Кристаллография, 2022, T. 67, № 4, стр. 636-644
Определение модуля Юнга в кристаллах триглицинсульфата с послойным распределением примеси
Р. В. Гайнутдинов 1, *, А. К. Лашкова 1, Д. А. Золотов 1, В. Е. Асадчиков 1, А. А. Ширяев 2, А. Г. Иванова 1, Б. С. Рощин 1, В. Н. Шут 3, И. Ф. Кашевич 4, С. Е. Мозжаров 3, А. Л. Толстихина 1
1 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
Москва, Россия
2 Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН
Москва, Россия
3 Витебский государственный технологический институт
Витебск, Беларусь
4 Витебский государственный университет им. П.М. Машерова
Витебск, Беларусь
* E-mail: radmir@crys.ras.ru
Поступила в редакцию 24.01.22
После доработки 02.02.2022
Принята к публикации 02.02.2022
- EDN: PAIFXI
- DOI: 10.31857/S0023476122040099
Полные тексты статей выпуска доступны только авторизованным пользователям.
Аннотация
Предложена методика исследования локальных упругих свойств в неоднородных сегнетоэлектриках на примере ростовой полосчатой структуры кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесью хрома и L-α-аланина. Методами рентгенофлуоресцентного анализа и рентгеновской топографии получены данные о ширине и примесном составе полос. Местоположение границ полос, выходящих на поверхность, и морфология доменной структуры определены методами корреляционной электрической атомно-силовой микроскопии. С помощью контактной атомно-силовой спектроскопии измерены силовые кривые и рассчитаны модули Юнга в беспримесных и легированных полосах кристаллов. Установлено, что при введении примеси наблюдается уменьшение модуля Юнга: для хрома разница составила 20–25%, для L-α-аланина – 12–14%.
Полные тексты статей выпуска доступны только авторизованным пользователям.
Список литературы
Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата. Минск: Наука и техника,1986. 216 с.
Lal R.B., Batra A.K. // Ferroelectrics. 1993. V. 142. P. 51. https://doi.org/10.1080/00150199308237884
Ban Z.-G., Alpay S.P., Mantese J.V. //Phys. Rev. B. 2003. V. 67. P. 184104. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.67.184104
Shut V.N., Kashevich I.F. // Ferroelectrics. 2007. V. 350. P. 57. https://doi.org/10.1080/00150190701369859
Шут В.Н., Кашевич И.Ф., Сырцов С.Р., Шнайдштейн И.В. // Кристаллография. 2010. Т. 55. № 3. С. 495.
Gainutdinov R.V., Belugina N.V., Lashkova A.K. et al. // Ferroelectrics. 2019. V. 541. P. 39. https://doi.org/10.1080/00150193.2019.1574640
Иванова Е.С., Овчинникова Г.И., Еремеев А.П. и др. // Кристаллография. 2019. Т. 64. № 5. С. 766.
Shut V.N., Mozzharov S.E., Kashevich I.F. Proc. book of IX Intern.Scient. Conf. Actual Problems of Solid State Physics, Minsk, 22–26 November 2021, V. 2. P. 91. http://apssp2021.site/files/APSSP-2021_Proceedings_Book_21.pdf
Mytsyk B., Shut V., Demyanyshyn N. et al. // Ukr. J. Phys. Opt. 2017. V. 18. № 1. P. 46.
Chang J.-M., Ashok K., Batra A.K., Lal R.B. // Cryst. Growth Design. 2002. V. 2. № 5. P. 431. https://doi.org/10.1021/cg020018g
Muralidharan R., Mohankumar R., Dhanasekaran R. et al. // Mater. Lett. 2003. V. 57. P. 3291. https://doi.org/10.1016/S0167-577X(03)00050-8
Khanum F., Podder J. // J. Crystallization Proc. Technol. 2011. V. 1. P. 49. https://doi.org/10.4236/jcpt.2011.13008
Deepthi P.R., Shanthi J. // Eur. Int. J. Sci. Technol. 2013. V. 2. № 9. P. 201.
Deepthi P.R., Shanthi J. // RSC Adv. 2016. V. 6. № 40. P. 33686. https://doi.org/10.1039/c5ra2570
Hussain A., Sinha N., Joseph A.J. et al. // Arabian J. Chemistry. 2020. V. 13. № 1. P. 1874. https://doi.org/10.1016/j.arabjc.2018.02.001
Гайнутдинов Р.В., Лашкова А.К., Толстихина А.Л. и др. // Тез. Докл. Девятой Междунар. конф. “Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов”, Москва, 22–26 ноября 2021. С. 51.
Mermut O., Lefebvre J., Gray D.G., Barrett C.J. // Macromolecules. 2003. V. 36. P. 8819. https://doi.org/10.1021/ma034967+
Suriano R., Credi C., Levi M., Turri S. // Appl. Surf. Sci. 2014. V. 311. P. 558. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.05.108
Rezende C.A., Lee L.-T., Galembeck F. // Langmuir. 2009. V. 25. № 17. P. 9938. https://doi.org/10.1021/la9010949
Kutnyanszky E., Vancso G.J. // Eur. Polym. J. 2012. V. 48. P. 8. https://doi.org/10.1016/j.eurpolymj.2011.09.008
Лебедев Д.В., Чукланов А.П., Бухараев А.А., Дружинина О.С. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. № 8. С. 54.
Chen Y.-Y., Wu C.-C., Hsu J.-L. et al. // Langmuir. 2009. V. 25. № 8. P. 4607. https://doi.org/10.1021/la8036346
Bushell G.R., Cahill C., Clarke F.M. et al. // Cytometry. 1999. V. 36. P. 254. https://doi.org/10.1002/(SICI)1097-0320(19990701)36:3<254::AID-CYTO16>3.0.CO;2-4
Gaboriaud F., Parcha B.S., Geeb M.L. et al. // Colloids Surf. B. 2008. V. 62. P. 206. https://doi.org/10.1016/j.colsurfb.2007.10.004
Lee S.W. // Synth. Met. 2016. V. 216. P. 88. https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2015.09.014
Weisenhorn A.L., Khorsandi M., Kasas S. et al. // Nanotechnology. 1993. V. 4. № 2. P. 106.
Ширяев А.А., Золотов Д.А., Супрун Е.М. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2020. Т. 111. № 9. С. 597.
Золотов Д.А., Асадчиков В.Е., Бузмаков А.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2021. Т. 113. № 3. С. 161.
Гайнутдинов Р.В., Толстихина А.Л., Белугина Н.В. и др. // Кристаллография. 2018. Т. 63. № 5. С. 766.
Panošová D., Panoš. S. // Ferroelectrics. 2005. V. 320. P. 59. https://doi.org/10.1080/00150190590966810
Дополнительные материалы отсутствуют.
Инструменты
Кристаллография