Кристаллография, 2020, T. 65, № 2, стр. 304-310
О ростовой природе отрицательных форм рельефа на кристаллах алмаза из россыпей Урала
И. В. Клепиков 1, *, Е. А. Васильев 2, А. В. Антонов 1
1 “ВСЕГЕИ”
Санкт-Петербург, Россия
2 Санкт-Петербургский горный университет
Санкт-Петербург, Россия
* E-mail: Klepikov_igor@mail.ru
Поступила в редакцию 04.03.2019
После доработки 03.04.2019
Принята к публикации 03.04.2019
Аннотация
Проведено исследование морфологии и анатомии кристаллов алмаза с четырехугольными углублениями на поверхности. На основании изучения взаимоотношений четырехугольных углублений с внутренним строением кристаллов алмаза сделаны выводы о приуроченности четырехугольных углублений к реликтам поверхностей полицентрического регенерационного роста в направлении 〈100〉. Во всех исследованных кристаллах кубического габитуса, в том числе растворенных, на последней стадии роста формируются поверхности граней {111} в виде комбинационной штриховки. Показано, что четырехугольные углубления в большинстве случаев имеют ростовую природу.
ВВЕДЕНИЕ
Кристаллы алмаза Уральских месторождений характеризуются подавляющим преобладанием округлых додекаэдроидов [1]. Эту форму кристаллы приобретают в результате растворения или травления [2, 3]. При растворении (травлении) по мере округления вершин и ребер кристалла октаэдр начинает преобразовываться в октаэдроид и далее в додекаэдроид, а кристаллы кубического облика трансформируются в кубоид и далее в тетрагексаэдроид. Конечной формой растворения является додекаэдроид “уральского” типа с постоянными значениями параметров кривизны [4, 5]. В многочисленных экспериментах показано, что при травлении и растворении на поверхности кристаллов образуются треугольные и четырехугольные отрицательные скульптуры. Четырехугольные скульптуры образуются в направлении 〈100〉, а треугольные – 〈111〉 и развиваются они соответственно на гранях {100} и {111}. Количество, размер и морфология этих углублений зависят от Р–Т–f(O2)-режима и состава среды [3, 5–7]. Треугольные углубления часто связаны с зонами выходов дислокаций на поверхность кристалла [8]. Четырехугольные углубления реже встречаются на поверхности природных алмазов, их также относят к фигурам травления [9, 10] и они тоже могут быть связаны с выходом дислокаций [11, 12].
При изучении коллекции кристаллов алмаза из современных аллювиальных россыпей Красновишерского района Урала [13] было отмечено 12% кристаллов (кубоидов, тетрагексаэдроидов и додекаэдроидов) с четырехугольными углублениями. Эти углубления локализуются на поверхностях, которые не затронуты растворением и являются реликтами ростовых форм. На кривогранных поверхностях додекаэдроидов и тетрагексаэдроидов такие углубления не встречаются. Задачей настоящего исследования являлось изучение взаимоотношений четырехугольных углублений на поверхности с внутренним строением кристаллов алмаза.
МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И ОБРАЗЦЫ
После предварительного изучения коллекции из 155 кристаллов для исследования были отобраны 10 образцов с четырехугольными углублениями на поверхности. Кристаллы извлечены из современных аллювиальных отложений Красновишерского района Урала (коллекция ФГБУ “ВСЕГЕИ”). Фотографии получили на оптическом микроскопе (ОМ) Leica М205. Изображения катодолюминесценции (КЛ) и рельефа поверхности во вторичных электронах (SEI) получали на сканирующем электронном микроскопе CamScan MX2500 S. Для визуализации анатомии из кристаллов были изготовлены плоскопараллельные {100} пластины, вырезанные лазером заготовки пришлифовывали на алмазных кругах.
РЕЗУЛЬТАТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
Среди изученных кристаллов по морфологии три были кубоидами, один – тетрагексаэдроидом, один – октаэдроидом и пять – додекаэдроидами (рис. 1). По классификации Орлова [9] пять кристаллов относятся к I разновидности и пять – ко II разновидности.
Четырехугольные углубления присутствуют на поверхности всех изученных кристаллов. На шести кристаллах отмечены и треугольные, и четырехугольные углубления. В некоторых кристаллах ступенчатые углубления имеют четкие ребра и плоские стенки. В некоторых кристаллах стенки имеют кривизну, выполаживаются при выходе на поверхность. В ряде случаев очевиден вторичный характер углублений – это каналы травления, глубоко проникающие в кристалл.
Во всех пластинах, вырезанных через центр кристаллов по {100}, обнаружены волнистые ростовые слои в общем направлении 〈100〉, или, как крайний случай таких слоев, концентрическая зональность (рис. 2). Далее для простоты изложения части алмаза с волнистой ростовой зональностью в направлении 〈100〉 называются “пирамидами 〈100〉” [14].
Совместное нахождение пирамид граней {111} и пирамид 〈100〉 отмечено в трех кристаллах. В англоязычной литературе они обозначаются “mixed-habit” [15]. Во внутреннем строении четырех кристаллов преобладают пирамиды 〈100〉. Эти образцы имеют кубический габитус, их поверхность сформирована неровными поверхностями, близкими к плоскостям {100}. В кристалле 122-76 отмечена последовательная смена: слои {111} в центре сменяются концентрической зональностью пирамид 〈100〉, а во внешней части опять появляются плоскопараллельные слои {111}.
Во внешней части всех пластин отмечены плоскопараллельные слои {111} по направлению 〈100〉. На рис. 3а, 3б показаны торцевые фрагменты вырезанных пластин из кристаллов 123-76, 122-76 и фрагмент кристалла 612-66 при просмотре в направлении 〈100〉 (рис. 3в), на которых отчетливо видны четырехугольные углубления, и с ними сопоставлены изображения КЛ приповерхностных слоев. Как видно на рис. 3г, 3д, 3е, внешняя часть кристаллов состоит из слоев {111}. Отметим, что в частях кристалла, где отсутствует октаэдрическая зональность, нет четырехугольных углублений. Толщина зон и число слоев полицентрического роста граней {111} меняются в широких пределах.
Кристаллы I разновидности 29-76, 123-76, 122-76, 615-66, 612-66. Внутреннее строение кристаллов 123-76 и 122-76 детально описано в [16]. В этих кристаллах остались только реликты центральных частей поверхностей кристаллов кубического габитуса с четырехугольными углублениями. Сами углубления ступенчатые с округленными ребрами. В кристаллах 123-76, 615-66, 612-66 наблюдаются как треугольные углубления в направлении 〈111〉, так и четырехугольные в направлении 〈100〉.
В приповерхностной части кристалла 123-76 волнистая зональность пирамид 〈100〉 сменяется четкой многослойной зональностью по {111} (рис. 3а, 3г). Переход постепенный: в нескольких слоях плавная линия начинает прерываться треугольными уступами, а далее начинают формироваться полностью “зигзагообразные” слои по {111}. Эта зональность видна в КЛ поверхности многих растворенных кристаллов (рис. 4а, 4б). Углубления имеют четкую форму и ступенчатость только на гипсометрическом уровне развития октаэдрической зональности, а ниже, где располагается криволинейная кубическая зональность, – переходят в сильно изъеденную и шероховатую поверхность.
На изображении КЛ поверхности кристалла 29-76 по направлению 〈100〉 видна очень контрастная зональность. Она соответствует сечению поверхностью растворения ростового рельефа. На этой поверхности четырехугольные углубления только частично соответствуют поверхностной КЛ зональности (рис. 4ж, 4з). В этом кристалле вторичные четырехугольные углубления травления наложены на первичный ростовой рельеф.
В сечении кристалла 122-76 видны две черные зоны КЛ. Тонкие слои по {111} отмечены только в некоторых приповерхностных участках. Четырехугольные углубления отмечаются только в области с зональностью по {111} (рис. 3б, 3д).
В кристалле 615-66 есть и пирамиды роста граней {111}, и пирамиды 〈100〉. На поверхности кристалла участки треугольными углублениями почти стыкуются с участками с четырехугольными углублениями (рис. 1г).
Кристалл 612-66 – бесцветный октаэдроид с одинаковым по площади развитием треугольных и четырехугольных углублений (рис. 1д). В сечении кристалла видно преимущественное развитие пирамид 〈100〉. На этом этапе кристалл имел вид скелетного куба. Затем началось чередование слоев с концентрической зональностью пирамид 〈100〉 и плоскопараллельной зональностью слоев {111}. Затем видны слои с признаками многократного растворения и регенерации. Внешние зоны сложены мелкоступенчатыми плоскопараллельными слоями {111} (рис. 3в, 3е). В результате чередования этапов роста и последующего растворения сформировался кристалл, который при просмотре в направлении 〈111〉 соответствует октаэдроиду, а в направлении 〈100〉 – кубоиду.
Кристаллы II разновидности 600-66, 601-66, 610-66, 126-76. Образцы 601-66 и 600-66 являются целыми кубоидами, растворение затронуло только ребра, поверхность кристаллов покрыта четырехугольными углублениями. Образцы 126-76 и 610-66 – это растворенные обломки. Во внешней части пластин 601-66 и 600-66 наблюдается тонкая зональность, слабоконтрастная в КЛ. На поверхности образца 126-76 обнаружена только пара четырехугольных углублений (рис. 1и). Однородное внутреннее строение основного объема, желтая окраска за счет С-центров и наличие мелкоступенчатой зональности {111} позволяют сделать вывод, что этот кристалл является фрагментом крупного кубоида. Только в области с четырехугольными углублениями обнаружена контрастная линейная зональность {111} (рис. 4в, 4г).
Образец 610-66 (рис. 1з) имеет неправильную форму, на его поверхности находятся единичные четырехугольные и треугольные углубления. В КЛ пластины выявляются пирамиды 〈100〉 и во внешней части линейная зональность {111}. Четырехугольные углубления на поверхности соответствуют области пластины с зональностью {111} (рис. 2з). На изображении КЛ поверхности видны вицинальные слои с октаэдрической зональностью (рис. 4д, 4е). Гладкая поверхность кристалла в КЛ имеет очень контрастную зональность, образованную сечением ростового рельефа.
ОБСУЖДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
Существуют два основных механизма роста кристаллов, в частности алмаза, – нормальный и тангенциальный [17]. Кристаллы алмаза кубического габитуса растут по нормальному механизму с характерной неровной бугорчатой поверхностью, близкой к плоскостям {100}. Октаэдрические кристаллы растут по тангенциальному механизму с атомно-гладкой поверхностью и преимущественно без дефектов или ступеней. Лимитирующей стадией тангенциального механизма в общем случае является двумерное зародышеобразование [17]. В случае регенерационного роста скорость лимитируется не двумерным зародышеобразованием, а диффузией. Поэтому скорость роста регенерационных поверхностей намного выше, чем скорость роста сингулярных граней {111}. Области кристалла, которые росли по тангенциальному механизму, имеют четкую плоскопараллельную зональность в направлении 〈111〉. Области кристаллов, которые росли по нормальному механизму, в общем направлении 〈100〉 в сечениях имеют волнистую зональность, в пределе – концентрическую. Доминирование того или иного механизма определяется в основном степенью пересыщения ростовой среды. Соответственно кубические алмазы росли при высоких пересыщениях, а октаэдрические – при низких [18]. На промежуточной по пересыщению стадии между плоскогранным окатэдрическим и шероховатым кубическим ростом формируются скелетные кристаллы [19, 20].
Во внутреннем строении всех исследованных кристаллов присутствуют области как нормального, так и тангенциального роста. При начале тангенциального регенерационного роста образуется множество мелких ступеней роста слоев {111} по общему направлению 〈100〉. На этом этапе в огранении кристалла появляется комбинационная штриховка. Кристаллы на этом этапе имеют кубический габитус, но их поверхность сформирована рельефом слоев {111} – это пирамидки, углубления, мелкоступенчатые октаэдрические положительные формы. При дальнейшем росте слоев {111} формируется регенерационная поверхность полицентрического роста, далее происходит оформление кристалла гранями торможения {100}. Следовательно, четырехугольные углубления – это проявление в рельефе поверхности в направлении 〈100〉 полицентрического роста граней {111}. В многочисленных опытах по травлению и растворению показано формирование четырехугольных ямок в направлении 〈100〉. Поэтому при растворении кристаллов с рельефом полицентрического роста поверхность усложняется – ямки травления накладываются на ростовой рельеф.
Схема эволюции внутреннего строения округлых кристаллов с четырехугольными углублениями, составленная на основании изученных кристаллов, представлена на рис. 5. Первая группа кристаллов росла по нормальному механизму с переходом к короткому этапу тангенциального регенерационного роста. Кристаллы на этом этапе сохранили кубический габитус, их поверхность сформирована комбинационной штриховкой поверхностей {100}. Комбинация положительных форм рельефа визуально воспринимается как множество четырехугольных ямок. Далее при наложении процессов растворения и травления поверхность усложняется – могут появляться четырехугольные ямки травления, а сам кристалл округляется. Куб преобразуется в кубоид с четырехугольными углублениями и в конечном итоге преобразуется в додекаэдроид.
Кристаллы второй группы образовались в результате совместного роста пирамид граней {111} и пирамид 〈100〉. На последней стадии кристаллы росли по тангенциальному механизму. На первом этапе роста эти индивиды были скелетными кубами или кубооктаэдрами. После перехода к тангенциальному регенерационному росту появилась кобинационная штриховка поверхностей {100}, при дальнейшем развитии граней торможения кристаллы переходили к октаэдрическому габитусу. В итоге сформировалась сложная комбинационная поверхность с четырехугольными углублениями. При растворении такой кристалл имеет форму тетрагексаэдроида с треугольными углублениями на выходе на поверхность пирамид роста граней {111} и четырехугольными пирамид роста {100}.
Третью группу отличает длительный регенерационный рост по тангенциальному механизму. В результате формируется октаэдр с углублениями вместо вершин. Завершающей стадией в ряду эволюции таких кристаллов должно являться образование полноценного октаэдра со ступенчатым рельефом и вершинами с четырехугольными углублениями. Такую же морфологию должны иметь кристаллы с регенерационным ростом после частичного растворения. В октаэдрических кристаллах алмаза с облачным кубическим ядром из кимберлитовой трубки Интернациональная (Якутии) описана такая ситуация [21, 22]. При растворении кристалл становится октаэдроидом и затем додекаэдроидом.
Образование ступеней {111} на завершающем этапе формирования всех кристаллов с нормальным механизмом роста может рассматриваться как особенность Уральских алмазов. Длительный этап формирования кристаллов пирамидами 〈100〉 может указывать на особые условия образования Уральских алмазов. Например, в Якутских коренных месторождениях переход от куба к октаэдру происходил быстрее и там кубы в основном составляют только малоразмерные ядра октаэдров, как показано в [8].
ВЫВОДЫ
В объеме кристаллов алмаза часто обнаруживается концентрическая зональность, которая свидетельствует о нормальном механизме роста. При росте по нормальному механизму пирамид 〈100〉 кристалл приобретает кубический габитус. Однако концентрическая зональность не наблюдается в рельефе поверхности, в подавляющем большинстве случаев она сменяется линейной зональностью регенерационного тангенциального полицентрического роста граней {111}. При смене механизмов роста на поверхности кристаллов возникает рельеф с множеством площадок граней {111}. При дальнейшем росте кристаллы приобретают октаэдрическую огранку, но на вершинах могут оставаться участки с рельефом полицентрического роста. Таким образом, участки с рельефом полицентрического регенерационного роста в направлении 〈100〉 являются индикатором сложного внутреннего строения кристалла. При постростовых изменениях на ростовой рельеф накладываются скульптуры травления по дислокациям в направлениях 〈100〉, 〈111〉 и поверхностное растворение.
Во всех исследованных кристаллах кубического габитуса и производных от них форм растворения из россыпей Красновишерского района на последней стадии отмечен регенерационный рост граней {111}.
Список литературы
Кухаренко А.А. Алмазы Урала. М.: Госгеолтехиздат, 1955. 510 с.
Ферсман А.Е. Кристаллография алмаза. Л.: Изд-во АН ССС, 1955. 566 с.
Khokhryakov A.F., Pal’yanov Y.N. // Am. Mineral. 2007. V. 92. P. 909.
Ракин В.И. Морфология алмазов уральского типа. Екатеринбург: РИО УрО РАН, 2013. 396 с.
Хохряков А.Е. Дис. “Растворение алмаза: экспериментальное исследование процессов и модель кристалломорфологической эволюции” … д-ра геол.-минерал. наук. Новосибирск, 2004. 343 с.
Fedortchouk Y., Canil D., Semenets E. // Am. Mineral. 2007. V. 92. P. 1200.
Fedortchouk Y., Canil D. // Eur. J. Mineral. 2009. V. 21. P. 623.
Lang A.R. // Proc. R. Soc. Lond. Ser. A. 1964. V. 278. P. 234.
Орлов Ю.Л. Минералогия алмаза. М.: Наука, 1973. 221 с.
Welbourn C.M., Rooney M.T., Evans D.J.F. // J Cryst. Growth. 1989. V. 94. P. 229.
Khokhryakov A.F., Nechaeva D.V., Palyanov Y.N. et al. // Diamond Relat. Mater. 2016. V. 70. P. 1.
Moore M. // Condens. Matter. Phys. 2009. V. 21. P. 364217.
Васильев Е.А., Клепиков И.В., Лукьянова Л.И. // Зап. Рос. минерал. о-ва. 2018. № 1. С. 55.
Миронов В.П. // Алмазы. М.: ЭС-ТЭ пресс, 2001. С. 97.
Skuzovatov S.Y., Zedgenizov D.A., Rakevich A.L. // Contrib. Mineral. Petrol. 2017. V. 172. P. 46.
Васильев Е.А., Клепиков И.В., Антонов А.В. // Зап. Рос. минерал. о-ва. 2018. № 4. С. 114.
Sunagawa I. // J. Cryst. Growth. 1990. V. 99. P. 1156.
Бескрованов В.В. Онтогения алмаза. М.: Наука, 1992. 165 с.
Шафрановский И.И. Кристаллы минералов. Кривогранные, скелетные и зернистые формы. М.: Госгеолтехиздат, 1961. 332 с.
Глазов А.И. // Зап. Горного института. 2012. Т. 199. С. 206.
Скузоватов C.Ю., Зедгенизов Д.А., Шацкий В.С. и др. // Геология и геофизика. 2011. Т. 52. № 1. С. 107.
Zedgenizov D.A., Harte B., Shatsky V. S. et al. // Contrib. Mineral. Petrol. 2006. V. 151. P. 45.
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Кристаллография