_{{V{\text{(b)}}}}}}.$

Окончательно, после подстановки величины εV(b) из (2.11а) в уравнение (2.15) получается формула TVM для расчета поверхностной энергии низкоиндексной грани (hkl) ГЦК и ОЦК металлов при T = 0 К в рамках Приближения-1:

(2.16)
${{\Delta }{{U}_{{\text{S}}}} = {{z}_{{{\text{ad}}}}}\frac{{{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}}{{{{{{z}_{{\text{b}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{z}_{{\text{b}}}}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}}} = {{z}_{{{\text{ad}}}}}\frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{{{r}_{{{\text{Me(b)}}}}}{\text{(}}{{{{z}_{{\text{b}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{z}_{{\text{b}}}}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}{\text{)}}}}}.$

Формула (2.16) как ключевой продукт TVM учитывает глубокую релаксацию атомных связей в кристалле, вызванную самопроизвольным образованием вакансий с величиной rMe(b) = rMe(S) = 3 как в объеме, так и в ПС металла. Кроме того, она показывает, что минимум поверхностной энергии ГЦК(111) и ОЦК(110) граней металлов определяется величиной энергии образования поверхностной вакансии ${{\Delta }H_{{V{\text{(S)}}}}^{f}},$ которая должна быть вдвое меньше по сравнению с ${{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}$(это следует из подстановки соответствующих величин zad и zb в ур. (2.16) для вышеуказанных граней), т.е.

(2.16a)
${{\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}{\text{(}}hkl{\text{)}} = {\Delta }H_{{V{\text{(S)}}}}^{f} = {{{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}}.$

Очевидно, имеется альтернатива в методе расчета величины ΔUS по уравнению (2.16). Можно использовать величину ${{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}$ для расчета поверхностной энергии металлов, но такой метод ограничен большими ошибками определения экспериментальной величины ${{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}.$ Поэтому для дальнейшего анализа уравнения (2.16) мы использовали его правую часть, которая определяет соотношение между величинами энергии когезии атомов Ecoh и поверхностной энергией ΔUS(hkl) низкоиндексной грани, рассчитанными исключительно методами DFT. С другой стороны, наиболее вероятным является образование грани с минимальной энергией ΔUS(111) для ГЦК металлов (zb = 12, zad = 3) и ΔUS(110) для ОЦК металлов (zb = 8, zad = 2). Отсюда, подставляя в (2.16) численные значения zb и zad для соответствующей структуры металла, а также величину коэффициента релаксации энергии образования вакансий rMe(b) = 3, получим новое соотношение, которое объединяет подходы DFT и TVM:

(2.17)
${{\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}{\text{(}}hkl{\text{)}} = \frac{{\text{1}}}{{\text{6}}}{{E}_{{{\text{coh}}}}}}.$

Оно не совпадает с формулой, вытекающей из параболического соотношения, предлагаемой теорией DFT [2], но удовлетворяет эмпирической зависимости поверхностной энергии ряда металлов от теплоты сублимации с наклоном, равным 0.16 [12] против 0.167 для уравнения (2.17).

Далее, мы использовали соотношение (2.17), чтобы сравнить результаты расчета величины ΔUS(hkl), которые получаются при использовании численных величин энергии когезии металлов Ecoh, взятых из [5], с одной стороны, и табличных данных по минимальной поверхностной энергии соответствующей грани металла ΔUS(hkl) по Vitos c соав. [4], с другой (рис. 1).

Рис. 1.

Теоретическая зависимость TVM поверхностной энергии ${\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}$ (прямая линия) граней ГЦК(111) или ОЦК(110) относительно энергии когезии Ecoh данного металла по уравнению (2.17) в сравнении с расчетными величинами (точки) поверхностной энергии ΔUS(111) или ΔUS(110), взятых из [4], и энергии когезии Ecoh данного металла, рассчитанной методом LDA [5].

Важно, что исходные величины, взятые для этого сравнения (табл. 1, 2) рассчитаны одним функционалом LDA [5] и LDA-GGA [4]. Оказалось, что для каждого металла табличное значение (см. также точки на рис. 1) не совпадает с ожидаемой величиной по уравнению (2.17) (см. прямая линия, рис. 1), т.е. для каждого металла имеется отклонение δΔUS (см. табл. 1, 2) от величины, требуемой зависимостью (2.17), в виде

(2.18)
${{\delta (\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}{\text{)}} = \frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{\text{6}}} - {\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}}.$
Таблица 1.

Результаты термодинамического расчета абсолютной величины релаксации поверхностной энергии $\delta \left[ {{\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}} \right]$ по формуле (2.18) и коэффициента поверхностной релаксации rMe(S) грани ГЦК(111) по формуле (2.20)

ГЦК ΔUS(111), эВ Ecoh, эВ $\delta \left[ {\Delta U_{{\text{S}}}^{{\min }}} \right],$ эВ rMe(S)
Ag 0.553 3.61 –0.049 3.26
Al 0.531 4.01 –0.137 3.78
Au 0.611 4.29 –0.104 3.51
Cu 0.707 4.5 –0.043 3.18
Ni 0.695 4.44 –0.045 3.19
Pd 0.824 5.06 –0.019 3.04
Pt 1.004 7.1 –0.179 3.54
Таблица 2.

Результаты термодинамического расчета абсолютной величины релаксации поверхностной энергии $\delta \left[ {{\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}} \right]$ по формуле (2.18) и коэффициента поверхностной релаксации rMe(S) грани ОЦК(110) по формуле (2.20)

ОЦК ΔUS(110), эВ Ecoh, эВ $\delta \left[ {{\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}} \right],$ эВ rMe(S)
Cr 1.258 6.54 0.335 2.2
Fe 0.978 6.53 –0.11 3.34
Mo 1.534 8.14 0.177 2.65
Nb 1.32 8.43 –0.085 3.19
Ta 1.531 9.64 –0.076 3.15
V 1.312 6.66 0.202 2.54
W 1.806 11.81 –0.162 3.27

В табл. 1 и 2 сопоставлена разница ${{\delta }\left( {{\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}} \right)}$ между величиной поверхностной энергии грани ГЦК(111) или ОЦК(110) металла, вычисленной по уравнению (2.17) в рамках модели TVM, и величиной ΔUS(hkl) по расчету DFT [4] для тех же граней.

Из графика рис. 1 видно, что для большинства металлов расчетные значения минимума поверхностной энергии ΔUS(hkl) [4] оказываются меньше, чем расчетные – по формуле (2.17). Эту разницу можно объяснить тем, что при выводе последней использовали допущение (2.12) одинаковой релаксации энергии атомных связей при образовании вакансии в объеме и в ПС (Приближение-1), которое, очевидно, является линейным приближением (2.17) в приведенном расчете. Отметим, что фиксируемые отклонения от (2.17) согласуется с представлениями физики поверхности о существовании поверхностной релаксации в виде смещения крайней (top) поверхностной плоскости относительно – нижележащих в объеме металла [2, 17]. Поэтому в рамках вакансионной модели как Приближение-2 мы отличаем коэффициент релаксации энергии при образовании вакансии в ПС металла rMe(S) формулой (2.11b). Очевидно, использование последней в уравнении (2.15) вместо формулы (2.11а) дает разницу δ(ΔUS), что приводит к формуле абсолютной величины релаксации ПЭ металла, т.е.

(2.19)
${{\delta (\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}{\text{)}} = {{z}_{{{\text{ad}}}}}\frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{{{r}_{{{\text{Me(S)}}}}}{\text{(}}{{{{z}_{{\text{b}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{z}_{{\text{b}}}}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}{\text{)}}}} - {{z}_{{{\text{ad}}}}}\frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{{{r}_{{{\text{Me(b)}}}}}{\text{(}}{{{{z}_{{\text{b}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{z}_{{\text{b}}}}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}{\text{)}}}}}.$

Из уравнения (2.19) с учетом соотношения (2.16) мы получили формулу для расчета относительной величины релаксации поверхностной энергии (РПЭ) грани металла с ГЦК(111) и ОЦК(110) структурой

(2.20)
${{{r}_{{{\text{Me(S)}}}}} = \frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{{2\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}{\text{(}}hkl{\text{)}}}}}.$

Результаты расчета rMe(S) по формуле (2.20) для ГЦК(111) и ОЦК(110) граней даются в табл. 1 и табл. 2, соответственно.

Из этой разницы по уравнению (2.20) вычислена величина коэффициента релаксации rMe(S) поверхностной энергии грани (111) или (110) против величины релаксации энергии rMe(b) = 3 атомной связи в объеме металла. Они показывают почти для всех металлов рост величины rMe(S) по сравнению с rMe(b) = 3 в объеме металла. Мы рассматриваем этот результат как доказательство более высокой склонности к образованию вакансий в ПС металла по сравнению с его объемом, так что величина rMe(S) может служить мерой РПЭ данного металла. По величине отрицательной релаксации ПЭ и величине РПЭ металлы с ГЦК структурой (табл. 1) можно разделить на две группы, с относительно невысокими значениями этих параметров для – Pd, Cu, Ni и Ag (регулярные металлы) и сильно выраженной релаксацией ПЭ для Pt, Au и Al. Для металлов с ОЦК структурой (табл. 2) наиболее достоверными представляются величины rMe(S) ≥ 3. Положительные значения абсолютных величин релаксации ПЭ для Cr, V и Mo (табл. 2) являются исключениями для всех ГЦК и ОЦК металлов, поэтому эти значения не вписываются в модель релаксации поверхностной энергии. Здесь поверхностные вакансии не только не снижают, но и повышают поверхностную энергию металлов, что не находит объяснения в предлагаемой модели РПЭ.

Ранее установлено [9], что с ростом температуры релаксация энергии атомных связей (с образованием вакансий) приводит к тому, что поликристаллическая структура поверхности металла изменяется на соответствующую моноструктуру с минимальной поверхностной энергией (термическая реконструкция (ТР) поверхностной энергии). При предплавильной температуре поликристаллическая структура ГЦК переходит в моноструктуру ГЦК(111), а ОЦК в структуру ОЦК(110) с характерной величиной rMe равной 3, за исключением золота (rMe = 4.19) и платины (rMe = 4.34). На этой основе ранее был сделан вывод об образовании в процессе ТР структуры Au и Pt, близкой (110), однако результаты табл. 1, относящейся к Т = 0 К, показывают, что сильная релаксация атомных связей, свойственная Au(111) и Pt(111) не связана с влиянием температуры, а скорее всего, объясняется аномально низкими величинами энергии образования вакансий ${{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}$ в этих металлах.

3. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Термодинамическая вакансионная модель (TVM) поверхностной энергии (ПЭ) приводит к формуле линейной зависимости минимальной величины ПЭ граней $\Delta \bar {U}_{{\text{S}}}^{{\min }}$ ГЦК(111) или ОЦК(110) металлов, согласно которой эта величина составляет 1/2 энергии образования вакансий $\Delta H_{{V({\text{b}})}}^{f}$ в объеме металла или 1/6 энергии когезии Ecoh металла. Сравнение численных величин $\Delta \bar {U}_{{\text{S}}}^{{\min }}$ с табличными DFT [4] для ΔUS(111) и ΔUS(110) соответственно для ГЦК и ОЦК металлов, показало, что для большинства металлов имеются отрицательные отклонения (от 2 до 17%) от величин, рассчитанных методом TVM по формуле линейной зависимости (выше).

2. При согласовании TVM и теории DFT учитывается общность подходов в определении ПЭ как избытка энергии частиц (атомов и электронных вакансий в методе DFT [4] и атомных вакансий в методе TVM [9, 10]) в поверхностном слое (ПС) относительно их энергии в объеме металла. При этом, TVM использует понятие объемной релаксации энергии атомных связей, вызванной образованием вакансий в объеме кристалла металла ${{r}_{{{\text{Me(b)}}}}} = {{{{E}_{{{\text{coh}}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{E}_{{{\text{coh}}}}}} {\Delta H_{{V({\text{b}})}}^{f}}}} \right. \kern-0em} {\Delta H_{{V({\text{b}})}}^{f}}}$ с величиной rMe(b) = 3, а для ПС грани вводится коэффициент поверхностной релаксации rMe(S) энергии атомных связей. Если rMe(S) = rMe(b) = 3, то этот случай соответствует формуле TVM для величины $\Delta \bar {U}_{{\text{S}}}^{{\min }},$ когда в ПС отсутствует избыток энергии релаксации в ПС. Отрицательные отклонения табличных величин ПЭ в работе Vitos с соав. [4] от величин, рассчитанных методом TVM, позволили оценить величину rMe(S) для ГЦК(111) и ОЦК(110) различных металлов. Наименьшее значение rMe(S) = 3.1–3.3 получены для Ag, Cu, Pd, Ni, Nb, Ta и W, a наибольшие rMe(S) = 3.5–3.8 для Au, Рt и Al.

На основе анализа в п.п. 1 и 2 предлагается рассматривать величины $\Delta \bar {U}_{{\text{S}}}^{{\min }}$ по расчету TVM как предельные (максимальные) для металлов с кубической структурной при Т = 0 К.

Список литературы

  1. Blakely J.M. Introduction to the properties of crystal surfaces // Oxford: Pergamon Press. 1973. P. 274.

  2. Michaelides A., Scheffler M. // K. Wandelt (Ed) Surface and Interface Science. V. 1, Wiley, 2012. P. 54.

  3. Wojciechqwski K.F. // Surf. Science. 1999. V. 437. P. 285–288.

  4. Vitos L., Ruban A.V., Skriver H.L., Kollar J. // Surf. Science. 1998. V. 441. P. 186.

  5. Medasani B., Haranczyk M., Canning A., Asta M. // Comp. Mat. Science. 2015. V. 101. P. 96.

  6. Gibbs W. Equilibrium of heterogeneous substances // The Coll. Works. V. 1. Thermodynamics. N.Y. Longmans and Green. 1928. P. 434.

  7. Андреев Ю.Я. // Журн. физ. химии. 1998. Т. 72. С. 529–533.

  8. Andreev Yu.Ya. // Electrochim. Acta. 1998. V. 43. P. 2627.

  9. Андреев Ю.Я. // Физикохимия поверхности и защита материалов. 2012. Т. 48. № 1. С. 29–38.

  10. Andreev Yu.Ya., Kiselev D.A. // Phil. Mag. 2013. V. 93. P. 2401–2412.

  11. Andreev Yu.Ya. // Protection of Metals and Physical Chemistry of Surfaces, 2018, vol. 54, Issue 6, pp. 991–1003.

  12. Overbury S.H., Bertrand P.A., Somorjai G.A. // Chem. Rev. 1975. V. 75. № 5. P. 547.

  13. Korzhavyi P.A., Abrikosov I.A., Johansson B., Ruban A.V., Skriver H.L. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. P. 11693.

  14. Soderlind P., Yang L.H., Moriarty J.A., Wills J.M. // Phys. Rev. B. 2000. V. 61. P. 2579.

  15. Готтштайн Г. Физико-химические основы материаловедения // М.: Бином. 2009. С. 400. (пер. с англ. под ред. Зломанова В.П.).

  16. Dasileva J.L.F., Stampfl C., Scheffler M. // Surf. Sci. 2006. V. 600. P. 703.

  17. Methfessel M., Hennig D., Scheffler M. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. P. 4816.

  18. Kraftmakher Ya. // Amsterdam: Elsevier. 1998. V. 299. P. 79–188.

  19. Damask A.C., Dienes G.J., Point Defects in Metals // N.Y. Gordon and Breach, 1963. P. 314.

  20. Gorecki T. // Z. Metallk. 1974. V. 65. P. 426–431.

  21. Stolze P. // J. Phys. Condens. Matter. 1994. V. 6. P. 9495.

  22. Doyama M., Koehler J.S. // Acta Metallurgica. 1976. V. 24. P. 871.

  23. Taylor H.S. // Proc. Roy. Soc. A. 1925. V. 108. P. 105.

  24. Figuera J., Prieto J.E., Ocal C., Miranda R. // Solid State Commun. 1994. V. 89. P. 815.

Дополнительные материалы отсутствуют.