Известия РАН. Серия физическая, 2022, T. 86, № 5, стр. 730-734

Влияние размерных эффектов на кристаллическую структуру и магнитные свойства кобальтовых пленок, полученных химическим осаждением

А. В. Чжан 1*, С. А. Подорожняк 2, С. А. Громилов 3, Г. С. Патрин 24, Ж. М. Мороз 5

1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Красноярский государственный аграрный университет”
Красноярск, Россия

2 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Сибирский федеральный университет”
Красноярск, Россия

3 Институт неорганической химии имени А.В. Николаева Сибирского отделения Российской академии наук
Новосибирск, Россия

4 Институт физики имени Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук – обособленное подразделение федерального государственного бюджетного научного учреждения Федеральный исследовательский центр “Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук”
Красноярск, Россия

5 Красноярский институт железнодорожного транспорта – филиал федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования “Иркутский государственный университет путей сообщения”
Красноярск, Россия

* E-mail: Avchz@mail.ru

Поступила в редакцию 13.12.2021
После доработки 24.12.2021
Принята к публикации 21.01.2022

Полный текст (PDF)

Аннотация

Установлена взаимосвязь между размерами кристаллитов Со и коэрцитивными и анизотропными свойствами пленок Co–P, полученных методом химического осаждения. Показано, что возникновение наведенной анизотропии пленок полученных в области низких рН (от 7.2 до 8.7) связано с размерными эффектами, вследствие которых происходит модификация кристаллической решетки Со от гранецентрированной кубической в гексагональную плотноупакованную в процессе роста пленки в магнитном поле.

ВВЕДЕНИЕ

В настоящее время особый интерес представляют технологии, которые позволяют обнаружить новые свойства различных материалов для практического применения за счет проявления размерных эффектов [13]. И в этом направлении несомненный интерес представляет химическая технология получения магнитных пленок, основанная на реакциях восстановления металлов из водных растворов без использования внешнего источника электрического тока [4]. Химическое осаждение может применяться для выращивания наноструктур или наноразмерных пленок (в т.ч. многослойных) на поверхностях сложных форм [5] и порошках. Данная технология позволяет относительно просто изменять кристаллическую структуру пленок путем изменения состава растворов, из которых происходит восстановление ионов металла. Это особым образом проявляется в пленках Co–P, полученных химическим осаждением, в которых изменение pH растворов приводит к качественному изменению магнитных характеристик образцов [6].

Помимо интересных магнитных свойств, кобальт-фосфорные пленки также обладают обещающими свойствами в качестве перспективного электрокаталитического покрытия электродов при синтезе водорода электролизом [79], что становится особенно актуальным для развития зеленой энергетики. Кобальтовые пленки также рассматриваются в качестве эффективной замены хромовым покрытиям в силу более простой организации технологического процесса [10].

Целью настоящей работы является определение взаимосвязи между размерами кристаллитов Со и анизотропными свойствами пленок Со–Р в области рН от 7.2 до 8.7, где наблюдается возникновение гранецентрированной плотноупакованной (ГПУ) фазы Со.

ПОЛУЧЕНИЕ ОБРАЗЦОВ И МЕТОДЫ ИХ ИССЛЕДОВАНИЯ

Исследуемые образцы в виде тонких пленок толщиной ~300 нм получены химическим восстановлением Со из водных растворов на основе сульфата кобальта, содержащих цитрат натрия в качестве комплексообразователя, гипофосфит натрия в качестве восстановителя и карбонат натрия в качестве щелочного реагента [11]. Величина pH рабочего раствора определялась при комнатной температуре с помощью измерителя кислотности pH-150МИ. Осаждение пленок состава Co–P производилось на подложки из покровного стекла, подвергнутые процедурам сенсибилизации и активации в водных растворах хлорида олова и хлорида палладия соответственно. Рабочий раствор разогревался на водяной бане до температуры ~100°C. Осаждение производилось в постоянном магнитном поле, приложенном в плоскости пленки, располагавшейся вертикально. Магнитное поле с напряженностью Н ~ 2.5 кЭ в области расположения подложки создавалось парой постоянных магнитов, объединенных магнитопроводом из трансформаторного железа. Состав и толщина пленок определялись при помощи помощью рентгено-флуоресцентного спектрометра S4 Pioneer.

Съемка дифрактограмм проведена на дифрактометре BrukerDUO по методике, описанной в работе [12]. Константа наведенной магнитной анизотропии KU определялась посредством анализа кривых вращательного момента, полученных при комнатной температуре на вращательном анизометре в магнитном поле Н ~ 10 кЭ приложенном в плоскости пленки.

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ

Пленки Со–Р, полученные при разной кислотности рабочих растворов, могут существенно отличаться размерами кристаллитов кобальта, что отражается на морфологии поверхности. При этом средний размер зерна монотонным образом уменьшается с ростом величины рН раствора [13].

Типичный вид поверхности и электронно-микроскопические снимки структуры пленок Со–Р, полученных при низких рН < 8.5 представлен на рис. 1а; их электронограмма, показанная на вставке, указывает на ГПУ структуру таких образцов.

Рис. 1.

Изображения электронной дифракции, а также атомно-силовой и электронной микроскопии (а, в) и дифрактограммы высокоанизотропной (б) и низкоанизотропной (г) пленок Со–Р, полученных при рН < 8.5 (а, б) и при рН ≥ 9 (в, г).

На рис. 1в показан типичный вид поверхности пленок, полученных при высоких рН ≥ 9, электронограмма таких образцов отражает аморфную структуру.

Более подробную информацию о структуре исследуемых образцов можно получить из анализа дифрактрограмм. Расшифровка дифрактограмм высококоэрцитивных образцов, полученных при низких рН, также указывает на присутствие ГПУ Со (рис. 1б), в то время как дифрактограммы образцов, полученных при высоких рН, (рис. 1г), отражают наличие гранецентрированной кубической (ГЦК) кристаллической решетки Со.

Как известно, образование той или иной фазовой модификации в частицах Со может обуславливаться размерными эффектами, а именно различием свободной энергии частицы в ГЦК или ГПУ в зависимости от размера частицы. Свободную энергию частицы можно представить в виде суммы объемной и поверхностной составляющих:

(1)
$W = {{W}_{V}} + {{W}_{S}}.$

Экспериментальные данные, а также теоретические оценки свободной энергии для частиц Со разных фаз [14, 15] позволяют установить, что в мелких частицах Со с линейными размерами меньшими 20 нм значение свободной энергии в ГЦК фазе меньше, чем в ГПУ, что вызывает преобладание кубической фазы. Напротив, в крупных частицах (свыше 40 нм) относительный вклад поверхностной энергии становится меньше в ГПУ фазе, что приводит к преобладанию этой фазы. В промежуточной области (от 20 до 40 нм) наблюдается смесь этих фаз.

Такие особенности частиц Со хорошо объясняют трансформацию кристаллической структуры пленок Со–Р при изменении рН растворов. Типичные размеры кристаллитов в исследуемых пленках, полученных при низких рН, составляют ~70 нм и выше. Для таких частиц Co стабильной является гексагональная фаза, что наблюдается экспериментально по высоким значениям коэрцитивной силы [11]. Рост рН приводит к уменьшению размеров частиц Со, вследствие чего гексагональная фаза становится неустойчивой, и атомы Со укладываются в структуры по типу ГЦК в ближайшем окружении.

Помимо этого, конкурирующие факторы в образовании различных модификаций фаз Со, по всей видимости, проявляются и в процессе роста пленок при низких показателях кислотности растворов. Как показано ранее [16], формирование пленки Со–Р при химическом осаждении осуществляется по островковому типу, а вследствие малых размеров отдельных кристаллитов на начальном этапе осаждения преобладающей является ГЦК фаза. Но с ростом толщины пленки, что сопровождается увеличением сплошности за счет роста и слияния кристаллитов Со, создаются условия для появления ГПУ фазы.

Как известно, укладка атомов в базовой плоскости ГПУ, определяемой осью с, соответствует укладке атомов ГЦК с кристаллографическим направлением типа [111] [17]. В отсутствие внешнего магнитного поля из-за влияния размагничивающего фактора легкие оси отдельных кристаллитов ГПУ Со укладываются в плоскость пленки. Вследствие случайности ориентаций ГЦК плоскостей, в плоскости пленки ориентация оси с ГПУ Со будет равновероятна по всем направлениям, что приводит к магнитной изотропности пленок. Однако, наложение магнитного поля в плоскости пленки создает преимущественное условие роста тех кристаллитов, легкая ось которых направлена близко к направлению приложенного поля, что приводит к образованию наведенной магнитной анизотропии. Схема такой перестройки структуры Со из ГЦК в ГПУ при росте пленки в магнитном поле показана на рис. 2.

Рис. 2.

Ориентация базовой плоскости ГПУ Со при росте пленки в магнитном поле.

Используя расчет, приведенный в [18] для поликристаллического Со, энергия наведенной магнитной анизотропии в случае тонкой пленки при наложении внешнего магнитного поля в ее плоскости будет определяться выражением:

(2)
${{W}_{{in}}} = \left( {0.434{{K}_{1}} + 0.299{{K}_{2}}} \right){{\cos }^{2}}{{\theta }} + 0.293{{\cos }^{4}}{{\theta ,}}$
где θ – угол между легкой осью и направлением магнитного поля, K1 и K2 – первая и вторая константы анизотропии ГПУ Со.

Механический момент L(θ), действующий на пленку со стороны магнитного поля, определяемый как:

(3)
$L\left( {{\theta }} \right) = - \frac{{d{{W}_{{in}}}}}{{d{{\theta }}}}$

будет равен:

(4)
$L\left( {{\theta }} \right) = \left( {0.434{{K}_{1}} + 0.592{{K}_{2}}} \right)\sin 2{{\theta }} + 0.147\sin 4{{\theta }}{\text{.}}$

На рис. 3 показана теоретическая кривая L(θ) (штриховая линия), полученная при известных значениях K1 и K2 ГПУ кобальта, которая хорошо согласуется с экспериментальными данными (указаны точками). Это подтверждает описанный выше механизм формирования наведенной анизотропии в исследуемых пленках, связанный с возникновением ГПУ фазы кобальта из ГЦК фазы в процессе роста пленки в магнитном поле.

Рис. 3.

Угловая зависимость вращательного момента высокоанизотропной пленки Со–Р.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Представленные результаты показывают, что образование пленок Со–Р с различной кристаллической структурой при химическом осаждении обуславливается размерными эффектами, а именно различием в свободной энергии частиц Со ГПУ и ГЦК фаз. Показано также, что размерные эффекты в исследованных пленках проявляются в процессе роста при низких показателях кислотности растворов. На начальном этапе осаждения пленки, которое осуществляется по островковому типу, вследствие малых размеров кристаллитов Со, преобладающей является ГЦК фаза. Но с ростом толщины пленки, что сопровождается увеличением сплошности пленки за счет роста и слияния кристаллитов Со, создаются условия для появления ГПУ фазы.

Данное заключение подтверждается угловой зависимостью вращательного момента и наведенной анизотропии пленок Со–Р, полученных в магнитном поле при низких кислотностях растворов.

Список литературы

  1. Lu A.-H., Salabas E.L., Schüth F. // Angew. Chem. Int. Ed. 2007. V. 46. P. 1222.

  2. Гусев А.И. // УФН. 1998. Т. 168. С. 53.

  3. Губин С.П., Кокшаров Ю.А. // Неорг. матер. 2002. Т. 38. С. 1287.

  4. Glenn O.M., Juan B.H. Electroless plating: fundamentals and applications. Orlando: Elsevier, 1990. 401 p.

  5. Muench F. // ChemElectroChem. 2021. V. 8. P. 2993.

  6. Чжан А.В., Патрушева Т.Н., Подорожняк С.А. и др. // Изв. РАН. Сер. физ. 2016. Т. 80. № 6. С. 762; Chzhan A.V., Patrusheva T.N., Podorozhnyak S.A. et al. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2016. V. 80. No. 6. P. 692.

  7. Sumboja A., An T., Goh H.Y. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2018. V. 10. No. 18. Art. No. 15673.

  8. Scaranto J., Idriss H. // Chem. Phys. Lett. 2019. V. 737. Art. No. 100008.

  9. Zunhang Lv, Kaihang Wang, Yingying Si et al. // Green Energy Environ. 2022. V. 7. No. 1. P. 75.

  10. Safavi M.S., Walsh F.C. // Surf. Coat. Technol. 2021. V. 422. Art. No. 127564.

  11. Чжан А.В., Подорожняк С.А., Мальцев В.К. и др. // ФТТ. 2021. № 1. С. 43; Chzhan A.V., Podorozhnyak S.A., Mal’tsev V.K. et al. // Phys. Sol. State. 2021. V. 63. No. 1. P. 42.

  12. Klyamer D.D., Sukhikh A.S., Krasnov P.O. et al. // Appl. Surf. Sci. 2016. V. 372. P. 79.

  13. Chzhan A.V., Podorozhnyak S.A., Zharkov S.M. et al. // JMMM. 2021. V. 537. Art. No. 168129.

  14. Kitakami O., Sato H., Shimada Y. et al. // Phys. Rev. B. 1997. V. 56. No. 21. Art. No. 13849.

  15. Sato H., Kitakami O., Sakurai T. et al. // J. Appl. Phys. 1997. V. 81. P 1858.

  16. Чжан А.В., Патрин Г.С., Кипарисов С.Я. и др. // ФММ. 2010. Т. 109. № 6. С. 1.

  17. Васильев Д.М. Физическая кристаллография. М.: Металлургия, 1972. 280 с.

  18. Sambongi T., Mitui T. // J. Phys. Soc. Japan. 1963. V. 18. No. 9. P. 1253.

Дополнительные материалы отсутствуют.