Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 1, стр. 109-114

Эволюция мод магнитного туннельного перехода при изменении направления внешнего магнитного поля

М. Д. Шканакина 12*, Г. А. Кичин 1, П. Н. Скирдков 13, М. Г. Путря 2, К. А. Звездин 13

1 Общество с ограниченной ответственностью “Новые спинтронные технологии”, Российский квантовый центр
Сколково, Россия

2 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования “Национальный исследовательский университет “Московский институт электронной техники”
Москва, Россия

3 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр “Институт общей физики имени А.М. Прохорова Российской академии наук”
Москва, Россия

* E-mail: m.shkanakina@nst.tech

Поступила в редакцию 29.08.2022
После доработки 16.09.2022
Принята к публикации 26.09.2022

Полный текст (HTML)

Аннотация

Выполнено экспериментальное исследование влияния величины и направления внешнего магнитного поля на динамику намагниченности свободного слоя в магнитных туннельных переходах диаметром 100, 150 и 250 нм. В образцах малого диаметра (100 нм) обнаружены две моды свободного слоя. Первая мода является менее чувствительной к величине и направлению внешнего магнитного поля по отношению ко второй моде, которая смещается в частотной области. С увеличением геометрических размеров магнитных туннельных переходов наблюдалась неоднородность намагниченности свободного слоя в малых полях, а также идентифицирована мода, не чувствительная к направлению внешнего магнитного поля. Проведено макроспиновое моделирование поведения однородной моды свободного слоя формы: диска и эллипса, при фиксированной величине и различных направлениях внешнего магнитного поля.

Полный текст статьи недоступен в настоящий момент.

Список литературы

  1. Lenz J., Edelstein A.S. // IEEE Sens. J. 2006. No. 6. P. 631.

  2. Kiselev S.I., Sankey J.C., Krivorotov I.N. et al. // Nature. 2003. V. 425. P. 380.

  3. Katine J.A., Albert F.J., Buhrman R.A. et al. // Phys. Rev. Lett. 2000. V. 84. No. 14. P. 3149.

  4. Hosomi M., Yamagishi H., Yamamoto T. et al. // Proc. IEDM’06 Tech. Dig. (San Francisco, 2006) P. 473.

  5. Houssameddine D., Ebels U., Delaȅt B. et al. // Nature Mater. 2007. V. 6. P. 447.

  6. Skirdkov P.N., Zvezdin K.A. // Annu. Phys. 2020. V. 532. No. 6. Art. No. 1900460.

  7. Kawahara T., Takemura R., Miura K. et al. // Proc. ISSCC 2007 Tech. Dig. (San Francisco, 2007) P. 480.

  8. Fang B., Carpentieri M., Louis S. et al. // Phys. Rev. Appl. 2019. No. 11. Art. No. 014022.

  9. Sankey J.C., Cui J.-T., Sun J.Z. et al. // Nature Phys. 2008. V. 4. P. 67.

  10. Zeng Z., Cheung K.H., Jiang H.W. et al. // Phys. Rev. B. 2010. V. 82. No. 10. Art. No. 100410(R).

  11. Helmer A., Cornelissen S., Devolder T. et al. // Phys. Rev. B. 2010. V. 81. No. 9. Art. No. 094416.

Дополнительные материалы отсутствуют.