1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Известия РАН. Серия физическая
  4. T. 87, № 6, 2023

Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 6, стр. 873-878

Самоподдержание проводящего состояния и биполярные ионизирующие домены Ганна в импульсных лавинных арсенид-галлиевых диодах

А. В. Рожков 1, М. С. Иванов 1, П. Б. Родин 1, *

1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Физико-технический институт имени А.Ф. Иоффе Российской академии наук”
Санкт-Петербург, Россия

* E-mail: rodin@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию 05.12.2022
После доработки 23.12.2022
Принята к публикации 27.02.2023

Аннотация

Доменная неустойчивость в неравновесной электронно-дырочной плазме приводит к формированию узких движущихся областей ионизирующего электрического поля – коллапсирующих доменов Ганна. В приборах силовой импульсной электроники на основе арсенида галлия ударная ионизация в коллапсирующих доменах выступает как эффективный механизм генерации неравновесных носителей при низких напряжениях и слабых средних полях.

Список литературы

  1. Gunn J.B. // Solid State Commun. 1963. V. 1. No. 4. P. 88.

  2. Kroemer R. // Proc. IEEE. 1964. V. 52. P. 1736.

  3. Гельмонт Б.Л., Шур М.С. // ЖЭТФ. 1971. Т. 33. № 6. С. 305.

  4. Vainshtein S.N., Yuferev V.S., Kostamovaara J.T. // J. Appl. Phys. 2005. V. 97. Art. No. 024502.

  5. Vainshtein S., Kostomovaara J., Yuferev V.S. et al. // Phys. Rev. Lett. 2007. V. 99. Art. No. 176601.

  6. Hu L., Su J., Ding Z. et al. // J. Appl. Phys. 2014. V. 115. Art. No. 094503.

  7. Chowdhury A.R., Dickens J.C., Neuber A.A. et al. // J. Appl. Phys. 2018. V. 123. Art. No. 085703.

  8. Prudaev I.A., Oleinik V.L., Smirnova T.E. et al. // IEEE Trans. Electron. Dev. 2018. V. 65. No. 8. P. 3339.

  9. Иванов М.С., Рожков А.В., Родин П.Б. // Письма в ЖТФ. 2022. Т. 48. № 20. С. 31.

  10. Vainshtein S.N., Duan G., Yuferev V.S. et al. // Appl. Phys. Lett. 2019. V. 115. No. 12. Art. No. 123501.

  11. Ivanov M.S., Brylevskiy V.I., Smirnova I.A. et al. // J. Appl. Phys. 2022. V. 131. Art. No. 014502.

  12. Алферов Ж.И., Грехов И.В., Ефанов В.М. и др. // Письма в ЖТФ. 1987. Т. 13. № 18. С. 1089.

  13. Levinshtein M., Vainshtein S., Kostomovaara J. Breakdown phenomena in semiconductors and semiconductor devices. New Jersey: World Scientific, 2005.

  14. Brylevskiy V.I., Smirnova I.A., Rozhkov A.V. et al. // IEEE Trans. Plasma Sci. 2016. V. 44. No. 10. P. 1941.

  15. Хлудков С.С., Толбанов О.П., Корецкий А.В. // Изв. вузов. Физика. 1986. Т. 29. № 4. С. 54.

  16. Schoell E. Nonlinear spatio-temporal dynamics and chaos in semiconductors. Cambridge: Cambridge Univ. Press, 2001.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Известия РАН. Серия физическая

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал