1. На главную
  2. Электронные версии
  3. Кристаллография
  4. T. 67, № 4, 2022

Кристаллография, 2022, T. 67, № 4, стр. 636-644

Определение модуля Юнга в кристаллах триглицинсульфата с послойным распределением примеси

Р. В. Гайнутдинов 1, *, А. К. Лашкова 1, Д. А. Золотов 1, В. Е. Асадчиков 1, А. А. Ширяев 2, А. Г. Иванова 1, Б. С. Рощин 1, В. Н. Шут 3, И. Ф. Кашевич 4, С. Е. Мозжаров 3, А. Л. Толстихина 1

1 Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
Москва, Россия

2 Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН
Москва, Россия

3 Витебский государственный технологический институт
Витебск, Беларусь

4 Витебский государственный университет им. П.М. Машерова
Витебск, Беларусь

* E-mail: radmir@crys.ras.ru

Поступила в редакцию 24.01.22
После доработки 02.02.2022
Принята к публикации 02.02.2022

Аннотация

Предложена методика исследования локальных упругих свойств в неоднородных сегнетоэлектриках на примере ростовой полосчатой структуры кристаллов триглицинсульфата, послойно легированных примесью хрома и L-α-аланина. Методами рентгенофлуоресцентного анализа и рентгеновской топографии получены данные о ширине и примесном составе полос. Местоположение границ полос, выходящих на поверхность, и морфология доменной структуры определены методами корреляционной электрической атомно-силовой микроскопии. С помощью контактной атомно-силовой спектроскопии измерены силовые кривые и рассчитаны модули Юнга в беспримесных и легированных полосах кристаллов. Установлено, что при введении примеси наблюдается уменьшение модуля Юнга: для хрома разница составила 20–25%, для L-α-аланина – 12–14%.

Список литературы

  1. Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицинсульфата. Минск: Наука и техника,1986. 216 с.

  2. Lal R.B., Batra A.K. // Ferroelectrics. 1993. V. 142. P. 51. https://doi.org/10.1080/00150199308237884

  3. Ban Z.-G., Alpay S.P., Mantese J.V. //Phys. Rev. B. 2003. V. 67. P. 184104. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.67.184104

  4. Shut V.N., Kashevich I.F. // Ferroelectrics. 2007. V. 350. P. 57. https://doi.org/10.1080/00150190701369859

  5. Шут В.Н., Кашевич И.Ф., Сырцов С.Р., Шнайдштейн И.В. // Кристаллография. 2010. Т. 55. № 3. С. 495.

  6. Gainutdinov R.V., Belugina N.V., Lashkova A.K. et al. // Ferroelectrics. 2019. V. 541. P. 39. https://doi.org/10.1080/00150193.2019.1574640

  7. Иванова Е.С., Овчинникова Г.И., Еремеев А.П. и др. // Кристаллография. 2019. Т. 64. № 5. С. 766.

  8. Shut V.N., Mozzharov S.E., Kashevich I.F. Proc. book of IX Intern.Scient. Conf. Actual Problems of Solid State Physics, Minsk, 22–26 November 2021, V. 2. P. 91. http://apssp2021.site/files/APSSP-2021_Proceedings_Book_21.pdf

  9. Mytsyk B., Shut V., Demyanyshyn N. et al. // Ukr. J. Phys. Opt. 2017. V. 18. № 1. P. 46.

  10. Chang J.-M., Ashok K., Batra A.K., Lal R.B. // Cryst. Growth Design. 2002. V. 2. № 5. P. 431. https://doi.org/10.1021/cg020018g

  11. Muralidharan R., Mohankumar R., Dhanasekaran R. et al. // Mater. Lett. 2003. V. 57. P. 3291. https://doi.org/10.1016/S0167-577X(03)00050-8

  12. Khanum F., Podder J. // J. Crystallization Proc. Technol. 2011. V. 1. P. 49. https://doi.org/10.4236/jcpt.2011.13008

  13. Deepthi P.R., Shanthi J. // Eur. Int. J. Sci. Technol. 2013. V. 2. № 9. P. 201.

  14. Deepthi P.R., Shanthi J. // RSC Adv. 2016. V. 6. № 40. P. 33686. https://doi.org/10.1039/c5ra2570

  15. Hussain A., Sinha N., Joseph A.J. et al. // Arabian J. Chemistry. 2020. V. 13. № 1. P. 1874. https://doi.org/10.1016/j.arabjc.2018.02.001

  16. Гайнутдинов Р.В., Лашкова А.К., Толстихина А.Л. и др. // Тез. Докл. Девятой Междунар. конф. “Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов”, Москва, 22–26 ноября 2021. С. 51.

  17. Mermut O., Lefebvre J., Gray D.G., Barrett C.J. // Macromolecules. 2003. V. 36. P. 8819. https://doi.org/10.1021/ma034967+

  18. Suriano R., Credi C., Levi M., Turri S. // Appl. Surf. Sci. 2014. V. 311. P. 558. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.05.108

  19. Rezende C.A., Lee L.-T., Galembeck F. // Langmuir. 2009. V. 25. № 17. P. 9938. https://doi.org/10.1021/la9010949

  20. Kutnyanszky E., Vancso G.J. // Eur. Polym. J. 2012. V. 48. P. 8. https://doi.org/10.1016/j.eurpolymj.2011.09.008

  21. Лебедев Д.В., Чукланов А.П., Бухараев А.А., Дружинина О.С. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. № 8. С. 54.

  22. Chen Y.-Y., Wu C.-C., Hsu J.-L. et al. // Langmuir. 2009. V. 25. № 8. P. 4607. https://doi.org/10.1021/la8036346

  23. Bushell G.R., Cahill C., Clarke F.M. et al. // Cytometry. 1999. V. 36. P. 254. https://doi.org/10.1002/(SICI)1097-0320(19990701)36:3<254::AID-CYTO16>3.0.CO;2-4

  24. Gaboriaud F., Parcha B.S., Geeb M.L. et al. // Colloids Surf. B. 2008. V. 62. P. 206. https://doi.org/10.1016/j.colsurfb.2007.10.004

  25. Lee S.W. // Synth. Met. 2016. V. 216. P. 88. https://doi.org/10.1016/j.synthmet.2015.09.014

  26. Weisenhorn A.L., Khorsandi M., Kasas S. et al. // Nanotechnology. 1993. V. 4. № 2. P. 106.

  27. Ширяев А.А., Золотов Д.А., Супрун Е.М. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2020. Т. 111. № 9. С. 597.

  28. Золотов Д.А., Асадчиков В.Е., Бузмаков А.В. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2021. Т. 113. № 3. С. 161.

  29. Гайнутдинов Р.В., Толстихина А.Л., Белугина Н.В. и др. // Кристаллография. 2018. Т. 63. № 5. С. 766.

  30. Panošová D., Panoš. S. // Ferroelectrics. 2005. V. 320. P. 59. https://doi.org/10.1080/00150190590966810

Дополнительные материалы отсутствуют.

Инструменты

следующая статья выпуска предыдущая статья выпуска содержание выпуска

Кристаллография

Архивы выпусков Информация о журнале Отправить рукопись в журнал