1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Известия РАН. Серия физическая
  4. T. 87, № 1, 2023

Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 1, стр. 34-37

Управление проводимостью двумерной графеновой сверхрешетки поперечными электрическими полями

С. Ю. Глазов 1, 2, *, Н. Е. Мещерякова 2, И. А. Подгорная 1, 2

1 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Волгоградский государственный социально-педагогический университет”
Волгоград, Россия

2 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования “Волгоградский государственный медицинский университет” Министерства здравоохранения Российской Федерации
Волгоград, Россия

* E-mail: ser-glazov@yandex.ru

Поступила в редакцию 29.08.2022
После доработки 16.09.2022
Принята к публикации 26.09.2022

Полный текст (HTML)

Аннотация

Исследована возможность управления проводимостью графеновой сверхрешетки поперечными постоянными и переменными электрическими полями, обусловленная неаддитивностью ее энергетического спектра. Предложена методика определения диапазонов параметров приложенных полей, при которых управление проводимостью наиболее эффективно.

Полный текст статьи недоступен в настоящий момент.

Список литературы

  1. Завьялов Д.В., Конченков В.И., Крючков С.В. // ФТТ. 2009. Т. 51. № 10. С. 2033; Zav’yalov D.V., Konchenkov V.I., Kryuchkov S.V. // Phys. Solid State. 2009. V. 51. P. 2157.

  2. Завьялов Д.В., Конченков В.И., Крючков С.В. // ФТП. 2012. Т. 46. № 1. С. 113; Zav’yalov D.V., Konchenkov V.I., Kryuchkov S.V. // Semiconductors. 2012. V. 46. P. 109.

  3. Крючков С.В., Кухарь Е.И. // ФТП. 2016. Т. 50. № 2. С. 218; Kryuchkov S.V., Kukhar’ E.I // Semiconductors. 2016. V. 50. P. 217.

  4. Глазов С.Ю. // Изв. РАН. Сер. физ. 2019. Т. 83. № 1. С. 19; Glazov S.Yu. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2019. V. 83. No. 1. P. 12.

  5. Крючков С.В., Кухарь Е.И., Яковенко В.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2010. Т. 74. № 12. С. 1759; Kryuchkov S.V., Kukhar’ E.I., Yakovenko V.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2010. V. 74. No. 12. P. 1679.

  6. Крючков С.В., Кухарь Е.И. // ФТП. 2012. Т. 46. № 5. С. 684; Kryuchkov S.V., Kukhar’ E.I. // Semiconductors. 2012. V. 46. No. 5. P. 666.

  7. Кухарь Е.И., Крючков, С.В., Ионкина Е.С. // Изв. РАН. Сер. физ. 2017. Т. 81. № 12. С. 218; Kukhar E.I., Kryuchkov S.V., Ionkina E.S. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2017. V. 81. No. 1. P. 47.

  8. Forsythe C., Zhou X., Watanabe K. et al. // Nature Nanotechnol. 2018. V. 13. P. 566.

  9. Zhang Y., Kim Y., Gilbert M.J. et al. // NPJ 2D Mat. Appl. 2018. V. 2. P. 31.

  10. Kryuchkov S.V., Popov C.A. // J. Nano-Electron. Phys. 2017. V. 9. No. 2. P. 02013.

  11. Kryuchkov S.V., Popov C.A. // Proc. 2017 IEEE 7th Int. Conf. Nanomat. Appl. Prop. (Odessa, 2017). Art. No. 03CBN09.

  12. Бадикова П.В., Глазов С.Ю., Сыродоев Г.А. // ФТП. 2019. Т. 53. № 7. С. 927; Badikova P.V., Glazov S.Yu., Syrodoev G.A. // Semiconductors. 2019. V. 53. No. 7. P. 911.

  13. Глазов С.Ю., Сыродоев Г.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 1. С. 128; Glazov S.Yu., Syrodoev G.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V. 84. No. 1. P. 98.

  14. Бадикова П.В., Глазов С.Ю., Сыродоев Г.А. // Изв. РАН. Сер. физ. 2020. Т. 84. № 1. С. 38; Badikova P.V., Glazov S.Yu., Syrodoev G.A. // Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 2020. V. 84. No. 1. P. 30.

  15. Басс Ф.Г., Булгаков А.А., Тетервов А.П. Высокочастотные свойства полупроводников со сверхрешетками. М.: Наука, 1989.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Известия РАН. Серия физическая

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал