1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Известия РАН. Серия физическая
  4. T. 87, № 6, 2023

Известия РАН. Серия физическая, 2023, T. 87, № 6, стр. 867-872

Термостабильность сегнетоэлектрических пленок на основе диоксидов гафния-циркония на кремнии

В. П. Попов 1, *, В. А. Антонов 1, Ф. В. Тихоненко 1, А. В. Мяконьких 2, К. В. Руденко 2

1 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Институт физики полупроводников имени А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук”
Новосибирск, Россия

2 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки “Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук”
Москва, Россия

* E-mail: popov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию 05.12.2022
После доработки 23.12.2022
Принята к публикации 27.02.2023

Аннотация

Приведены результаты, свидетельствующие о повышении термостабильности, а также структурные и электрофизические свойства 20 нм сегнетоэлектрических пленок HfO2, Hf0.5Zr0.5O2 cо вставками монослоев Al2O3 и без них, полученных методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения (PEALD), в меза структурах металл–сегнетоэлектрик–кремний, перспективных для устройств универсальной памяти.

Список литературы

  1. Khosla R., Sharma S. // ACS Appl. Electron. Mater. 2021. V. 3. No. 7. P. 286.

  2. Wang D., Zhang Y., Wang J. et al. // J. Mater. Sci. Technol. 2022. V. 104. P. 1.

  3. Shen Y., Zhang Z., Zhang Q. et al. // RSC Advances. 2020. V. 10. P. 7812.

  4. Böscke T.S., Müller J., Bräuhaus D. et al. // Appl. Phys. Lett. 2011. V. 99. Art. No. 102903.

  5. Müller J., Yurchuk E., Schlösser T. et al. // Proc. 2012 Symp. VLSI Technology. (Honolulu, 2012). P. 25.

  6. Müller J., Böscke T.S., Schroder U. et al. // Nano Lett. 2012. V. 12. No. 8. P. 4318.

  7. Materano M., Lomenzo P.D., Kersch A. et al. // Inorg. Chem. Front. 2021. V. 8. P. 2650.

  8. Chen H., Zhou X., Tang L. et al. // Appl. Phys. Rev. 2022. V. 9. Art. No. 011307.

  9. Kim H.J., Park M.H., Kim Y.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. Art. No. 192903.

  10. Migita S., Ota H., Shibuya K. et al. // Japan. J. Appl. Phys. 2019. V. 58. Art. No. SBBA07.

  11. Chesnokov Yu., Miakonkikh A., Rogozhin A. et al. // J. Mater. Sci. 2018. V. 53. P. 1.

  12. Grigoriev A., Azad M.M., McCampbell J. // Rev. Sci. Instrum. 2011. V. 82. No. 12. Art. No. 124704.

  13. Popov V., Antonov V., Tikhonenko F. et al. // J. Physics D. 2021. V. 54. No. 22. Art. No. 2251012021.

  14. Popov V.P., Tikhonenko F.V., Antonov V.A. et al. // Sol. State. Electron. 2022. V. 194. Art. No. 108348.

  15. Долженко Д.И., Бородзюля В.Ф., Захарова И.Б., Сударь Н.Т. // ЖТФ. 2021. Т. 91. № 1. С. 58; Dolzhenko D.I., Borodzyulya V.F., Zakharova I.B., Sudar’ N.T. // Tech. Phys. 2021. V. 66. No. 1. P. 53.

  16. White M.H., Adams D.A., Bu J. // IEEE Circuits Devices Mag. 2000. V. 16. P. 22.

  17. Zhang Y., Shao Y.Y., Lu X.B. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. Art. No. 172902.

  18. Mikheev V., Chouprik A., Lebedinskii Y. et al. // ACS Appl. Mater. Interfaces. 2019. V. 11. No. 35. P. 32108.

  19. Fontanini R., Barbot J., Segatto M. // IEEE J. Electron Dev. Soc. 2022. V. 10. P. 593.

  20. Kim H.J., Park M.H., Kim Y.J. et al. // Appl. Phys. Lett. 2014. V. 105. Art. No. 192903.

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Известия РАН. Серия физическая

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал