Известия РАН. Серия физическая, 2019, T. 83, № 7, стр. 910-913

Резонансная спиновая накачка в акустическом СВЧ-резонаторе со структурой ZnO-ГГГ-ЖИГ/Pt

Н. И. Ползикова 1*, С. Г. Алексеев 1, В. А. Лузанов 2, А. О. Раевский 2

1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова Российской академии наук”
Москва, Россия

2 Фрязинский филиал федерального государственного бюджетного учреждения науки “Институт радиотехники и электроники имени В.А. Котельникова Российской академии наук”
Фрязино, Россия

* E-mail: polz@cplire.ru

Поступила в редакцию 07.09.2018
После доработки 31.01.2019
Принята к публикации 27.03.2019

Полный текст (PDF)

Аннотация

Построена теория для описания акустической спиновой накачки в резонаторе объемных акустических волн со структурой ZnO-ЖИГ-ГГГ-ЖИГ/Pt, учитывающая обменный вклад в формирование спектра связанных магнитоупругих волн и обратное влияние акустически возбужденной магнитной динамики в пленках ЖИГ на упругую подсистему во всех слоях. Получено хорошее соответствие теоретических и экспериментальных частотно-полевых зависимостей резонансных частот резонатора и величины напряжения обратного спинового эффекта Холла в Pt.

В магнитоэлектрических композитных структурах, содержащих пьезоэлектрические и ферро(ферри)магнитные (ФМ) слои, ферромагнитный резонанс (ФМР) или спиновые волны (ADSW – acoustically driven spin waves) могут возбуждаться с помощью переменного электрического поля за счет пьезоэффекта и магнитострикции в соответствующих слоях. Поскольку такое электроакустическое возбуждение спиновой динамики не требует приложения переменных магнитных полей и создающих их токов, то устройства на основе ADSW могут работать с низким энергетическим потреблением. В частности, ADSW перспективны для применения в области микроволновой спинтроники для создания акустической спиновой накачки (АСН) – преобразования спинового углового момента ADSW в постоянный спиновый ток (СТ) на границе ФМ с немагнитным металлом [13].

Недавно для создания эффективной АСН нами был предложен магнитоэлектрический спинтронный резонатор объемных акустических волн (АВ) со структурой железоиттриевый гранат (ЖИГ)/Pt (см. рис. 1) [4, 5]. Пленочный пьезопреобразователь (2-1-2) возбуждает в гигагерцовом диапазоне частот f высокие (n ~ 500) моды резонатора fn с межмодовым расстоянием Δfn ~ 2–3 МГц [6]. В магнитном поле $\vec {H},$ соответствующем магнитоупругому резонансу (МУР), накопленная упругая энергия эффективно передается в магнитную подсистему, что приводит к возбуждению ADSW в пленках ЖИГ 3, 5. Как было показано в предыдущих работах [79], частоты fn(H) испытывают сдвиг и расщепление при изменении поля вблизи МУР, что является следствием обратного действия ADSW на упругую подсистему всех слоев. Таким образом, по изменению частотной зависимости коэффициента отражения S11 под действием магнитного поля возможно опосредованное детектирование ADSW с помощью пьезопреобразователя.

Рис. 1.

Схема резонатора: 1 – пленка ZnO, 2 – электроды из Al толщиной 0.15–0.2 мкм с диаметрами в области перекрытия a = 170 мкм, 3, 5 – эпитаксиальные пленки ЖИГ, 4 – монокристаллическая подложка из ГГГ, 6 – тонкая пленка Pt, сформированная в виде полосы с направлением, перпендикулярным плоскости рисунка. Постоянное электрическое поле ${{\vec {E}}_{{{\text{ISHE}}}}}$ создает электрическое напряжение UISHE = = (${{\vec {E}}_{{{\text{ISHE}}}}}\vec {a}$).

Другим способом электрического детектирования ADSW является измерение постоянного напряжения в немагнитном металле, непосредственно контактирующем с ФМ. На границе пленки ЖИГ c немагнитным металлом (Pt) происходит преобразование спинового углового момента ADSW в постоянный СТ ${{\vec {j}}_{s}},$ т.е. создается спиновая накачка [10]. Детектирование СТ происходит в результате его конвертации в ток проводимости за счет обратного спинового эффекта Холла (inverse spin Hall effect – ISHE) [11]. Таким образом, измеряя постоянное напряжение UISHE на концах полоски Pt (рис. 1), можно непосредственно детектировать ADSW и создаваемые ими СТ.

В работе [5] в результате одновременного частотно-полевого сканирования коэффициента отражения S11 и напряжения UISHE нами была обнаружена значительная асимметрия поведения UISHE(f, H) относительно частоты МУР, которая не наблюдается в зависимости S11(f, H). Это является отражением качественного отличия упомянутых выше характеристик ADSW. А именно, зависимость S11(f, H) является опосредованной и интегральной характеристикой, отражающей изменение набегов фаз АВ по толщине ФМ-слоев в результате изменения дисперсионной характеристики (и фазовой скорости) в области МУР. Зависимость UISHE(f, H) несет информацию о прецессии намагниченности непосредственно на границе ФМ/Pt.

В данной работе построена теоретическая модель, описывающая генерацию ADSW и CT в системе ЖИГ/Pt с помощью пьезоэлектрического преобразователя в условиях двойного резонанса: МУР в пленке ЖИГ и чисто упругого резонанса во всей многослойной структуре резонатора АВ. При этом учтены: вклад неоднородного обмена в формирование спектра связанных магнитоупругих волн в пленках ЖИГ; соответствующие граничные условия и особенности пьезоэлектрического возбуждения резонатора. Результаты расчета UISHE(f, H) и S11(f, H) позволяют получить качественное и количественное соответствие с экспериментальными данными. Рассмотрено влияние толщины пленок ЖИГ на указанные зависимости.

Мы используем линейное и одномерное приближения, полагая, что все переменные величины зависят от координаты x и времени t как $\exp [i({{k}^{{(j)}}}x - 2\pi ft)],$ где ${{k}^{{(j)}}}$ – волновое число в j‑м слое. В немагнитных слоях решение волновых уравнений для упругих смещений $u_{z}^{{(j)}}$ дает связь k(j) = ±(2πf/V(j)), где ${{V}^{{(j)}}}$ = $\sqrt {{{{{C}^{{(j)}}}} \mathord{\left/ {\vphantom {{{{C}^{{(j)}}}} {{{\rho }^{{(j)}}}}}} \right. \kern-0em} {{{\rho }^{{(j)}}}}}} $ – фазовая скорость сдвиговой АВ в среде с плотность $\rho $(j) и упругим модулем С (j). В ФМ слоях (индексы j = 3, 5 далее опускаем) учитывается магнитоупругий вклад в плотность энергии, что приводит к связи уравнений движения для uz и для переменной намагниченности $\vec {m}$ = (mx, mу, 0). В результате решения этих уравнений получается секулярное уравнение для связанных волн (f  2$f_{{{\text{А В }}}}^{{\text{2}}}$)(f  2$f_{{{\text{CВ }}}}^{{\text{2}}}$) = ξfHfM$f_{{{\text{А В }}}}^{{\text{2}}}$ [8, 9, 1214]. Здесь сомножители левой части представляют собой законы дисперсии для невзаимодействующих АВ и спиновой волны (СВ), $\xi $ = = ${{B_{2}^{2}} \mathord{\left/ {\vphantom {{B_{2}^{2}} {\left( {{\text{4}}\pi {\text{C}}M_{0}^{2}} \right)}}} \right. \kern-0em} {\left( {{\text{4}}\pi {\text{C}}M_{0}^{2}} \right)}}$ – параметр их взаимодействия, зависящий от константы магнитоупругости В2 (см. [12]), 2πfАВ = kV, $f_{{{\text{CВ }}}}^{{\text{2}}}$ = fH(fM + fH), ${{f}_{H}}$ = = ${\gamma (}H + D{{k}^{2}}{\text{),}}$ ${{f}_{M}}$ = $\gamma {\text{4}}\pi {{M}_{0}},$ M0, D и γ ≈ 2.8 МГц/Э – намагниченность насыщения, обменная жесткость и гиромагнитное отношение. Из условий фазового синхронизма АВ и СВ находятся условия МУР: (f, k) = (fМУР, kМУР). Общее решение для смещения и намагниченности записывается в виде (uz, mx,y) = ∑(1, αl x,y)Al  exp(iklx), где kl = ±|k1, 2, 3| – корни бикубического секулярного уравнения.

Решения уравнений движения во всех слоях должны удовлетворять граничным условиям непрерывности упругих смещений и напряжений, а также дополнительным условиям на намагниченность на границах ФМ слоев (здесь – ∂mx,y/∂x = 0). Из решения полученных уравнений можно выразить все амплитудные коэффициенты через переменное напряжение, подаваемое на электроды 2 от внешнего источника, и получить пространственное распределение всех переменных величин, а также выражение для комплексного коэффициента отражения от преобразователя S11(f,H).

Рассмотрим теперь акустическую спиновую накачку. Усредненная по периоду волны плотность СТ может быть записана в виде ${{\vec {j}}_{s}} \propto {{g}_{r}}{{\theta }^{2}}\vec {n},$ где $\vec {n}$ – нормаль к нижней поверхности ЖИГ, $\theta $ = = $\sqrt {\operatorname{Im} \left[ {{{m_{x}^{*}({{x}_{5}}){{m}_{y}}({{x}_{5}})} \mathord{\left/ {\vphantom {{m_{x}^{*}({{x}_{5}}){{m}_{y}}({{x}_{5}})} {M_{0}^{2}}}} \right. \kern-0em} {M_{0}^{2}}}} \right]} $ – угол конуса прецессии намагниченности (см. рис. 1) и gr – параметр, характеризующий sd обменное взаимодействие на интерфейсе ЖИГ/Pt [10]. Детектирование СТ происходит за счет ISHE в Pt с характерным угловым параметром ${{\theta }_{{{\text{SH}}}}}$ [11]. Поскольку ${{\theta }_{{{\text{SH}}}}}$и gr характеризуют материал спинового детектора (Pt) и интерфейса ЖИГ/Pt и их можно считать константами, не зависящими от частоты, поля и толщин слоев, то напряжение на полоске Pt находится как ${{U}_{{{\text{ISHE}}}}}$$({{g}_{r}}{{\theta }_{{{\text{SH}}}}}){{\theta }^{2}}$${{\theta }^{2}}.$ Таким образом, функциональные зависимости эффективности АСН определяются только углом конуса прецессии, который мы вычисляем, используя результаты линейной теории для компонент mx, y.

На рис. 2 показаны частотные зависимости UISHE (а, в) и |S11| (б, г) при постоянном магнитном поле Н0 = 744 Э для двух односторонних структур (пленка ЖИГ 3 отсутствует) с различными толщинами пленки 5. Материальные параметры слоев резонатора соответствуют экспериментальным [5]. Различие частот fМУР и fФМРfСВ(k = 0) является следствием учета неоднородного обмена и составляет 30 МГц, что сравнимо с величиной магнитоупругой щели $\sqrt {\xi {{f}_{H}}{{f}_{M}}} $ и на порядок превышает Δfn. Значительная асимметрия зависимости UISHE(f,H0) (см. рис. 2а) относительно fМУР(H0) аналогична наблюдавшейся ранее в эксперименте. Частота f0, соответствующая максимуму огибающей UISHE(f,H0), расположена чуть ниже частоты fФМР (примерно на 1 МГц), что соответствует результатам других теоретических работ (см., например, [14]). Характерно, что в поведении |S11(f,H0)| (см. рис. 2б) не обнаружено качественных отличий при отстройке частоты ниже или выше частоты fМУР(H0). Подгонка рассчитанных и экспериментальных зависимостей UISHE и |S11| от частоты и магнитного поля приводит к следующим характерным величинам констант: B2 = = 4 ⋅  106 эрг · см–3, D = 4.46 ⋅ 10–9 Э · см2. Для намагниченности получаем 4πM0 = 955 Гс, что также характерно для легированного ЖИГ, использованного в эксперименте [5].

Рис. 2.

Частотные зависимости: а, в – нормированного сигнала постоянного напряжения UISHE, б, г – модуля коэффициента отражения |S11| при постоянном магнитном поле H0 = 744 Э и при толщинах пленки ЖИГ s = 31 мкм (а, б) и s = 0.4 мкм (в, г). Штриховые линии соответствуют частоте fМУР, штрихпунктирные – частоте fФМР.

Анализ влияния толщины s ФМ-пленки на эффективность спиновой накачки показал, что при уменьшении s от исходного значения 31 мкм до ~0.2 мкм величина максимума UISHE(f0, s) увеличивается более чем на порядок, а затем резко уменьшается. Отметим, что в диапазоне толщин 0.15 мкм < s < 2–3 мкм возникают дополнительные частотные области локализации максимумов UISHE(fk, s). Вследствие неоднородного характера возбуждающего эффективного магнитного поля упругой природы высшие моды СВР (как четные, так и нечетные) могут возбуждаться с эффективностью, сравнимой с эффективностью основной моды. Пример такого возбуждения для пленки ЖИГ толщиной 0.4 мкм показан на рис. 2в, 2г. Эффективность возбуждения СВР на частоте f1 ≈ ≈ 3.22 ГГц даже превышает эффективность возбуждения на частотах вблизи f0.

Построена самосогласованная теория для расчета спектров составного магнитоэлектрического резонатора объемных АВ и вычисления постоянного напряжения, обусловленного комбинацией двух эффектов: акустической спиновой накачки и ISHE. В результате получено качественное и количественное соответствие между расчётными и экспериментальными данными.

Работа выполнена в рамках государственного задания и при частичной поддержке грантами РФФИ №№ 16-07-01210, 17-07-01498.

Список литературы

  1. Uchida K., An T., Kajiwara Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. № 21. Art. № 212501.

  2. Dreher L., Weiler M., Pernpeintner M. et al. // Phys. Rev. B. 2012. V. 86. № 13. Art № 134415.

  3. Weiler M., Huebl H., Goerg F.S. et al. // Phys. Rev. Lett. 2012. V. 108. № 17. Art. № 17660.

  4. Polzikova N.I., Alekseev S.G., Pyataikin I.I. et al. // AIP Adv. 2016. V. 6. № 5. Art. № 056306.

  5. Polzikova N.I., Alekseev S.G., Pyataikin I.I. et al. // AIP Adv. 2018. V. 8. № 5. Art. № 056128.

  6. Mansfeld G.D., Alekseev S.G., Polzikova N.I. // Proc. 2008 IEEE Ultrasonic Symp. (New York, 2008). P. 439.

  7. Polzikova N., Alekseev S., Kotelyanskii I. et al. // J. Appl. Phys. 2013. V. 113. № 17. P. 17C704.

  8. Ползикова Н.И., Раевский А.О., Горемыкина А.С. // Радиотехн. и электроника. 2013. Т. 58. № 1. С. 97.

  9. Ползикова Н.И., Алексеев С.Г., Лузанов В.А., Раевский А.О. // ФТТ. 2018. Т. 60. № 11. С. 2170.

  10. Tserkovnyak Y., Brataas A., Bauer G.E.W. // Phys. Rev. Lett. 2002. V. 88. № 11. Art. № 117601.

  11. Saitoh E., Ueda M., Miyajima H., Tatara G. // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. № 18. Art. № 182509.

  12. Kittel C. // Phys. Rev. 1958. V. 110. № 4. P. 836.

  13. Tiersten H.F. // J. Appl. Phys.1965. V. 36. № 7. P. 2250.

  14. Kamra A., Keshtgar H., Yan P., Bauer G.E.W. // Phys. Rev. B. 2015. V. 91. № 10. Art. № 104409.

Дополнительные материалы отсутствуют.