Известия РАН. Серия физическая, 2019, T. 83, № 12, стр. 1609-1611
Экситонная нутация в слое полупроводниковых квантовых точeк
В. В. Самарцев 1, *, Т. Г. Митрофанова 1, О. Х. Хасанов 2
1 Казанский физико-технический институт имени Е.К. Завойского – обособленное структурное подразделение Федерального государственного бюджетного учреждения науки “Федеральный исследовательский центр
“Казанский научный центр Российской академии наук”
Казань, Россия
2 Государственное научно-практическое объединение “Научно-практический центр по материаловедению Национальной академии наук Беларуси”
Минск, Беларусь
* E-mail: samartsev@kfti.knc.ru
Поступила в редакцию 20.06.2019
После доработки 20.07.2019
Принята к публикации 27.08.2019
Аннотация
Теоретически показана возможность наблюдения экситонной нутации в тонком слое полупроводниковых квантовых точек типа CdSe/CdS/ZnS.
ВВЕДЕНИЕ
Данная работа посвящена теоретическому исследованию возможности и условий наблюдения экситонной нутации (ЭН) в тонком слое полупроводниковых квантовых точек (ПКТ). В оптике нутационный эффект впервые наблюдали Г. Хоккер и К. Танг [1]. Позднее в работе [2] был предложен и реализован эффективный метод возбуждения этого нелинейного явления, когда на резонансную среду воздействуют два лазерных импульса: один – слабый и протяженный, и второй – мощный и короткий на фоне первого. В результате второй мощный импульс образует по отношению к слабому необходимый (близкий к 90°) “пьедестал”, который на выходе из среды оказывается модулированным с частотой Раби. Модуляционная картина оказывается затухающей, а по ее спаду обычно удается оценить время поперечной необратимой релаксации Т2.
В качестве образца мы предлагаем использовать тонкий слой ПКТ CdSe/CdS/ZnS, нанесенный на подложку. О синтезе тонких пленок, содержащих таких ПКТ и первых измерениях в них откликов типа фотонного эха, сообщалось в работе [3]. Экспериментальная техника подробно описана авторами в [4–6]. Позднее появились экспериментальные работы [7, 8], посвященные исследованию фотонного эха в таких ПКТ, изготовляемых в России производством “QDlight” методом коллоидного синтеза. Заявленный размер коллоидных ПКТ CdSe/CdS/ZnS равен 3–7 нм. В работе [7] отмечалось, что наличие двух оболочек из CdS и ZnS вокруг ядра CdSe способствует улучшению излучательных свойств, фотостабильности и высокому квантовому выходу по сравнению с нанокристаллами с одной оболочкой и без оболочки. Была разработана специальная методика для получения однородных и качественных образцов и создан экспериментальный стенд, позволяющий наносить однородные пленки ПКТ CdSe/CdS/ZnS из раствора на поверхность стеклянной подложки. Оптические свойства образцов исследовались методом конфокальной люминесцентной микроспектроскопии [7]. В итоге было показано, что ПКТ распределены равномерно по тонкому слою пленки. Согласно [7], возбуждение следует вести на длине волны 580 нм при температуре образца 10 К, когда время необратимой релаксации составляет 0.75 пс. В этом случае пикосекундный лазер, согласно [9], возбудит сначала свободные электронно-дырочные пары, которые затем, теряя энергию, превращаются в связанные электронно-дырочные пары, т.е. в экситоны Ванье–Мотта – единственную форму существования фотонного возбуждения в ПКТ [10, 11], причем размер экситона Ванье–Мотта примерно равен размеру ПКТ. Поскольку тонкий слой ПКТ CdSe/CdS/ZnS нанесен на стеклянную подложку, возбуждение и съем пикосекундных оптических импульсов удобно вести с помощью призм полного внутреннего отражения [12].
ЭКСИТОННАЯ НУТАЦИЯ В ТОНКОМ СЛОЕ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК
В случае относительно протяженного лазерного импульса псевдоэлектрический диполь совершает нутационное движение, приводящее к модуляции временной формы импульса с частотой Раби. Корректный расчет требует учета во время действия импульса необратимой дефазировки (Т1 и Т2), что для отдельных частных импульсов выполнено Г. Торри [13]. Это приводит к затуханию модуляции по закону: $\exp \left[ { - \left( {\frac{1}{{{{T}_{1}}}} + \frac{1}{{{{T}_{2}}}}} \right)t} \right],$ где Т1 и Т2 – времена релаксации, t – время.
Экситонная нутация была предсказана в работе [14] (см. также более позднюю статью [15] и обзор [16]). Следуя [14], запишем электрическое поле лазерного импульса в виде:
(1)
$\vec {E} = {{\vec {E}}_{0}}(z,t)\exp \{ - i(\vec {\kappa }\vec {z} - \omega t)\} + {\text{э}}{\text{.с}}.,$(2)
$\begin{gathered} H = \sum\limits_{\vec {k}} {{{E}_{{{{{\vec {k}}}_{f}}}}}B_{{{{{\vec {k}}}_{f}}}}^{ + }{{B}_{{{{{\vec {k}}}_{f}}}}}} - \frac{{{{\omega }_{f}}}}{{2\omega }}\sqrt N \times \\ \times \,\,\left\{ {({{{\vec {E}}}_{0}}{{{\vec {d}}}_{f}})B_{{{{{{\vec {\kappa }}}}_{f}}}}^{ + }\exp ( - i\omega t) + {\text{э}}{\text{.с}}{\text{.}}} \right\}, \\ \end{gathered} $(3)
${{[{{B}_{{\vec {k}}}},B_{{\vec {k}{\kern 1pt} '}}^{ + }]}_{ - }} = {{\delta }_{{\vec {k}\vec {k}{\kern 1pt} '}}} - \frac{2}{N}\sum\limits_n {B_{{\vec {n}}}^{ + }{{B}_{{\vec {n}}}}\exp \{ - i\vec {n}(\vec {k}{\kern 1pt} ' - \vec {k})\} } ,$(4)
$\left[ {{{B}_{{\vec {n}}}},B_{{\vec {n}}}^{ + }} \right] = 1 - 2B_{{\vec {n}}}^{ + }{{B}_{{\vec {n}}}}.$Согласно [14], электрическая поляризация ПКТ в момент t имеет вид:
(5)
$\begin{gathered} \vec {P}(t,\vec {n}) = \\ = \left( {\frac{{{{{\vec {d}}}_{f}}}}{{V\sqrt N }}} \right)\sum\limits_{\vec {k}} {\left\{ {B_{{\vec {k}}}^{ + }\exp ( - i\vec {k}\vec {n}) + {{B}_{{\vec {k}}}}\exp (i\vec {k}\vec {n})} \right\}} , \\ \end{gathered} $(6)
$\begin{gathered} \frac{{{{d}^{2}}{{{\vec {P}}}_{ \bot }}(t)}}{{d{{t}^{2}}}} + \left( {\frac{1}{{{{T}_{1}}}} + \frac{1}{{{{T}_{2}}}}} \right)\frac{{d{{{\vec {P}}}_{ \bot }}(t)}}{{dt}} + \\ + \,\,\left( {d_{f}^{2}E_{0}^{2} + \frac{1}{{{{T}_{1}}{{T}_{2}}}}} \right){{{\vec {P}}}_{ \bot }}(t) = - \frac{{d_{f}^{2}{{{\vec {E}}}_{0}}}}{{\upsilon {{T}_{1}}}}, \\ \end{gathered} $(7)
$\begin{gathered} {{{\vec {P}}}_{ \bot }}(t) = - \frac{{\left| {{{{\vec {d}}}_{f}}} \right|}}{\upsilon }{{e}^{{ - \frac{1}{2}\left( {\frac{1}{{{{T}_{1}}}} + \frac{1}{{{{T}_{2}}}}} \right)}}} \times \\ \times \,\,\sin \left\{ {\sqrt {d_{f}^{2}E_{0}^{2} - \frac{1}{4}{{{\left( {\frac{1}{{{{T}_{2}}}} - \frac{1}{{{{T}_{1}}}}} \right)}}^{2}}} t} \right\} - \\ - \,\,d_{f}^{2}{{E}_{0}}{{T}_{2}}{{\left[ {\upsilon (d_{f}^{2}E_{0}^{2}{{T}_{1}}{{T}_{2}} + 1)} \right]}^{{ - 1}}}. \\ \end{gathered} $Таким образом, экситонная поляризация среды в случае ЭН изменяется по гармоническому закону с частотой
(8)
$\Omega = \sqrt {d_{f}^{2}E_{0}^{2} - \frac{1}{4}{{{\left( {\frac{1}{{{{T}_{2}}}} - \frac{1}{{{{T}_{1}}}}} \right)}}^{2}}} ,$получившей название частоты экситонной нутации. Обратим внимание на последний постоянный член в решении (7), который соответствует стационарному решению самосогласованной задачи. В случае $\left| {d_{f}^{2}E_{0}^{2}} \right| \gg \left| {\frac{1}{{{{T}_{2}}}} - \frac{1}{{{{T}_{1}}}}} \right|,$ решение (7) приобретает вид:
(9)
$\begin{gathered} {{{\vec {P}}}_{ \bot }}(t) = - \frac{{\left| {{{{\vec {d}}}_{f}}} \right|}}{\upsilon }{{e}^{{ - \frac{t}{{{{T}_{2}}}}}}} \cdot \sin \left\{ {{{{\vec {d}}}_{f}}{{{\vec {E}}}_{0}}t} \right\} - \\ - \,\,d_{f}^{2}{{E}_{0}}{{T}_{2}}{{\left[ {\upsilon \left( {d_{f}^{2}E_{0}^{2}{{T}_{1}}{{T}_{2}} + 1} \right)} \right]}^{{ - 1}}}. \\ \end{gathered} $Подставляя (9) в уравнение Максвелла
(10)
$\frac{{\partial {{E}_{0}}(z,t)}}{{\partial z}} + \frac{n}{c}\frac{{\partial {{E}_{0}}(z,t)}}{{\partial t}} = \frac{{2\pi \omega }}{{cn}}{{P}_{ \bot }}(t),$получаем решение для амплитуды поля:
(11)
$\begin{gathered} {{E}_{0}}(z,t) = \\ = \,\,{{E}_{0}}\left( {1 - \frac{{\alpha z}}{{\Omega {{T}_{2}}}}\sin \Omega t{{e}^{{ - {t \mathord{\left/ {\vphantom {t {{{T}_{2}}}}} \right. \kern-0em} {{{T}_{2}}}}}}} - \frac{{\alpha z}}{{{{\Omega }^{2}}{{T}^{2}} + 1}}} \right), \\ \end{gathered} $Список литературы
Hocker G.B., Tang C.L. // Phys. Rev. Lett. 1968. V. 21. P. 631.
Алимпиев С.С., Карлов Н.В. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1973. Т. 37. № 10. С. 2073.
Karimullin K.R., Knyazev M.V., Arzhanov A.I. et al. // J. Phys. Conf. Ser. 2017. V. 859. Art. № 012010.
Каримуллин К.Р., Князев М.В., Наумов А.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2014. Т. 78. № 12. С. 1539; Karimullin K.R., Knyazev M.V., Naumov A.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2014. V. 78. № 12. P. 1254.
Knyazev M.V., Karimullin K.R., Naumov A.V. // Phys. Stat. Sol. RRL. 2017. V. 11. № 3. Art. № 1600414.
Каримуллин К.Р., Аржанов А.И., Наумов А.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2017. Т. 81. № 12. С. 1581; Karimullin K.R., Naumov A.V., Arzhanov A.I. // Bull. Rus. Acad. Sci. Phys. 2017. V. 81. № 12. P. 1396.
Каримуллин К.Р., Аржанов А.И., Наумов А.В. // Изв. РАН. Сер. физ. 2018. Т. 82. № 11. С. 1620; Karimullin K.R., Arzhanov A.I., Naumov A.V. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. V. 82. № 11. P. 1620.
Аржанов А.И., Каримуллин К.Р., Наумов А.В. // Кр. сообщ. по физ. Физ. ин-та им. П.Н. Лебедева РАН. 2018. Т. 45. № 3. С. 39; Arzhanov A.I., Karimullin K.R., Naumov A.V. // Bull. Lebedev Phys. Inst. 2018. V. 45. № 3. P. 91.
Осадько И.С. Флуктуирующая флюоресценция наночастиц. М.: Наука, 2011. С. 299.
Li X., Wu Y., Steel D. et al. // Science. 2003. V. 301. P. 809.
Ikezawa M., Nairs S., Masumoto Y. et al. // J. Lumin. 2007. V. 122-123. P. 730.
Власов Р.А., Гадомский О.Н., Гадомская И.В., Самарцев В.В. // ЖЭТФ. 1986. Т. 90. № 6. С. 1938.
Torrey H.C. // Phys. Rev. 1949. V. 76. № 9. P. 1059.
Kopvillem U.Kh., Samartsev V.V., Sheibut Yu.E. // Phys. Stat. Sol. B. 1975. V. 70. P. 799.
Samartsev V.V., Sheibut Yu.E., Ivanov Yu. S. // Spectr. Lett. 1976. V. 9. № 1. P. 57.
Samartsev V.V., Sheibut Yu.E. // Las. Phys. 1991. V. 1. № 5. P. 482.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Известия РАН. Серия физическая