1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Физика и химия стекла
  4. T. 47, № 4, 2021

Физика и химия стекла, 2021, T. 47, № 4, стр. 428-438

Спектрально-люминесцентные свойства композиционных материалов на основе нанопористых высококремнеземных стекол, активированных ионами висмута и церия

М. А. Гирсова 1, *, Г. Ф. Головина 1, Л. Н. Куриленко 1, И. Н. Анфимова 1

1 Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова РАН
199034 Санкт-Петербург, наб. Макарова, 2, Россия

* E-mail: girsovama@yandex.ru

Поступила в редакцию 25.12.2020
После доработки 19.03.2021
Принята к публикации 05.04.2021

Полный текст (PDF)

Аннотация

Синтезированы композиционные материалы на основе матриц из высококремнеземных нанопористых стекол, активированных ионами висмута и церия. Установлено, что образцы в зависимости от условий их синтеза обладают сине-зеленой люминесценцией (λлюм = 416–539 нм при λвозб = 357–410 нм), обусловленной присутствием Bi3+ и Ce3+ ионов. Методом ИК спектроскопии в композитных материалах идентифицированы колебания, характерные для CeO2 и α-Bi2O3.

Ключевые слова: висмутсодержащие композиционные материалы, церий, люминесценция, энергодисперсионная спектроскопия, инфракрасная спектроскопия

ВВЕДЕНИЕ

Известно, что добавление оксида церия в качестве окислителя в шихту висмутсодержащих стекол приводит к изменению их спектрально-люминесцентных свойств [1–7]. Высокая концентрация оксида церия в висмутсодержащих стеклах может приводить к исчезновению красной и ИК люминесценции [1, 4, 7]. Это связано с разрушением висмутовых активных центров со степенью окисления ниже Bi3+, включая ионы Bi2+ [4]. Изучение влияния концентрации окислителя (железо, церий и др.) на изменение валентного состояния висмута в висмутсодержащих стеклах представляет интерес в связи с тем, что до сих пор природа ИК люминесцирующих висмутовых активных центров не ясна [4, 5]. Регулируя концентрацию диоксида церия в висмутсодержащем стекле и режим термообработки материала можно наблюдать усиление либо ослабление красной и ИК люминесценции в стекле [3, 5, 7]. В настоящей работе проведено исследование композиционных материалов, активированных ионами висмута и церия, методами люминесцентной, энергодисперсионной и ИК спектроскопии в зависимости от концентрации введенного висмута и церия, а также их соотношения в материале.

ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ

В настоящей работе рассматриваются композиционные материалы (КМ) на основе высококремнеземных нанопористых стекол (НПС), активированные ионами висмута и церия. По данным химического анализа базовые НПС-матрицы в форме прямоугольных плоскопараллельных пластин (размером 5–25 × 5–15 × 1.5 ± 0.15 мм) содержат, мас. %: 0.55Na2O, 6.85B2O3, 92.56SiO2, 0.04 |F|, ≤0.01P2O5 [8]. Синтез КМ был выполнен путем пропитки НПС-матриц, содержащих примеси P2O5 и фторид-ионов. НПС-матрицы получены путем сквозного химического травления (выщелачивания) двухфазного стекла НФФ заводской варки в водном 4 M растворе HNO3 при кипячении, последующей промывки в дистиллированной воде и сушке при 120°С (далее ПС-НФФ-120). КМ получены путем пропитки ПС-НФФ-120 при комнатной температуре в подкисленных водно-солевых 0.5 М растворах пентагидрата нитрата висмута в присутствии гексагидрата нитрата церия (массовое соотношение нитратов в растворе Bi/Ce от 2 : 1 до 10 : 1) в течение 24 ч. Обозначение синтезированных образцов в зависимости от соотношения нитратов в растворе: 2Bi/Ce, 10Bi/Ce – в соответствии с концентрацией пропитывающих растворов. При приготовлении растворов для синтеза всех материалов использовали реактивы марки “ч. д. а.”: висмут азотнокислый Bi(NO3)3 · 5H2O и церий азотнокислый Ce(NO3)3 · 6H2O. Все образцы КМ были высушены при 50°С. Серия образцов КМ подвергалась тепловой обработке (по специально разработанному режиму [9 ] ) при температуре Т = 730 ± 5°С (на воздухе) в течение 30 мин. Известно, что термообработка пентагидрата нитрата висмута и гексагидрата нитрата церия при ~700°С приводит к формированию оксидов висмута и церия соответственно [10]. При 50°С КМ были белого цвета, при 730°С цвет КМ изменялся до ярко-желтого цвета, что косвенно указывает на формирование оксидов висмута и церия внутри порового пространства КМ.

Содержание висмута по данным химического анализа в образцах КМ составляло ~2 мас. % (в пересчете на Bi2O3). Содержание висмута в КМ было определено методом пламенной фотометрии на спектрофотометре iCE of 3000 Series (Thermo Scientific, США). Погрешность аналитического определения концентрации Bi2O3 составляла в среднем ±1–3 отн. %.

Методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии изучен элементный состав композитов. Измерены линейные профили концентрации каждого элемента с шагом 25–30 мкм. Измерения проводили с помощью сканирующего электронного микроскопа (СЭМ) CamScan MX 2500S, оснащенного рентгеновским энергодисперсионным спектрометром Link Pentafet (Oxford Instruments, Si(Li) детектор с площадью 10 мм2 и разрешающей способностью 138 eV (для MnKα)). Образцы композитов запрессовывали в полимерные шайбы, полировали и напыляли углеродом. Измерения проводили на плоскопараллельных пластинах толщиной 1.50 ± 0.15 мм.

Исследования композитов методом ИК спектроскопии были проведены с помощью спектрофотометра SPECORD M-80 (Carl Zeiss JENA) в области частот 800–450 см–1 со спектральным разрешением 4 см–1. Измерения проводили при комнатной температуре на образцах в виде таблеток диаметром 13 мм, спрессованных из смеси порошков КМ с KBr. Для изготовления таблеток была использована пресс-форма ПФ-13 в условиях вакуумной откачки (давление в вакуумной системе не более 20 мм рт. ст.). ИК спектры пропускания были измерены несколько раз для каждого образца.

Исследования композитов в области 190–1100 нм проводили на спектрофотометре СФ-2000 с шагом съемки 1 нм. Наименьший спектральный разрешаемый интервал 1 нм, предел допускаемого значения абсолютной погрешности установки для спектрального диапазона 190–390 нм составлял ±0.4 нм, для 390–1100 нм – ±0.8 нм. При работе в спектральном диапазоне 190–390 нм источником излучения служила дейтериевая лампа, в диапазоне 390–1100 нм – галогенная лампа. Измерения проводили при комнатной температуре на образцах толщиной 1.50 ± 0.15 мм.

Были проведены люминесцентные исследования композитов на спектрофлуориметре Fluorolog-3 (Horiba Jobin Yvon) при комнатной температуре. Для измерения спектров люминесценции и спектров возбуждения люминесценции в качестве источника возбуждения использовали ксеноновую лампу (450 Вт). Спектроскопическую ширину щелей монохроматора варьировали в диапазоне 3–5 нм в зависимости от образца. В работе были исследованы люминесцентные свойства композиционных материалов в зависимости от их состава. В качестве образцов сравнения в исследованиях были использованы базовые ПС-матрицы.

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

На рис. 1 представлены спектры оптической плотности КМ в зависимости от их состава. У ПС-НФФ-120 ранее была обнаружена УФ фундаментальная полоса поглощения (край полосы при 300 нм), характерная для диэлектриков [8]. Обнаруженные у КМ полосы поглощения при 340, 341, 356, 359, 410 нм являются характерными для Bi3+ ионов с электронным переходом ${}^{1}{{D}_{2}} \to {}^{3}{{P}_{2}}$ (см. обзор в [11]). Следует отметить, что полосы поглощения при 340–341 и 410 нм могут быть также связаны с Bi+ ионами c электронными переходами ${}^{3}{{P}_{0}} \to {}^{1}{{S}_{0}}$ и ${}^{3}{{P}_{0}} \to {}^{1}{{D}_{2}}$ соответственно [12]. Полосы поглощения при 340 нм (3.65 эВ), 341нм (3.64 эВ), 356 нм (3.48 эВ), 359 нм (3.45 эВ), возможно, связаны с поглощением Ce3+ ионов (электронный переход 4f → 5d) [13, 14].

Рис. 1.

Спектры поглощения композиционных материалов: 10Bi/Ce (1), 2Bi/Ce (2).

Слабые полосы поглощения при 480 и 555 нм могут относиться к Bi2+ ионам c электронными переходами ${}^{2}{{P}_{{{1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 2}} \right. \kern-0em} 2}}}} \to {}^{2}{{P}_{{{3 \mathord{\left/ {\vphantom {3 2}} \right. \kern-0em} 2}}}}\,\,(2)$ и ${}^{2}{{P}_{{{1 \mathord{\left/ {\vphantom {1 2}} \right. \kern-0em} 2}}}} \to {}^{2}{{P}_{{{3 \mathord{\left/ {\vphantom {3 2}} \right. \kern-0em} 2}}}}\,\,(1)$) соответственно [12, 15].

На рис. 2 и рис. 3 представлены спектры люминесценции и возбуждения люминесценции композиционных материалов, активированных ионами висмута и церия, в зависимости от концентрации введенного висмута и церия в сравнении с ПС-НФФ-120 (рис. 2 а). Из рисунка видно, что у ПС-НФФ-120 при λвозб = 350 нм проявляется широкополосная сине-зеленая люминесценция с максимумом при λлюм = 423 нм, которая, возможно, связана с кремниевыми кислородно-дефецитными центрами в кремнеземной матрице стекла (электронный переход ${{T}_{1}} \to {{S}_{0}}$) [16]. Ранее установлено, что для НПС-матриц при λвозб = 380 нм характерна сине-зеленая люминесценция с максимумом при λлюм = 450 нм, которая может быть связана с дефектами сетки стекла [17].

Рис. 2.

Спектры люминесценции ПС-НФФ-120 при λвозб = 350 нм (а) и композиционных материалов: 10Bi/Ce при λвозб = 357 нм (б), 2Bi/Ce при λвозб = 357 нм (в), 2Bi/Ce при λвозб = 410 нм (г).

Рис. 2.

Окончание

Рис. 3.

Спектры возбуждения люминесценции ПС-НФФ-120 при λлюм = 423 нм (а) и композиционных материалов: 10Bi/Ce при λлюм = 460 нм (б), 2Bi/Ce: 1 – при λлюм = 440 нм, 2 – при λлюм = 510 нм (в).

Из рис. 2 б, в видно, что под действием УФ излучения (при λвозб = 357 нм) у КМ 10Bi/Ce и КМ 2Bi/Ce наблюдается широкополосная люминесценция с максимумами при 416, 441, 460 и 417, 435, 459 нм соответственно вне зависимости от состава КМ. Скорее всего, наблюдаемая фиолетово-синяя люминесценция в диапазоне λлюм = = 416–460 нм связана с Bi3+ионами (электронный переход ${}^{3}{{P}_{1}} \to {}^{1}{{S}_{0}}$) [5, 9, 12, 18]. Люминесценция с максимумом при λлюм = 416–417 нм может быть связана как с кремниевыми кислородно-дефецитными центрами, так и с Ce3+ ионами [16, 19, 20]. Следует отметить, что интенсивность фиолетово-синей люминесценции в диапазоне λлюм = = 416–460 нм возрастает с ростом концентрации церия при неизменном содержании висмута в КМ.

При большей длине возбуждения при λвозб = 410 нм (рис. 2 г) у КМ 2Bi/Ce в спектре люминесценции присутствует широкая полоса с максимумом при λлюм = 509 нм. Обнаруженная зеленая люминесценция также связана с Bi3+ионами (электронный переход ${}^{3}{{P}_{1}} \to {}^{1}{{S}_{0}}$) [21].

Спектры возбуждения люминесценции КМ в зависимости от их состава показаны на рис. 3 б, в в сравнении с ПС-НФФ-120 (рис. 3 а). Из рисунка видно, что у ПС-НФФ-120 при λлюм = 423 нм проявляется полоса при 335 нм, которая связана с кремниевыми дефектными центрами [16]. На спектрах возбуждения сине-зеленой люминесценции: у КМ 10Bi/Ce (при λлюм = 460 нм) отчетливо видны две полосы с максимумом при 357 нм и край полосы при 260 нм; у КМ 2Bi/Ce при λлюм = 440 нм наблюдаются полосы при 316, 353 нм и край полосы при 260 нм, а при λлюм = 510 нм – широкая полоса с максимумом при 373 нм и край полосы при 270 нм. Появление края полос при 260, 270 нм и полосы с максимумами в диапазоне 353–373 нм в образцах КМ могут быть связаны с электронными переходами ${}^{1}{{S}_{0}} \to {}^{1}{{P}_{1}}$ и ${}^{1}{{S}_{0}} \to {}^{3}{{P}_{1}}$ Bi3+ ионов [22]. На спектрах возбуждения полоса при 316 нм характерна для Ce3+ ионов [19].

Результаты исследования КМ методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии в зависимости от состава приведены на рис. 4 а, б. Кремний и кислород распределены достаточно равномерно, а их концентрация по толщине образцов КМ 2Bi/Ce находится в пределах 42.08–45.26 и 48.75–51.69 мас. % соответственно; для образцов КМ 10Bi/Ce находится в пределах 41.91–45.02 и 48.49–51.43 мас. % соответственно. Концентрация фтора, фосфора была нулевой, а бор и азот не были определены, поскольку являются легкими элементами. В образцах КМ 2Bi/Ce содержание натрия было нулевым с “всплесками” с максимальной концентрацией натрия в пределах 0.21–0.31 мас. %. Натрий обнаружен в небольших количествах в КМ 10Bi/Ce в пределах 0.00–0.65 мас. %.

Рис. 4.

Концентрационные профили элементов по толщине образцов и характерные спектры элементного состава центральной части образцов КМ двух серий по данным энергодисперсионной спектроскопии: 10Bi/Ce (а) и 2Bi/Ce (б).

Церий распределен неравномерно в КМ 2Bi/Ce (в пределах 0.00–2.79 мас. %). В образцах КМ 10Bi/Ce концентрация церия находится ниже уровня чувствительности прибора (концентрация должна быть не ниже 0.1–0.2 мас. %). Определены лишь отдельные “всплески” с максимальной концентрацией церия в пределах 0.33–0.55 мас. %.

В образцах КМ 2Bi/Ce висмут находится в пределах 0.53–3.27 мас. %, а в образцах КМ 10Bi/Ce – в пределах 0.00–4.67 мас. %. Висмут распределен неравномерно. Наибольшая концентрация висмута и церия в образцах КМ наблюдается в поверхностном слое образцов с резким снижением до нуля (из-за краевого эффекта). В центральной части образцов содержание висмута находится на уровне ~1.0–3.0 мас. %. Средние значения, погрешность определения концентраций элементов в образцах КМ и их пределы обнаружения сведены в табл. 1. Видно, что средние значения элементов отличаются только у натрия и церия. Содержание натрия находится на пределе чувствительности прибора (концентрация должна быть не ниже 0.1–0.2 мас. %). При неизменной концентрации висмута (0.5 М) в растворах, содержание церия в растворе различается в 5 раз, что приводит к увеличению средней концентрации церия в КМ, определенной методом ЭДС, в ~25 раз.

Таблица 1.  

Элементный анализ образцов по данным энергодисперсионной спектроскопии. Обнаруженные пределы концентраций и их средние значения

Образцы КМ Si O Na Bi Ce
мас. %  
10Bi/Ce 41.91–45.02
(43.76 ± 0.20) 		48.49–51.43
(50.18 ± 0.63) 		0.00–0.65
(0.46 ± 0.09) 		0.00–4.67
(1.54 ± 0.22) 		0.00–0.55
(0.03 ± 0.13)
2Bi/Ce 42.08–45.26
(43.62 ± 0.24) 		48.75–51.69
(50.05 ± 0.75) 		0.00–0.31
(0.04 ± 0.09) 		0.53–3.27
(1.77 ± 0.29) 		0.00–2.79
(0.76 ± 0.17)

На спектрах КМ обнаружены пики, соответствующие основным компонентам (сильные пики – Si, O; слабые пики – Na) и слабые пики Bi в интервале энергий ~2.4–3.2 кэВ, Ce – ~4.2–5.4 кэВ.

На рис. 5 показаны ИК спектры пропускания в области частот 800–450 см–1 КМ 2Bi/Ce и КМ 10Bi/Ce при 730°С. Полосы при 736, 596, 588 см–1, скорее всего, связаны с симметричными валентными колебаниями Si–O–Si связей νs (Si–O–Si) и Si–O связей νs (Si–O) [23, 24]. Изменение локальной симметрии сильно искаженных [BiO6] многогранников может проявляться появлением полос при 596 и 588 см–1 [24]. Наличие слабых полос при 556 и 540 см–1 может говорить об асимметричных валентных колебаниях Bi–O–Si связей νas (Bi–O–Si), наличии низкотемпературной модификации α-Bi2O3, валентных колебаниях связей Bi–O в октаэдрических [BiO6] структурных единицах, колебаниях катионов Bi3+ в [BiO6] и/или [BiO3] структурных единицах [25–27]. Обнаруженные полосы при 660, 652, 624, 620, 596, 540 см–1 характерны для низкотемпературной моноклинной модификации оксида висмута (α-Bi2O3) [27]. Наличие же полосы при 484 см–1, возможно, связано с формированием CeO2 и кристаллов α‑Bi2O3 (колебания связей Bi–O в [BiO6] структурных единицах) [20, 27].

Рис. 5.

ИК спектры пропускания КМ в зависимости от состава: 1 – 2Bi/Ce, 2 – 10Bi/Ce.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основе матриц из высококремнеземных нанопористых стекол синтезированы композиционные материалы, активированных ионами висмута и церия, в зависимости от их состава (концентрация введенного висмута, церия и их соотношения). Исследованы спектрально-люминесцентные свойства синтезированных композиционных материалов в зависимости от условий их получения.

Установлено, что образцы композиционных материалов, активированных ионами висмута и церия, обладают сине-зеленой люминесценцией с максимумами в области 416–509 нм, которые связаны с присутствием Bi3+ и Ce3+ ионов. Методом энергодисперсионной спектроскопии выявлено, что висмут и церий распределены неравномерно по толщине образцов КМ. Наблюдается резкий рост и снижение концентраций элементов в поверхностном слое образцов.

Методом ИК спектроскопии в КМ идентифицированы колебания: νs (Si–O–Si), νs (Si–O), νas (Bi–O–Si) связей; νs (Bi–O) связей в [BiO3] и [BiO6] структурных единицах. Установлены полосы поглощения, характерные для CeO2 и α-Bi2O3.

Список литературы

  1. Пыненков А.А., Нищев К.Н., Фирстов С.В., Сивко А.П. Влияние окислительно-восстановительных условий синтеза на спектрально-люминесцентные свойства германатных стекол, активированных ионами висмута // Физика и химия стекла. 2015. Т. 41. № 1. С. 145–151.

  2. Winterstein A., Manning S., Ebendorff-Heidepriem H., Wondraczek L. Luminescence from bismuth-germanate glasses and its manipulation through oxidants // Optical Materials Express. 2012. V. 2. № 10. P. 1320–1328.

  3. Chu Y., Ren J., Zhang J., Peng G., Yang J., Wang P., Yuan L. Ce3+/Yb3+/Er3+ triply doped bismuth borosilicate glass: a potential fiber material for broadband near-infrared fiber amplifiers // Scientific Reports. 2016. V. 6, article 33865.

  4. Галаган Б.И., Денкер Б.И., Ху Л., Сверчков С.Е., Шульман И.Л., Дианов Е.М. Влияние примесей переменной валентности на формирование висмутовых оптических центров в силикатном стекле // Квантовая электроника. 2012. Т. 42. № 10. С. 940–942.

  5. Li J., Liao L., Chu Y., Liu P., Li H., Peng J., Dai N. Effect of cerium oxide and niobium oxide addition on absorption and emission properties of bismuth doped silicate glasses // J. Non-Crystalline Solids. 2016. V. 431. P. 159–163.

  6. Barbi S., Mugoni C., Montorsi M., Affatigato M., Gatto C., Siligardi C. Structural and optical properties of cerium oxide doped barium bismuth borate glasses // J. Non-Crystalline Solids. 2018. V. 499. P. 183–188.

  7. Dianov E.M. Nature of Bi-related near IR active centers in glasses: state of the art and first reliable results // Laser. Phys. Lett. 2015. V. 12. Article 095106. 6 p.

  8. Гирсова М.А., Куриленко Л.Н., Анфимова И.Н., Арсентьев М.Ю., Дикая Л.Ф., Семенова Е.А. Фазовый состав и оптические свойства композиционных материалов, легированных бромидом серебра и ионами Ce3+ или Er3+ // Известия Академии наук. Серия химическая. 2020. № 5. С. 920–925.

  9. Пат. 2605711 Российская Федерация, МПК-2006.01 C 09 K 11/08, C 09 K 11/74, C 03 C 4/12; МПК-2011.01 B 82 Y 40/00. Способ изготовления люминесцентного висмутсодержащего кварцоидного материала на основе высококремнеземного пористого стекла / Антропова Т.В., Гирсова М.А., Анфимова И.Н., Головина Г.Ф., Куриленко Л.Н., Фирстов С.В.; заявитель и патентообладатель Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук. – № 2015117713/05; заявл. 12.05.2015; опубл. 27.12.2016, Бюл. № 36. – 17 с.

  10. Лидин Р.А., Андреева Л.Л., Молочко В.А. Константы неорганических веществ. Справочник. М.: Дрофа, 2008, 685 с.

  11. Fan X., Su L., Ren G., Jiang X., Xing H., Hu J., Tang H., Li H., Zheng L., Qian X., Feng H. Influence of thermal treatment on the near-infrared broadband luminescence of Bi:CsI crystals // Optical Materials Express. 2013. V. 3. P. 400–406.

  12. Zhou S., Jiang N., Zhu B., Yang H., Ye S., Lakshminarayana G., Hao J., Qiu J. Multifunctional Bismuth-Doped Nanoporous Silica Glass: From Blue-Green, Orange, Red, and White Light Sources to Ultra-Broadband Infrared Amplifiers // Advanced Functional Materials. 2008. V. 18. № 9. P. 1407–1413.

  13. Paje S.E., Garcia M.A., Villegas M.A., Llopis J. Cerium doped soda-lime-silicate glasses: effects of silver ion-exchange on optical properties // Optical Materials. 2001. V. 17. P. 459–469.

  14. Marzouk M.A., ElBatal F.H., Morsi R.M.M. Optical and FTIR Absorption Spectra of CeO2 – Doped Cadmium Borate Glasses and Effects of Gamma Irradiation // Silicon. 2017. V. 9. P. 105–110. https://doi.org/10.1007/s12633-015-9400-x

  15. Hamstra M.A., Folkerts H.F., Blasse G. Red bismuth emission in alkaline-earth-metal sulfates // J. Mater. Chem. 1994. Vol. 4. N 8. P. 1349—1350.

  16. Sokolov V.O., Sulimov V.B. Theory of Twofold Coordinated Silicon and Germanium Atoms in Solid Silicon Dioxide // Phys. Stat. Sol. B. 1994. V. 186. № 3. P. 185–198.

  17. Гирсова М.А., Головина Г.Ф., Куриленко Л.Н., Анфимова И.Н. Спектрально-люминесцентные свойства нанокомпозитных материалов на основе пористых силикатных стекол, легированных бромидами серебра и меди // Физика и химия стекла. 2020. Т. 46. № 6. С. 560–573.

  18. Zhou S., Lei W., Jiang N., Hao J., Wu E., Zeng H., Qiu J. Space-selective control of luminescence inside the Bi-doped mesoporous silica glass by a femtosecond laser // J. Materials Chemistry. 2009. V. 19. P. 4603–4608.

  19. Malchukova E., Boizot B. Tunable luminescence from Ce-doped aluminoborosilicate glasses // J. Rare Earths. 2014. V. 32. № 3. P. 217–220.

  20. Ansari A.A., Kaushik A. Synthesis and optical properties of nanostructured Ce(OH)4 // J. Semiconductors. 2010. V. 31. № 3. P. 033001/1–033001/4.

  21. Gaft M., Reisfeld R., Panczer G., Boulon G., Saraidarov T., Erlish S. The luminescence of Bi, Ag and Cu in natural and synthetic barite BaSO4 // Optical Materials. 2001. V. 16. № 1–2. P. 279–290.

  22. Abo-Naf S.M., Abdel-Hameed S.A.M., Fayad A.M., Marzouk M.A., Hamdy Y.M. Photoluminescence behavior of MO3–B2O3–CeO2–Bi2O3 (M = Mo or W) glasses and their counterparts nano-glass-ceramics // Ceramics International. 2018. V. 44. № 17. P. 21800–21809.

  23. Husung R.D., Doremus R.H. The infrared transmission spectra of four silicate glasses before and after exposure to water // J. Materials Research. 1990. V. 5. № 10. P. 2209–2217. https://doi.org/10.1557/jmr.1990.2209

  24. Hammad A.H., Abdelghany A.M., ElBatal H.A. Thermal, Structural, and Morphological Investigations of Modified Bismuth Silicate Glass-Ceramics // Silicon. 2017. V. 9. № 2. P. 239–248.

  25. Dult M., Kundu R.S., Berwal N., Punia R., Kishore N. Manganese modified structural and optical properties of bismuth silicate glasses // J. Molecular Structure. 2015. V. 1089. P. 32–37. https://doi.org/10.1016/j.molstruc.2015.02.025

  26. Kundu R.S., Dult M., Punia R., Parmar R., Kishore N. Titanium induced structural modifications in bismuth silicate glasses // J. Molecular Structure. 2014. V. 1063. P. 77–82. https://doi.org/10.1016/j.molstruc.2014.01.057

  27. Ardelean I., Rusu D. Structural investigations of some Bi2O3 based glasses // J. Optoelectronics and Advanced Materials. 2008. V. 10. № 1. P. 66–73.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Физика и химия стекла

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал