Известия РАН. Серия физическая, 2020, T. 84, № 7, стр. 1034-1039

Особенности строения фуллереноподобных микрочастиц меди

А. А. Викарчук 1*, Н. Н. Грызунова 1, А. Г. Денисова 1, М. Н. Тюрьков 1

1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Тольяттинский государственный университет”
Тольятти, Россия

* E-mail: fti@tltsu.ru

Поступила в редакцию 18.02.2020
После доработки 16.03.2020
Принята к публикации 27.03.2020

Полный текст (PDF)

Аннотация

Фуллереноподобные микрочастицы меди выращены впервые, они имеют 6 осей симметрии пятого порядка, 60 вершин, огранены 32 гранями в виде шестиугольников и пятиугольников, содержат частичные дисклинации и обладают большой запасенной в объеме упругой энергией. В работе исследована гетерогенная структура частиц, предложена дисклинационная модель их строения, описана их трансформация в процессе роста.

ВВЕДЕНИЕ

Все металлические материалы в зависимости от структуры (вида электронограмм), свойств, поведения в температурных и силовых полях и др. делятся на классы (рис. 1а): кристаллические, аморфные (К. Судзуки), аморфно-кристаллические (А.М. Глезер), нанокристаллические (Г. Глейтер) и квазикристаллические (Д. Шехтман). Эти материалы нашли широкое применение в науке, технике и производстве [14].

Рис. 1.

Деление металлических материалов по виду электронограмм (а) на классы [14]; новые материалы (б) на основе пентагональных кристаллов [5, 6]. АК – аморфно-кристаллические.

В последние годы появился еще один класс (подкласс) перспективных металлических материалов, обладающих необычной структурой и уникальными свойствами – это принципиально новые материалы в виде пленок, покрытий, слоeв, порошков, массивных материалов [5, 6], состоящие из пентагональных кристаллов (ПК) (рис. 1б). Металлические пентагональные кристаллы существенно отличаются от обычных кристаллов, квазикристаллов, нанокристаллов и аморфных металлических сплавов, прежде всего, по структуре, свойствам и виду электронограмм (рис. 1а).

В настоящее время получено и исследовано большое многообразие пентагональных кристаллов на основе металлов, имеющих ГЦК-решетку (Cu, Ni, Ag и др.) [57]. Размеры этих кристаллов колеблются в пределах трех порядков от 20–50 нм до 20–50 мкм. Большинство пентагональных кристаллов выращены методом электроосаждения металла из растворов электролитов, они имеют разнообразную форму: плоские, нитевидные (стержни, вискеры, усы), конусообразные, пирамидальные, в виде пентагональных призм и трубок, в виде правильных декаэдрических, икосаэдрических частиц, звездчатых пентагональных многогранников и неправильных пентагональных образований (рис. 1б). Все они различаются по размерам, огранке, но имеют ряд общих признаков, которые не характерны для обычных, периодических кристаллов того же химического состава, прежде всего, это:

– вид электронограмм (для пентагональных кристаллов характерны электронограммы, имеющие некристаллографическую пентагональную симметрию, особенно заметную, если их снимать вдоль осей симметрии кристалла (рис. 1а)). Электронограммы от разных участков одного и того же ПК могут иметь различный вид, например, демонстрировать икосаэдрическую симметрию, ГЦК-, ГПУ-решетку или крайне искаженную кристаллическую структуру [5, 8];

– наличие в ПК фрагментов, разделенных между собой двойниковыми границами (рис. 1б);

– наличие в ПК частичных дисклинаций, на которых обрываются двойниковые границы);

– анизотропия структуры и свойств ПК вдоль осей симметрии и других направлений (твердость, прочность, теплопроводность, электропроводность и т.п.);

– низкая объемная плотность и повышенная запасенная в объеме и на поверхности свободная энергия [8];

– специфическая огранка, как правило, ПК огранены кристаллографическими высокоэнергетичными атомными плоскостями (у декаэдрических частиц 10 граней, у икосаэдрических частиц 20 граней, у звездчатых пентагональных кристаллов 90 граней, все они из атомных плоскостей {111}) (рис. 1б);

– необычная, аномальная по сравнению с обычными кристаллами того же химического состава, реакционная и каталитическая способность [5, 9, 10].

ПК отличаются по структуре и свойствам не только от обычных кристаллов, но и от квазикристаллов, которые также обладают осями симметрии пятого порядка [4, 1113]. Прежде всего, это отличие заметно в характере электронограмм. Электронограммы от квазикристаллов и пентагональных кристаллов могут демонстрировать некристаллическую пентагональную симметрию (рис. 1а), но существенно отличаться друг от друга. Яркость рефлексов на электронограммах квазикристаллов с удалением от центра (места падения электронного луча) практически не меняется, а у ПК, как и у обычных кристаллов, она уменьшается. Квазикристаллы не имеют трансляционной периодичности, однако при делении образца квазикристалла на части, часть дает такую же дифракционную картину, как и целое (но менее яркую). В ПК это не соблюдается, то есть микродифракция от центра ПК и на периферии разная! Этот экспериментальный факт пока логического объяснения не нашел, но дает основания не объединять квазикристаллы с пентагональными кристаллами, вероятно, это разные подклассы кристаллов (рис. 1а). Кроме того, квазикристаллы, а их сейчас получено около двухсот [4, 1113], состоят из разных сортов атомов, двух и более, а ПК, в частности наш объект исследования (рис. 2а), состоит только из атомов меди.

Рис. 2.

Микрочастица меди в виде усеченного икосаэдра (а), ее трансформация в процессе роста (б) в совершенный икосаэдр (в), ямки травления – места выхода дисклинаций (г, е), объемный структурный элемент фуллереноподобной микрочастицы (д).

Таким образом, объектом исследования в данной работе являются микрочастицы меди в виде усеченного икосаэдра (рис. 2а). Это своеобразные пентагональные кристаллы, имеющие сходство по виду электронограмм и необычной структуре с квазикристаллами (рис. 1а). По внешней форме и огранке (рис. 2а) они похожи на фуллерен С60, обладающий сферическим, жестким каркасом [14, 15], а судя по некоторым механическим характеристикам (микротвердость, пластичность) они не особенно отличаются от обычных периодических кристаллов [510].

Исследования особенностей строения и свойств пентагональных микрообъектов, имеющих фуллереноподобную форму и апериодическую структуру квазикристаллов, весьма актуальны. Результаты этих исследований позволят создать принципиально новые материалы, расширить наши представления о строении вещества, дадут информацию о других типах упорядочения атомов в твердом веществе, позволят объяснить, как глобальный ориентационный порядок развивается из локального порядка, выяснить, почему пентагональные кристаллы (рис. 1б, 2а) тесно связаны с понятием “золотого сечения”, характерного только для объектов живой природы [16].

МЕТОДИКА ПОЛУЧЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЯ ИКОСАЭДРИЧЕСКИХ МИКРОЧАСТИЦ МЕДИ

Метод электроосаждения материалов из растворов электролитов позволяет получать металлы, сплавы, композиционные материалы в виде покрытий, пленок, фольг, порошков и массивных материалов; позволяет, варьируя технологические параметры электролиза в широком интервале, управлять структурой и свойствами материалов [5, 17]. В частности, этим методом можно менять размер зерна металлических материалов на пять порядков, можно получать кристаллы с пентагональной симметрией в виде плоских, объемных и нитевидных кристаллов, декаэдрических и икосаэдрических частиц [510, 18, 19], из которых можно выращивать готовые изделия: микротрубки, кантилеверы, композиционную проволоку, катализаторы и др. [5, 19].

Для получения икосаэдрических частиц меди различной морфологии использовался сернокислый электролит меднения, приготовленный на бидистиллате и содержащий химически чистые реактивы: 250 г ∙ л–1 CuSO4 ⋅ 5H2O и 90 г ∙ л–1 H2SO4. Электроосаждение осуществлялось в потенциостатическом режиме при следующих параметрах: перенапряжение − 85 ± 5 мВ, время осаждения − от 10 до 20 мин, рН электролита – 1.3–1.4, температура − 20–25°C. Анод был изготовлен из электролитической чистой меди (99.99%), а в качестве катода и одновременно подложки применялась полированная нержавеющая сталь марки 12Х18Н10 или микросетка из нержавеющей стали той же марки.

Исследование морфологии поверхности проводили с использованием сканирующей электронной микроскопии (Carl Zeiss Sigma). Структуру изучали, используя просвечивающий микроскоп Tecnai Osiris, в Центре коллективного пользования Института проблем химической физики Российской академии наук (ИПХФ РАН).

РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

Форма и морфология поверхности частицы

Микрочастицы меди в виде усеченного икосаэдра (УИ), выращенные впервые, имеют 6 осей симметрии 5-го порядка, 60 вершин и 90 ребер (рис. 2а), огранены 32 гранями, 12 из них пятиугольники, а 20 шестиугольники. Внешне они похожи на молекулу фуллерена С60, состоящую из атомов углерода, расположенных на сферической пустотелой поверхности [14, 15], однако по размерам микрочастицы больше фуллеренов в тысячи раз, состоят из миллиардов атомов меди и внутри сплошные (рис. 2а).

Стабильность фуллеренов определяется правилом изолированного пятиугольника, наиболее стабильны те структуры, которые не имеют смежных пентагонов [20].

Предполагается, что “изгибание” − это один из механизмов уменьшить число нескомпенсированных связей и снизить свободную энергию нанообъекта [21]. Что касается фуллереноподобных медных частиц, имеющих микроразмеры, то такие объекты до сих пор не наблюдались и не исследовались (рис. 2а).

Установлено, что поверхность медной микрочастицы в виде УИ, имеющей размеры в интервале от нескольких единиц до 15–20 мкм, огранена 32 гранями в виде правильных пятиугольников и шестиугольников (рис. 2а). Как показали исследования, проведенные методом обратных отраженных электронов, 12 пентагональных граней УИ состоят из кристаллографических плоскостей {110}, а остальные 20 граней − это кристаллографические плоскости {111} [8].

Правильные пентагональные грани, видимые на поверхности УИ, друг с другом не стыкуются, они всегда окружены шестиугольными участками (рис. 2а, 2б).

Трансформация микрочастицы в виде усеченного икосаэдра в совершенный икосаэдр

В процессе роста при электрокристаллизации меди поверхность микрочастицы в виде УИ существенно трансформируется (рис. 2а–2в). Форма и размеры его граней меняются, в частности правильные шестиугольники превращаются в неправильные (рис. 2а, 2б).

В центре пентагональных граней на определенном этапе роста частицы появляются ямки травления (рис. 2г, 2д), которые мы связываем с выходом на поверхность УИ и СИ частичных дисклинаций (рис. 2г, 2е). На дисклинациях обрываются 5 двойниковых границ, которые выходят из вершин УИ и СИ (рис. 2а, 2в, 2г, 2е). Пентагональные грани (рис. 2а, 2б, 2г, 2д), на которые выходят дисклинации, имеют преимущественный рост. Плоскости {110} являются вицинальными, они содержат значительную концентрацию террас и ступеней роста (рис. 2б, 2г), обладают повышенной поверхностной энергией [8, 22]. В процессе роста УИ границы раздела, окружающие пентагональные участки, сокращаются и перемещаются (рис. 2б) (вероятно по диффузионному механизму [22], за счет рождающихся при электрокристаллизации и поступающих к ним неравновесных вакансий, концентрации которых достигают значений 10–4 [5]). Кристаллические грани из атомных плоскостей {111} трансформируются сначала из правильных шестиугольных (рис. 2а) в неправильные шестиугольные (рис. 2б), затем в треугольные (рис. 2в). Такая трансформация происходит в процессе роста микрочастиц при комнатных температурах и приводит к превращению УИ в СИ (рис. 2а–2в).

Исследования шлифов и внутреннего строения икосаэдрических частиц

Исследования шлифов от СИ и УИ показали (рис. 3а, 2б), что они состоят из объемных конусообразных структурных элементов в форме пентагональных (рис. 2д) и шестигранных пирамид, отделенных друг от друга границами раздела. Если мысленно правильный УИ (рис. 2а) разрезать через середину, то разрез на поверхности пройдет через четыре пятиугольника, четыре шестиугольника и по двум границам раздела шестиугольников. На шлифе (рис. 3б), полученном от средней части УИ после полировки и травления, можно заметить 10 границ, разделяющих микрочастицу на конусообразные фрагменты, сходящиеся в центре. Границы конусообразных фрагментов, из которых состоит УИ (рис. 3б), опираются на ребра шести- и пятиугольников, находящихся на поверхности УИ. Фрагменты чередуются определенным образом (начиная с отмеченной линии, по часовой стрелке: два шестиугольника, граница раздела, пятиугольник и т.д.). Такие шлифы с десятью границами раздела, сходящимися в центре частицы (рис. 3б), возможны только от усеченного икосаэдра.

Рис. 3.

Протравленный шлиф от произвольного сечения (а) и средней части усеченного икосаэдра (б), подготовка тонких фольг из микрочастиц (в), электронно-микроскопические картины от икосаэдрических частиц (г, д, е).

Электронно-микроскопические исследования икосаэдрических частиц в виде СИ и УИ подтвердили (рис. 3в–3е), что они действительно состоят из объемных структурных элементов (фрагментов): первый (рис. 2в) − из 20 кристаллических тетраэдров, а второй (рис. 2а) − из пирамид, в основании которых лежат шести- и пятиугольники (рис. 2д).

Для проведения электронно-микроскопических исследований икосаэдрические медные частицы, выращенные по режимам, указанным ранее, сначала закрепляли на сетке из нержавеющей стали путем нанесения на них тонкого слоя тугоплавкого металла (рис. 3в). Затем с помощью ионной пушки проводилась резка микрочастицы, готовились шлифы (рис. 3а, 3б) или фольга, которая электролитически утончалась и исследовалась на просвет (рис. 3г–3е). Исследованиям подвергались правильные усеченные икосаэдры (рис. 2а), совершенные икосаэдры (рис. 2в), но чаще всего икосаэдры, находящиеся на стадии трансформации УИ в СИ (рис. 2б и 3в), эти морфологические фазы присутствуют в медном порошке одновременно.

Электронограммы от шестиугольных участков демонстрируют ГЦК-решетку (рис. 1а), а пятерные участки УИ − крайне искаженное кристаллическое состояние или пентагональную симметрию (рис. 1а), особенно заметную, если их снимать вдоль осей симметрии микрочастицы. Пятерные участки с дисклинациями не содержат характерных для меди плоских дефектов кристаллического состояния, в частности, двойниковых вставок (рис. 3б).

Кристаллические фрагменты в совершенном и усеченном икосаэдре (в виде треугольных и шестиугольных пирамид) (рис. 2а, 2в) отделены друг от друга двойниковыми границами типа 〈112〉 {111} и имеют субструктуру, содержат в объеме двойниковые прослойки, клиновидные вставки, дислокации и дислокационные конфигурации (рис. 3б, 3г, 3д, 3е). Характерным дефектом структуры икосаэдрических частиц (рис. 2а, 2в) являются стыки оборванных двойниковых и дислокационных границ (рис. 3г, 3д, 3е), последние залегают в плоскостях {112}. Экстинционные контуры (рис. 3г) дислокационного происхождения, выходящие из стыков, свидетельствуют о наличии там значительных полей напряжений [23]. Частичные дисклинации фиксируются по ямкам травления, расположенным в центре пентагональных фрагментов УИ (рис. 3г, 3д) и в вершинах совершенных УИ (рис. 3е), там же сходятся и обрываются двойниковые границы.

Правильные пентагональные фрагменты в УИ всегда со всех сторон окружены кристаллическими шестиугольными участками (рис. 2а, 2б) и отделены от них неравновесными малоугловыми границами, которые при подготовке тонких фольг для электронно-микроскопических исследований на просвет рассыпаются (рис. 3д, 3е).

Дисклинационные модели строения икосаэдрических частиц

Объяснить особенности морфологии поверхности и внутреннего строения икосаэдрических частиц (рис. 2а, 2в), а также их эволюцию в процессе роста при электрокристаллизации можно, используя дисклинационные представления об их строении [5, 8 , 24, 25 ].

Проведенные исследования показали, что икосаэдрические частицы фрагментированы и содержат по шесть дисклинаций (рис. 2а, 2в, 2г, 2е).

Свободная энергия фрагментированной частицы в виде УИ состоит из свободной поверхностной энергии ES и свободной объемной энергии EV, в последнюю входят энергия границ раздела всех объемных элементов Eгр, энергия самих дефектов Eдеф и часть энергии фазового превращения некристаллического состояния в кристаллическое Eфаз (это энергия, запасенная в объеме всех некристаллических пентагональных участков, входящих в состав УИ)

(1)
${{E}_{{{\text{УИ}}}}} = {{E}_{S}} + {{E}_{{{\text{гр}}}}} + {{E}_{{{\text{деф}}}}} + {{E}_{{{\text{фаз}}}}}.$

Учитывая, что поверхностная энергия УИ определяется 12-ю кристаллографическими плоскостями {110} и 20-ю гранями из плоскостей {111}, получаем:

(2)
${{E}_{S}} = 12{{S}_{5}}{{\gamma }_{{110}}} + 20{{S}_{6}}{{\gamma }_{{111}}},$
где S5 и S6 − площади пятиугольников и шестиугольников на поверхности УИ; γ110 и γ111 − удельная поверхностная энергия кристаллографических граней меди.

Считаем, что объемные структурные элементы в виде пентагональных и шестигранных призм в УИ разделены 30 двойниковыми и 60 малоугловыми дислокационными границами. Тогда энергия границ раздела структурных элементов будет равна:

(3)
${{E}_{{{\text{гр}}}}} = 30{{S}_{3}}{{\gamma }_{{{\text{дв}}}}} + 60{{S}_{3}}{{\gamma }_{{{\text{муг}}}}},$
где S3 − площадь треугольников, разделяющая структурные элементы в УИ; γдв, γмуг – удельная энергия двойниковых и малоугловых дислокационных границ.

Энергия незавершенного фазового превращения некристаллической структуры в кристаллическую может быть оценена как

${{E}_{{{\text{фаз}}}}} = {{\gamma }_{{{\text{фаз}}}}}V_{{12}}^{5},$
где $V_{{12}}^{5}$ − часть объема частицы, в котором еще сохраняется некристаллическое состояние (объем всех двенадцати пентагональных участков); γфаз − удельная энергия фазового перехода из некристаллического состояния в кристаллическое, ее можно оценить как ${{\gamma }_{{{\text{фаз}}}}} = \frac{G}{{70}}$ [26], где G – модуль сдвига.

Энергия дисклинационных дефектов в икосаэдрических частицах:

(5)
${{E}_{{{\text{деф}}}}} = 6{{E}_{{\omega }}} = 6\frac{{G{{\omega }^{2}}{{R}^{2}}}}{{16\pi (1 - \nu )}}2R,$
где Eω − энергия частичной дисклинации; ω – мощность дисклинации (7°20′); R – радиус частицы; ν – коэффициент Пуассона.

Для оценки величины свободной энергии УИ по формуле (1) воспользуемся известными значениями характеристик меди, приведенными в работах [27, 28].

Аналогично проведем расчет свободной энергии СИ:

(6)
${{E}_{{{\text{СИ}}}}} = {{E}_{S}} + {{E}_{{{\text{гр}}}}} + {{E}_{{{\text{деф}}}}}.$

Свободная энергия икосаэдрических частиц сильно зависит от их размеров, поэтому для оценки их стабильности более корректно использовать плотность свободной энергии.

Для расчетов используем оптимальные размеры для УИ и СИ, наблюдаемые в экспериментах, т.е. 5 и 20 мкм.

Оценки по формулам (1) и (6) показывают, что плотности свободной энергии для совершенного и усеченного икосаэдров соответственно равны:

${{\rho }_{{{\text{СИ}}}}} \approx \frac{G}{{1000}}\,\,\left( {{\text{Дж}} \cdot {{{\text{м}}}^{{ - {\text{3}}}}}} \right),\,\,\,\,{{\rho }_{{{\text{УИ}}}}} \approx \frac{G}{{700}}\,\,\left( {{\text{Дж}} \cdot {{{\text{м}}}^{{ - {\text{3}}}}}} \right).$

Оценки говорят об энергетической выгодности трансформации УИ в СИ (рис. 2а, 2в), вероятно такие же превращения с микрочастицами будут происходить и в температурных полях.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В работе исследована необычная структура пентагональных микрочастиц меди и ее эволюция в процессе роста. Фуллереноподобная микрочастица меди в виде усеченного икосаэдра состоит из миллиардов атомов меди, внутри сплошная, имеет гетерогенную структуру из кристаллических и некристаллических фрагментов, 6 осей симметрии пятого порядка, 32 грани из атомных плоскостей {110} и {111}, содержит частичные дисклинации, большую, запасенную в объеме, упругую энергию, внешне частица похожа на фуллерен С60, а по структуре на квазикристалл. Фуллереноподобная микрочастица меди микронного размера вырастает из некристаллических наночастиц и превращается из усеченного икосаэдра в совершенный. Показано, что это энергетически оправдано, однако несущественная разница в плотностях энергии частиц говорит о том, что появление усеченного и совершенного икосаэдра при электрокристаллизации равновероятно. Предложена дисклинационная модель строения икосаэдрических частиц, которая логично объясняет все их превращения в процессе роста.

Исследование выполнено в рамках государственного задания Министерства образования и науки Российской Федерации 16.2314.2017/4.6.

Список литературы

  1. Судзуки К., Фудзимори Х., Хасимото К. Аморфные металлы. М.: Металлургия, 1987. 328 с.

  2. Gleiter H. // Phys. 1991. V. 47. № 8. P. 753.

  3. Глезер А.М. Шурыгина Н.А. Аморфно-нанокристаллические сплавы. М.: Физматлит, 2013. 452 с.

  4. Shechtman D., Blech I., Gratias D., Cahn J.W. // Phys. Rev. Lett. 1984. V. 53. № 20. P. 1951.

  5. Викарчук А.А., Ясников И.С. Структурообразование в наночастицах и кристаллах с пентагональной симметрией, формируемой при электрокристаллизации металлов. Тольятти: ТГУ, 2006. 206 с.

  6. Vikarchuk A.A., Volenko A.P. // Phys. Sol. St. 2005. V. 47. № 2. P. 352.

  7. Ясников И.С. // Письма о матер. 2011. Т. 1. С. 51.

  8. Викарчук А.А., Грызунова Н.Н., Боргардт Т.А. // Письма о матер. 2019. Т. 9. № 1. С. 124.

  9. Викарчук А.А., Грызунова Н.Н., Грызунов А.М., Шафеев М.Р. // Вест. Тамбов. ун-та. Сер. естеств. и техн. науки. 2018. Т. 23. № 122. С. 54.

  10. Викарчук А.А., Грызунова Н.Н., Глезер А.М., Степанов С.В. // Изв. вузов. Физ. 2018 Т. 61. № 6. C. 21;Vikarchuk A.A., Gryzunova N.N., Glezer A.M., Stepanov S.V. // Russ. Phys. J. 2018. V. 61. № 6. P. 1024.

  11. Pinaa C.M., López-Acevedoa V. // Acta Cryst. A. 2016. V. 72. P. 81.

  12. Векилов Ю. Х., Черников М.А. // УФН. 2010. Т. 180. № 6. C. 561; Vekilov Yu.Kh., Chernikov M.A. // Phys. Usp. 2010. V. 53. № 6. P. 537.

  13. Мильман Ю.В., Ефимов Н.А., И.В. Гончарова // Электрон. микроск. и прочность матер. Сер. Физ. материаловед., структура и свойства матер. 2012. № 18. С. 3.

  14. Tene R. // Front. Phys. 2014. V. 9(3). P. 370.

  15. Шпилевский Э. // Наука и инновации. 2006. № 5(39). С. 32.

  16. Белянин В. // Наука и жизнь. 2005. № 10. С. 68.

  17. Гамбург Ю.Д., Зангари Дж. Теория и практика электроосаждения металлов. М.: Бином. Лаб. знаний, 2015. 438 с.

  18. Vikarchuk A.A., Gryzunova N.N., Dorogov M.V. et al. // Metal Sci. Heat Treatment. 2016. V. 58. № 1. P. 12.

  19. Викарчук А.А. // Вест. Тамбов. ун-та. Сер. Естеств. и техн. науки. 2010. Т. 15. № 3-1. С. 794.

  20. Tan Y-Z., Xie S-Y., Huang R-B., Zheng L-S. // Nat. Chem. 2009. V. 1. P. 450.

  21. Баграмов Р.Х. Получение углеродных матер. с фуллереноподобной наноструктурой газостатическими и термобарическими методами. Дис. … канд. тех. наук. Москва: НИТУ МИСиС, 2017. С. 122.

  22. Штремель М.А. Прочность сплавов. Ч. 1. Дефекты решетки. Уч. для вузов. М.: Изд-во МИСиС, 1999. 384 с.

  23. Козлов Э.В., Глезер А.М., Конева Н.А. и др. Основы пластических деформаций наноструктурированных материалов М.: Физматлит, 2016. 304 с.

  24. Владимиров В.И., Романов А.Е. Дисклинации в кристаллах. Ленинград: Наука, 1986. 224 с.

  25. Vikarchuk A.A., Gryzunova N.N., Gutkin M.Yu., Romanov A.E. // Rev. Adv. Mater. Sci. 2018. V. 55. P. 78.

  26. Гудкин М.Ю., Овидько И.А. Дефекты и механизмы пластичности в наноструктурах и некристаллических матерериалах. СПб: Янус, 2001. 180 с.

  27. Овидько И.А., Скиба Н.В. // Mater. Phys. Mech. 2014. Т. 21. № 3. С. 288.

  28. Гуткин М.Ю., Овидько И.А., Скиба Н.В. // ФТТ. 2004. Т. 46. № 11. С. 1975; Gutkin M.Yu., Ovid’ko I.A., Skiba N.V. // Phys. Sol. St. 2004. V. 46. № 11. P. 2042.

Дополнительные материалы отсутствуют.