Физикохимия поверхности и защита материалов, 2019, T. 55, № 4, стр. 339-345
Расчет поверхностной энергии металлов: согласование термодинамической вакансионной модели (TVM) с теорией из первых принципов (DFT)
Ю. Я. Андреев 1, *, А. В. Терентьев 1
1 Национальный исследовательский технологический университет “МИСиС”
Москва, Ленинский проспект, 4, Россия
* E-mail: yuandr@rambler.ru
Поступила в редакцию 30.11.2018
После доработки 19.01.2019
Принята к публикации 07.02.2019
Аннотация
Термодинамическая вакансионная модель (TVM) поверхностной энергии (ПЭ) приводит к формуле линейной зависимости минимальной величины ПЭ низкоиндексной грани ГЦК(111) и ОЦК(110) против 1/2 энергии образования вакансий или 1/6 энергии когезии металлов. Сравнение численных величин ПЭ рассчитанных методом TVM с расчетными DFT для тех же граней показывает отрицательные отклонения последних (от 2 до 17%). Используя величины этих отклонений рассчитана релаксация поверхностной энергии металлов с максимальной величиной для Au и Pt и минимальной – для Ag и Pd.
1. ВВЕДЕНИЕ
Поверхностная энергия (ПЭ) металлов в твердом состоянии около 200 лет рассматривалась по аналогии с жидкостью как поверхностное натяжение. Для кристалла более приемлемо определение ПЭ как работы, необходимой для образования единицы площади новой поверхности обратимым способом путем расщепления кристалла при постоянных термодинамических параметрах Т и Р [1]. Это определение ПЭ как энергии образования поверхности путем раскалывания (cleavage) кристалла по выбранным кристаллографическим плоскостям (hkl) свойственно методам DFT (density functional theory) [2–5]. Однако это определение относится, в большей степени, к методу исследования ПЭ, так как сама поверхность вещества образуется самопроизвольно со свойствами, отличающимися от его объема. Гиббс [6] ввел понятие избытка основных термодинамических функций состояния для фазы поверхностного слоя (ПС) относительно объемной фазы, а именно избытка внутренней энергии ΔUS и избытка энтропии ΔSS, и тем самым определил избыток свободной энергии ΔGS образования ПС, в частности, при T, P = const как
(1.1)
${\Delta {{G}_{{\text{S}}}} = \Delta {{U}_{{\text{S}}}} - T\Delta {{S}_{{\text{S}}}} + P\Delta {{V}_{{\text{S}}}}},$Термодинамическая вакансионная модель (ТVМ) поверхностной энергии металлов [7–11] вводит представление о существовании избытка атомных вакансий в ПС металла по сравнению c его объемом, принимая, что мерой избытка поверхностной энергии металла является избыточная величина химического потенциала µV(S) вакансий в ПС относительно его величины µV(b) в объеме [9, 10]
(1.2)
${{\Delta }{{U}_{{\text{S}}}} = - \frac{{\left( {{{{\mu }}_{{A{\text{(S)}}}}} - {{{\mu }}_{{A{\text{(b)}}}}}} \right)}}{{{{N}_{{V{\text{(S)}}}}}}} = \left( {{{{\mu }}_{{V{\text{(S)}}}}} - {{{\mu }}_{{V{\text{(b)}}}}}} \right).}$Эта формула указывает на существования такого равновесия между ПС и объемом металла, при котором химический потенциал атома µA(S) в ПС снижается относительно его величины µA(b) в объеме, но это снижение компенсируется повышением в ПС химического потенциала вакансий относительно его величины µV(b) в объеме.
Для сравнения, в методе FCD (full charge density) [4], основанном на принципах DFT, величина свободной избыточной энергии γ при T = 0 K (она соответствует обозначению ΔUS в (1.2)) рассчитывается как разность между общей энергией Na атомов плюс NV пустых сфер в поверхностной области (2D) относительно энергии, приходящейся на атом в объеме (3D) взятой Na раз:
(1.3)
${{\gamma } = E_{{{\text{2D}}}}^{{{\text{FCD}}}}{\text{(}}{{N}_{{\text{a}}}} + {{N}_{V}}{\text{)}} - {{N}_{{\text{a}}}}E_{{{\text{3D}}}}^{{{\text{FCD}}}}}.$Феноменологические формулы (1.2) и (1.3) указывают на общность подходов в определении ПЭ как избытка энергии квазичастиц (атомов и электронных пустых сфер (вакансий) в методе DFT [4] и атомных вакансий в методе TVM [7–9] в поверхностном слое (ПС) относительно их энергии в объеме металла. Вместе с тем, применение методов DFT для расчета ПЭ металлов имеет тот существенный недостаток, что достоверность результатов расчета приходится определять их сравнением с экспериментальными величинами ПЭ, точность которых сильно зависит от метода измерения [12]. Кроме полезности анализа согласования указанных теорий, сравнение результатов расчета ПЭ металлов методами DFT и TVM позволило получить новые данные о различии в поверхностных свойствах отдельных металлов.
2. ПОВЕРХНОСТНАЯ ЭНЕРГИЯ ГЦК И ОЦК МЕТАЛЛОВ КАК ФУНКЦИЯ ЭНЕРГИИ КОГЕЗИИ АТОМОВ И ЭНЕРГИИ ОБРАЗОВАНИЯ ВАКАНСИЙ В ОБЪЕМЕ МЕТАЛЛА
В основе TVM лежит представление об определяющей роли энергии образования атомных вакансий в объеме металла $\Delta H_{{V({\text{S}})}}^{f}$ для поверхностной энергии US(hkl) низкоиндексной грани металла. Кроме того, что особенно важно, вводится понятие энергии образования вакансий в ПС металла с величиной $\Delta H_{{V({\text{S}})}}^{f}.$ Вопрос о методе расчета энергии образования атомных вакансий в металлах, несмотря на заметные успехи DFT [13, 14], остается открытым. Поэтому в некоторых работах DFT [5], так и в TVM [7–10] отдают предпочтение полуэмпирическим методам оценки энергии образования атомных вакансий в металлах.
Основной метод расчета ПЭ металла в работах TVM [7, 8] состоит в оценке величины энергии разрушенных (broken) атомных связей при образовании вакансий в объеме и в ПС кристалла. В последующем развитии TVM [9, 10] используется адсорбционный метод Гиббса [6]. При этом следует иметь в виду, что энергия Гиббса образования вакансии в объеме обычно рассчитывается из условия выхода атома на поверхность металла (вакансия как дефект Шоттки) [15]. Отсюда получают формулу энергии Гиббса образования вакансии
(2.1)
${{\Delta }{{G}_{V}} = {\Delta }H_{V}^{f} - T\left( {\Delta S_{{{\text{vib}}}}^{f} - \Delta S_{{{\text{con}}}}^{f}} \right)},$Отметим, что в этом случае пренебрегают энергией связи атома с поверхностью. Если же рассматривать эту энергию как энергию адсорбции атома на поверхности, то переходим к случаю поверхностной энергии Гиббса образования межфазного слоя, в котором адсорбируются как атомы (А), так и вакансии (V) [9, 10]
(2.2)
${{\Delta \sigma } = - {{{\text{Г }}}_{А }}d{{{\mu }}_{A}} - {{{\text{Г }}}_{V}}d{{{\mu }}_{V}}}.$Это уравнение стало исходным для вывода уравнения (1.2) в [9], а последнее используется для вывода расчетных формул TVM (ниже). В обоснование уравнения (2.2) отметим, что Гиббс выдвинул принцип статистического равновесия в системах (фазах), состоящих из молекул, с тенденцией возможного перехода различных сортов молекул из одной системы в другую [6]. Этот принцип был использован в [9, 10] при анализе равновесия между ПС и объемом металла. В качестве частиц, определяющих это межфазное равновесие, было предложено рассматривать атомы, которые переходят из объема (b) в ПС, образуя вакансии V(b) в объеме, а сами атомы становятся поверхностными атомами (адатомами) Me-ad. Этот подход согласуется с известной TLK моделью Kossel (1927) и Stranski (1928) структуры ПС металла, включающей террасы, кинки и адатомы.
По отношению к вакансиям в объеме металла их величину NV(S) в ПС мы определяем как положительную автоадсорбцию поверхностных вакансий (ПВ), которая согласуется с убылью химического потенциала атомов в ПС (правая часть уравнения (1.2)). Автоадсорбцию вакансий удобно рассмотреть в рамках закона распределения Больцмана, используя аналогию адсорбции молекул газа на поверхности металла. Мольная доля вакансий определяется приближенно (без учета энтропийного фактора) положительной величиной энтальпии их образования соответственно в объеме ${{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}$ и в ПС ${{\Delta }H_{{V{\text{(S)}}}}^{f}}$ металла как:
(2.3)
${{{N}_{{V{\text{(b)}}}}} = {\text{exp}}\left( { - \frac{{{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}}{{RT}}} \right)},$(2.4)
${{{N}_{{V{\text{(S)}}}}} = {\text{exp}}\left( { - \frac{{{\Delta }H_{{V{\text{(S)}}}}^{f}}}{{RT}}} \right)}.$Низкая концентрация вакансий в каждой фазе позволяет использовать выражения для химических потенциалов квазичастиц (вакансий) в идеальных растворах:
(2.5)
${{{{\mu }}_{{V{\text{(b)}}}}} = {\mu }_{V}^{{\text{0}}} + RT{\text{ln}}{{N}_{{V{\text{(b)}}}}}},$(2.6)
${{{{\mu }}_{{V{\text{(S)}}}}} = {\mu }_{V}^{{\text{0}}} + RT{\text{ln}}{{N}_{{V{\text{(S)}}}}}}.$Далее, используя (1.2) и (2.3)–(2.6), получим выражение:
(2.7)
${{\Delta }{{U}_{{\text{S}}}} = RT{\text{ln}}\frac{{{{N}_{{V{\text{(S)}}}}}}}{{{{N}_{{V{\text{(b)}}}}}}} = {\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f} - {\Delta }H_{{V{\text{(S)}}}}^{f}},$Заметим, что в качестве меры термодинамической прочности межатомных связей в кристалле часто принимают величину стандартной энтальпии сублимации [12]. Например, в объеме ГЦК кристалла, где у каждого атома имеется 12 связей, однократный учет энергии когезии Ecoh атома дает величину энергии единичной связи атома со своими соседями:
(2.8)
${{{{\varepsilon }}_{{{\text{coh}}}}} = - \frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{\text{6}}} = \frac{{{\Delta }E_{{{\text{sub}}}}^{{\text{0}}}}}{{\text{6}}}}.$Однако в ТVМ учитывается, что сублимация атома из решетки металла согласно Damask и Diens [19] является вместе с тем актом образования вакансии, в окрестности которой происходит релаксация энергии атомных связей с выигрышем в энергии релаксации за счет самопроизвольного перераспределения электронов и атомов вокруг образовавшейся вакансии. Отсюда в ТVМ принимается, что происходит снижение энергии образования вакансии относительно энергии сублимации атома (или энергии когезии), а мерой этого снижения является величина коэффициента релаксации энергии rMe разрушенных (broken) атомных связей в кристалле металла [7, 8]:
(2.9)
${{{r}_{{{\text{Me}}}}} = \frac{{{\Delta }H_{{{\text{sub}}}}^{{\text{0}}}}}{{{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}} = \frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}}}.$Имея в виду, что в физике металлов расчеты величины энергии образования вакансий обычно относят к Т = 0 К, в уравнении (2.9) используется величина энергии когезии атома Есoh по модулю. Далее мы сравниваем cоотношение (2.9) с результатами компьютерных расчетов Medasani с соав. [5] того же соотношения для 34 металлов, полученного из сравнения теоретического расчета величин ${{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}$ (в обозначении авторов как Ef) и Ecoh посредством DFT c использованием ряда функционалов приближения типа LDA, GGA и ряда других. Ориентиром для сравнительного анализа служило известное соотношение экспериментальных величин [19]:
или в нашем обозначении какГрафики теоретических зависимостей Ef от Ecoh, представленные в работе [5] для металлов с ГЦК, ОЦК и ГПУ структурой, демонстрируют их линейный наклон от 0.31 до 0.38 для различных функционалов, что удовлетворяет эмпирическому соотношению (2.10).
Тогда в согласии с TVM и формулой (2.9) в качестве меры энергии разрушенной единичной атомной связи наряду с энергией когезии можно взять единичную энергию образования вакансии εV(b)в объеме металла с величиной коэффициента релаксации энергии rMe(b) = 3 для металлов с кубической структурой в виде
(2.11а)
${{{{\varepsilon }}_{{V{\text{(b)}}}}} = \frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{{{r}_{{{\text{Me(b)}}}}}{\text{(}}{{{{z}_{{\text{b}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{z}_{{\text{b}}}}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}{\text{)}}}} = \frac{{{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}}{{{{{{z}_{{\text{b}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{z}_{{\text{b}}}}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}}}}.$Однако единичная энергия образования вакансии непосредственно в ПС металла может быть другой – со специфическим коэффициентом релаксации rMe(S), и тогда ее величину определим как
(2.11b)
${{{{\varepsilon }}_{{V{\text{(S)}}}}} = \frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{{{r}_{{{\text{Me(S)}}}}}{\text{(}}{{{{z}_{{\text{b}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{z}_{{\text{b}}}}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}{\text{)}}}}}.$Вначале рассмотрим Приближение-1, где мы допускаем, что эта величина одинакова для атомных связей в объеме и в ПС металла, т.е.
Для принятой модели свободной поверхности монокристалла ГЦК-металла со структурными элементами TLК-модели энергия адсорбции адатома по Kaishev-Stranski определяется числом zad ближайших соседей адатома на низкоиндексных плоскостях (111), (100) и (110), равным соответственно 3, 4 и 5. Похожий подход моделирования энергии образования адатомов мы встречаем у Stoltze [21], но с использованием метода DFT. Заметим, что ПЭ как энергия адсорбции атома определяется затратами на разрушение (или на образование – с обратным знаком) его связи с поверхностью. Однако будет неправильно считать, что эта энергия является средней величиной энергий связи всех поверхностных атомов. Энергетически более вероятно, что разрушение идет через отрыв адатомов с наименьшим количеством связей с поверхностью.
Отсюда минимум избытка поверхностной энергии низкоиндексной грани ΔUS(hkl) принимается равным избыточной энергии образования адатомов ${{\Delta }H_{{{\text{ads}}}}^{f}{\text{(}}hkl{\text{)}}},$ взятой со знаком “минус”, а величина последней в свою очередь определяется величиной zad(hkl) адатома и величиной единичной энергии его связи εad с поверхностью, т.е. как
(2.13)
${{\Delta }{{U}_{{\text{S}}}}{\text{(}}hkl{\text{)}} = - {\Delta }H_{{{\text{ads}}}}^{f}{\text{(}}hkl{\text{)}} = {{z}_{{{\text{ad}}}}}{\text{(}}hkl{\text{)}}{{{\varepsilon }}_{{{\text{ad}}}}}}.$Далее мы принимаем, что прочность этой связи определяется энергией парного взаимодействия между адатомом и поверхностной вакансией (ПВ) как
С идеей существования некоторого эмпирического соотношения между энергией когезии атомов и “призрачной” (“ghost”) энергией связи EAV между атомом и вакансией и с его приближенным расчетом можно ознакомиться в работе Doyama и Koehler [22]. Кроме того, соотношение (2.14) признает существование по Тaylor [23] “активных центров” на поверхности твердого тела, связанное с дефектами кристаллической решетки – вакансиями. Тогда вместо адсорбции собственных атомов (self-adsorption) можно реально наблюдать адсорбцию “чужих” атомов, замещающих адатомы. Например, метод STM позволил прямое видение (direct view) диффузии атомов кобальта на поверхности Co/Cu(111), сопровождаемой коалесценцией островков вакансий (vacancy islands) [24]. Здесь, согласно равенству (2.14), избыточная энергия разрушенных связей (broken bonds) в форме энергии вакансий превращается в энергию адсорбции атомов.
Далее, не обладая знанием абсолютных величин εad или εV(S) будем придерживаться Приближения-1, т.е. учитывать равенство (2.12). Тогда используя уравнение (2.13) подстановкой εV(b) вместо εad получим
(2.15)
${{\Delta }{{U}_{{\text{S}}}}{\text{(}}hkl{\text{)}} = - {\Delta }H_{{{\text{ads}}}}^{f}{\text{(}}hkl{\text{)}} = {{z}_{{{\text{ad}}}}}{\text{(}}hkl{\text{)}}{{{\varepsilon }}_{{V{\text{(b)}}}}}}.$Окончательно, после подстановки величины εV(b) из (2.11а) в уравнение (2.15) получается формула TVM для расчета поверхностной энергии низкоиндексной грани (hkl) ГЦК и ОЦК металлов при T = 0 К в рамках Приближения-1:
(2.16)
${{\Delta }{{U}_{{\text{S}}}} = {{z}_{{{\text{ad}}}}}\frac{{{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}}{{{{{{z}_{{\text{b}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{z}_{{\text{b}}}}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}}} = {{z}_{{{\text{ad}}}}}\frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{{{r}_{{{\text{Me(b)}}}}}{\text{(}}{{{{z}_{{\text{b}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{z}_{{\text{b}}}}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}{\text{)}}}}}.$Формула (2.16) как ключевой продукт TVM учитывает глубокую релаксацию атомных связей в кристалле, вызванную самопроизвольным образованием вакансий с величиной rMe(b) = rMe(S) = 3 как в объеме, так и в ПС металла. Кроме того, она показывает, что минимум поверхностной энергии ГЦК(111) и ОЦК(110) граней металлов определяется величиной энергии образования поверхностной вакансии ${{\Delta }H_{{V{\text{(S)}}}}^{f}},$ которая должна быть вдвое меньше по сравнению с ${{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}$(это следует из подстановки соответствующих величин zad и zb в ур. (2.16) для вышеуказанных граней), т.е.
(2.16a)
${{\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}{\text{(}}hkl{\text{)}} = {\Delta }H_{{V{\text{(S)}}}}^{f} = {{{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}}.$Очевидно, имеется альтернатива в методе расчета величины ΔUS по уравнению (2.16). Можно использовать величину ${{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}$ для расчета поверхностной энергии металлов, но такой метод ограничен большими ошибками определения экспериментальной величины ${{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}.$ Поэтому для дальнейшего анализа уравнения (2.16) мы использовали его правую часть, которая определяет соотношение между величинами энергии когезии атомов Ecoh и поверхностной энергией ΔUS(hkl) низкоиндексной грани, рассчитанными исключительно методами DFT. С другой стороны, наиболее вероятным является образование грани с минимальной энергией ΔUS(111) для ГЦК металлов (zb = 12, zad = 3) и ΔUS(110) для ОЦК металлов (zb = 8, zad = 2). Отсюда, подставляя в (2.16) численные значения zb и zad для соответствующей структуры металла, а также величину коэффициента релаксации энергии образования вакансий rMe(b) = 3, получим новое соотношение, которое объединяет подходы DFT и TVM:
(2.17)
${{\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}{\text{(}}hkl{\text{)}} = \frac{{\text{1}}}{{\text{6}}}{{E}_{{{\text{coh}}}}}}.$Оно не совпадает с формулой, вытекающей из параболического соотношения, предлагаемой теорией DFT [2], но удовлетворяет эмпирической зависимости поверхностной энергии ряда металлов от теплоты сублимации с наклоном, равным 0.16 [12] против 0.167 для уравнения (2.17).
Далее, мы использовали соотношение (2.17), чтобы сравнить результаты расчета величины ΔUS(hkl), которые получаются при использовании численных величин энергии когезии металлов Ecoh, взятых из [5], с одной стороны, и табличных данных по минимальной поверхностной энергии соответствующей грани металла ΔUS(hkl) по Vitos c соав. [4], с другой (рис. 1).
Важно, что исходные величины, взятые для этого сравнения (табл. 1, 2) рассчитаны одним функционалом LDA [5] и LDA-GGA [4]. Оказалось, что для каждого металла табличное значение (см. также точки на рис. 1) не совпадает с ожидаемой величиной по уравнению (2.17) (см. прямая линия, рис. 1), т.е. для каждого металла имеется отклонение δΔUS (см. табл. 1, 2) от величины, требуемой зависимостью (2.17), в виде
(2.18)
${{\delta (\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}{\text{)}} = \frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{\text{6}}} - {\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}}.$Таблица 1.
ГЦК | ΔUS(111), эВ | Ecoh, эВ | $\delta \left[ {\Delta U_{{\text{S}}}^{{\min }}} \right],$ эВ | rMe(S) |
---|---|---|---|---|
Ag | 0.553 | 3.61 | –0.049 | 3.26 |
Al | 0.531 | 4.01 | –0.137 | 3.78 |
Au | 0.611 | 4.29 | –0.104 | 3.51 |
Cu | 0.707 | 4.5 | –0.043 | 3.18 |
Ni | 0.695 | 4.44 | –0.045 | 3.19 |
Pd | 0.824 | 5.06 | –0.019 | 3.04 |
Pt | 1.004 | 7.1 | –0.179 | 3.54 |
Таблица 2.
ОЦК | ΔUS(110), эВ | Ecoh, эВ | $\delta \left[ {{\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}} \right],$ эВ | rMe(S) |
---|---|---|---|---|
Cr | 1.258 | 6.54 | 0.335 | 2.2 |
Fe | 0.978 | 6.53 | –0.11 | 3.34 |
Mo | 1.534 | 8.14 | 0.177 | 2.65 |
Nb | 1.32 | 8.43 | –0.085 | 3.19 |
Ta | 1.531 | 9.64 | –0.076 | 3.15 |
V | 1.312 | 6.66 | 0.202 | 2.54 |
W | 1.806 | 11.81 | –0.162 | 3.27 |
В табл. 1 и 2 сопоставлена разница ${{\delta }\left( {{\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}} \right)}$ между величиной поверхностной энергии грани ГЦК(111) или ОЦК(110) металла, вычисленной по уравнению (2.17) в рамках модели TVM, и величиной ΔUS(hkl) по расчету DFT [4] для тех же граней.
Из графика рис. 1 видно, что для большинства металлов расчетные значения минимума поверхностной энергии ΔUS(hkl) [4] оказываются меньше, чем расчетные – по формуле (2.17). Эту разницу можно объяснить тем, что при выводе последней использовали допущение (2.12) одинаковой релаксации энергии атомных связей при образовании вакансии в объеме и в ПС (Приближение-1), которое, очевидно, является линейным приближением (2.17) в приведенном расчете. Отметим, что фиксируемые отклонения от (2.17) согласуется с представлениями физики поверхности о существовании поверхностной релаксации в виде смещения крайней (top) поверхностной плоскости относительно – нижележащих в объеме металла [2, 17]. Поэтому в рамках вакансионной модели как Приближение-2 мы отличаем коэффициент релаксации энергии при образовании вакансии в ПС металла rMe(S) формулой (2.11b). Очевидно, использование последней в уравнении (2.15) вместо формулы (2.11а) дает разницу δ(ΔUS), что приводит к формуле абсолютной величины релаксации ПЭ металла, т.е.
(2.19)
${{\delta (\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}{\text{)}} = {{z}_{{{\text{ad}}}}}\frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{{{r}_{{{\text{Me(S)}}}}}{\text{(}}{{{{z}_{{\text{b}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{z}_{{\text{b}}}}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}{\text{)}}}} - {{z}_{{{\text{ad}}}}}\frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{{{r}_{{{\text{Me(b)}}}}}{\text{(}}{{{{z}_{{\text{b}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{z}_{{\text{b}}}}} {\text{2}}}} \right. \kern-0em} {\text{2}}}{\text{)}}}}}.$Из уравнения (2.19) с учетом соотношения (2.16) мы получили формулу для расчета относительной величины релаксации поверхностной энергии (РПЭ) грани металла с ГЦК(111) и ОЦК(110) структурой
(2.20)
${{{r}_{{{\text{Me(S)}}}}} = \frac{{{{E}_{{{\text{coh}}}}}}}{{{2\Delta }U_{{\text{S}}}^{{{\text{min}}}}{\text{(}}hkl{\text{)}}}}}.$Результаты расчета rMe(S) по формуле (2.20) для ГЦК(111) и ОЦК(110) граней даются в табл. 1 и табл. 2, соответственно.
Из этой разницы по уравнению (2.20) вычислена величина коэффициента релаксации rMe(S) поверхностной энергии грани (111) или (110) против величины релаксации энергии rMe(b) = 3 атомной связи в объеме металла. Они показывают почти для всех металлов рост величины rMe(S) по сравнению с rMe(b) = 3 в объеме металла. Мы рассматриваем этот результат как доказательство более высокой склонности к образованию вакансий в ПС металла по сравнению с его объемом, так что величина rMe(S) может служить мерой РПЭ данного металла. По величине отрицательной релаксации ПЭ и величине РПЭ металлы с ГЦК структурой (табл. 1) можно разделить на две группы, с относительно невысокими значениями этих параметров для – Pd, Cu, Ni и Ag (регулярные металлы) и сильно выраженной релаксацией ПЭ для Pt, Au и Al. Для металлов с ОЦК структурой (табл. 2) наиболее достоверными представляются величины rMe(S) ≥ 3. Положительные значения абсолютных величин релаксации ПЭ для Cr, V и Mo (табл. 2) являются исключениями для всех ГЦК и ОЦК металлов, поэтому эти значения не вписываются в модель релаксации поверхностной энергии. Здесь поверхностные вакансии не только не снижают, но и повышают поверхностную энергию металлов, что не находит объяснения в предлагаемой модели РПЭ.
Ранее установлено [9], что с ростом температуры релаксация энергии атомных связей (с образованием вакансий) приводит к тому, что поликристаллическая структура поверхности металла изменяется на соответствующую моноструктуру с минимальной поверхностной энергией (термическая реконструкция (ТР) поверхностной энергии). При предплавильной температуре поликристаллическая структура ГЦК переходит в моноструктуру ГЦК(111), а ОЦК в структуру ОЦК(110) с характерной величиной rMe равной 3, за исключением золота (rMe = 4.19) и платины (rMe = 4.34). На этой основе ранее был сделан вывод об образовании в процессе ТР структуры Au и Pt, близкой (110), однако результаты табл. 1, относящейся к Т = 0 К, показывают, что сильная релаксация атомных связей, свойственная Au(111) и Pt(111) не связана с влиянием температуры, а скорее всего, объясняется аномально низкими величинами энергии образования вакансий ${{\Delta }H_{{V{\text{(b)}}}}^{f}}$ в этих металлах.
3. ЗАКЛЮЧЕНИЕ
1. Термодинамическая вакансионная модель (TVM) поверхностной энергии (ПЭ) приводит к формуле линейной зависимости минимальной величины ПЭ граней $\Delta \bar {U}_{{\text{S}}}^{{\min }}$ ГЦК(111) или ОЦК(110) металлов, согласно которой эта величина составляет 1/2 энергии образования вакансий $\Delta H_{{V({\text{b}})}}^{f}$ в объеме металла или 1/6 энергии когезии Ecoh металла. Сравнение численных величин $\Delta \bar {U}_{{\text{S}}}^{{\min }}$ с табличными DFT [4] для ΔUS(111) и ΔUS(110) соответственно для ГЦК и ОЦК металлов, показало, что для большинства металлов имеются отрицательные отклонения (от 2 до 17%) от величин, рассчитанных методом TVM по формуле линейной зависимости (выше).
2. При согласовании TVM и теории DFT учитывается общность подходов в определении ПЭ как избытка энергии частиц (атомов и электронных вакансий в методе DFT [4] и атомных вакансий в методе TVM [9, 10]) в поверхностном слое (ПС) относительно их энергии в объеме металла. При этом, TVM использует понятие объемной релаксации энергии атомных связей, вызванной образованием вакансий в объеме кристалла металла ${{r}_{{{\text{Me(b)}}}}} = {{{{E}_{{{\text{coh}}}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{E}_{{{\text{coh}}}}}} {\Delta H_{{V({\text{b}})}}^{f}}}} \right. \kern-0em} {\Delta H_{{V({\text{b}})}}^{f}}}$ с величиной rMe(b) = 3, а для ПС грани вводится коэффициент поверхностной релаксации rMe(S) энергии атомных связей. Если rMe(S) = rMe(b) = 3, то этот случай соответствует формуле TVM для величины $\Delta \bar {U}_{{\text{S}}}^{{\min }},$ когда в ПС отсутствует избыток энергии релаксации в ПС. Отрицательные отклонения табличных величин ПЭ в работе Vitos с соав. [4] от величин, рассчитанных методом TVM, позволили оценить величину rMe(S) для ГЦК(111) и ОЦК(110) различных металлов. Наименьшее значение rMe(S) = 3.1–3.3 получены для Ag, Cu, Pd, Ni, Nb, Ta и W, a наибольшие rMe(S) = 3.5–3.8 для Au, Рt и Al.
На основе анализа в п.п. 1 и 2 предлагается рассматривать величины $\Delta \bar {U}_{{\text{S}}}^{{\min }}$ по расчету TVM как предельные (максимальные) для металлов с кубической структурной при Т = 0 К.
Список литературы
Blakely J.M. Introduction to the properties of crystal surfaces // Oxford: Pergamon Press. 1973. P. 274.
Michaelides A., Scheffler M. // K. Wandelt (Ed) Surface and Interface Science. V. 1, Wiley, 2012. P. 54.
Wojciechqwski K.F. // Surf. Science. 1999. V. 437. P. 285–288.
Vitos L., Ruban A.V., Skriver H.L., Kollar J. // Surf. Science. 1998. V. 441. P. 186.
Medasani B., Haranczyk M., Canning A., Asta M. // Comp. Mat. Science. 2015. V. 101. P. 96.
Gibbs W. Equilibrium of heterogeneous substances // The Coll. Works. V. 1. Thermodynamics. N.Y. Longmans and Green. 1928. P. 434.
Андреев Ю.Я. // Журн. физ. химии. 1998. Т. 72. С. 529–533.
Andreev Yu.Ya. // Electrochim. Acta. 1998. V. 43. P. 2627.
Андреев Ю.Я. // Физикохимия поверхности и защита материалов. 2012. Т. 48. № 1. С. 29–38.
Andreev Yu.Ya., Kiselev D.A. // Phil. Mag. 2013. V. 93. P. 2401–2412.
Andreev Yu.Ya. // Protection of Metals and Physical Chemistry of Surfaces, 2018, vol. 54, Issue 6, pp. 991–1003.
Overbury S.H., Bertrand P.A., Somorjai G.A. // Chem. Rev. 1975. V. 75. № 5. P. 547.
Korzhavyi P.A., Abrikosov I.A., Johansson B., Ruban A.V., Skriver H.L. // Phys. Rev. B. 1999. V. 59. P. 11693.
Soderlind P., Yang L.H., Moriarty J.A., Wills J.M. // Phys. Rev. B. 2000. V. 61. P. 2579.
Готтштайн Г. Физико-химические основы материаловедения // М.: Бином. 2009. С. 400. (пер. с англ. под ред. Зломанова В.П.).
Dasileva J.L.F., Stampfl C., Scheffler M. // Surf. Sci. 2006. V. 600. P. 703.
Methfessel M., Hennig D., Scheffler M. // Phys. Rev. B. 1992. V. 46. P. 4816.
Kraftmakher Ya. // Amsterdam: Elsevier. 1998. V. 299. P. 79–188.
Damask A.C., Dienes G.J., Point Defects in Metals // N.Y. Gordon and Breach, 1963. P. 314.
Gorecki T. // Z. Metallk. 1974. V. 65. P. 426–431.
Stolze P. // J. Phys. Condens. Matter. 1994. V. 6. P. 9495.
Doyama M., Koehler J.S. // Acta Metallurgica. 1976. V. 24. P. 871.
Taylor H.S. // Proc. Roy. Soc. A. 1925. V. 108. P. 105.
Figuera J., Prieto J.E., Ocal C., Miranda R. // Solid State Commun. 1994. V. 89. P. 815.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Физикохимия поверхности и защита материалов